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[導(dǎo)讀]6月1日下午,上海證券交易所公告,已受理中芯國(guó)際科創(chuàng)板上市申請(qǐng),并掛出長(zhǎng)達(dá)921頁(yè)的招股說(shuō)明書(shū)。 據(jù)招股說(shuō)明書(shū)顯示,本次初始發(fā)行的股票數(shù)量不超過(guò)168562.00萬(wàn)股(行駛超配額選擇權(quán)之前),擬募集

6月1日下午,上海證券交易所公告,已受理中芯國(guó)際科創(chuàng)板上市申請(qǐng),并掛出長(zhǎng)達(dá)921頁(yè)的招股說(shuō)明書(shū)。

據(jù)招股說(shuō)明書(shū)顯示,本次初始發(fā)行的股票數(shù)量不超過(guò)168562.00萬(wàn)股(行駛超配額選擇權(quán)之前),擬募集資金200億元,主要用于12英寸芯片SN1項(xiàng)目(40%)、先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目?jī)?chǔ)備資金(20%)和補(bǔ)充流動(dòng)資金(40%)。

長(zhǎng)達(dá)921頁(yè)的招股說(shuō)明書(shū),除了展現(xiàn)中芯國(guó)際在同行業(yè)中所處的地位外,還表明了其持續(xù)加大科研力度的決心。

節(jié)點(diǎn)技術(shù)國(guó)內(nèi)領(lǐng)跑,但落后于臺(tái)積電2-3代

中芯國(guó)際目前主要為客戶提供基于多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)、不同工藝平臺(tái)的集成電路晶圓代工及配套服務(wù),邏輯工藝技術(shù)、特色工藝技術(shù)和配套服務(wù)技術(shù)均處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平, 以電源/模擬技術(shù)、高壓驅(qū)動(dòng)技術(shù)、中段凸塊技術(shù)和光掩模工藝誤差修正技術(shù)為代表的技術(shù)處于國(guó)際領(lǐng)先水平。在集成電路晶圓代工領(lǐng)域,關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)能力是衡量企業(yè)技術(shù)實(shí)力的重要標(biāo)準(zhǔn)之一。

在IPO招股說(shuō)明書(shū)中,中芯國(guó)際在展示自家技術(shù)實(shí)力時(shí),將臺(tái)積電、格羅方德和聯(lián)華電子列為可比公司,在關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)時(shí)間上較勁。

根據(jù) IC Insights 公布的2018年純晶圓代工行業(yè)全球市場(chǎng)銷售額排名,中芯國(guó)際排名全球第4位,中國(guó)大陸第1位。臺(tái)積電顯然是中芯國(guó)際最大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

表格顯示,2011年,臺(tái)積電28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),而此時(shí)中芯國(guó)際還處于40nm的技術(shù),當(dāng)中芯國(guó)際終于用四年時(shí)間追趕臺(tái)積電的步伐時(shí),臺(tái)積電已實(shí)現(xiàn)16nm量產(chǎn),并向10nm邁進(jìn),現(xiàn)如今已實(shí)現(xiàn)7nm量產(chǎn)。但中芯國(guó)際還處于14nm技術(shù)水平,落后臺(tái)積電2-3代。

盡管從發(fā)展周期上看,中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)從28nm到14nm的時(shí)間周期同臺(tái)積電相當(dāng),但是,臺(tái)積電作為一家建立時(shí)間更早,規(guī)模更大的公司,相應(yīng)有更多的人才和資金流向研發(fā),在如此強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手下,中芯國(guó)際能有這樣的成績(jī),發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

但不得不正視的是,隨著節(jié)點(diǎn)技術(shù)的不斷縮小,集成電路制造所需的設(shè)備投入將大幅度上升。

根據(jù)IBS統(tǒng)計(jì)顯示,以 5 納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)為例,其投資成本高達(dá)數(shù)百億美元,是 14 納米的兩倍以上,28 納米的四倍左右。與臺(tái)積電營(yíng)收差距巨大的中芯國(guó)際,將面臨更大的挑戰(zhàn),這也正是此次上市的原因之一。

募集資金四成擴(kuò)充先進(jìn)工藝產(chǎn)能,六成儲(chǔ)備和補(bǔ)充

在此次募集資金運(yùn)用概況中,中芯國(guó)際重點(diǎn)將目光投向科技創(chuàng)新領(lǐng)域。

其中,為帶動(dòng)中國(guó)大陸集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“12英寸芯片SN1項(xiàng)目”,其載體為中芯南方,是中國(guó)大陸第一條FinFET工藝生產(chǎn)線,也是中芯國(guó)際14納米及以下先進(jìn)工藝研發(fā)和量產(chǎn)的主要承載平臺(tái)。該項(xiàng)目規(guī)劃月產(chǎn)能3.5萬(wàn)片, 目前已建成月產(chǎn)能6000片,募集資金主要用于擴(kuò)充產(chǎn)能,并計(jì)劃用7年時(shí)間逐步實(shí)施。

14納米以下的先進(jìn)工藝主要應(yīng)用于5G、人工智能、智能駕駛、高速運(yùn)算等新興領(lǐng)域,有廣闊的發(fā)展前景。據(jù)IHS Markit預(yù)測(cè),全球集成電路晶圓代工行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模中先進(jìn)工藝占比將 逐年增高,市場(chǎng)需求持續(xù)上漲。

而面對(duì)廣闊的市場(chǎng)空間,中國(guó)大陸尚無(wú)企業(yè)具備14納米一下先進(jìn)工藝的量產(chǎn)能力,中芯國(guó)際將40%的資金投入此項(xiàng)目,以解決“需求巨大,供能不足”的尷尬局面。

其次,本次募捐的40億元人民幣將由于先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目的儲(chǔ)備資金,有效提升基于多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)、不同工藝平臺(tái)的集成電路晶圓代工能力,豐富產(chǎn)品結(jié)構(gòu),滿足不同客戶需求,進(jìn)而提升公司產(chǎn)品的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

另外,剩余的80億資金將用來(lái)補(bǔ)充營(yíng)運(yùn)資金,以滿足產(chǎn)能擴(kuò)張所新增的營(yíng)運(yùn)資金需求和改善公司資本結(jié)構(gòu),抵抗風(fēng)險(xiǎn)。

研發(fā)費(fèi)用投入占比逐年升高,2019年達(dá)22%

據(jù)IPO招股報(bào)告書(shū)顯示,在與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手型公司進(jìn)行比較時(shí),中芯國(guó)際2019年度的研發(fā)費(fèi)用為47億元,盡管同全球第一的晶圓代工廠臺(tái)積電相比較,只有其五分之一,但對(duì)中芯國(guó)際自身而言,卻占據(jù)了全年?duì)I收的22%,同時(shí)也能發(fā)現(xiàn),2017年至2019年,中芯國(guó)際的研發(fā)費(fèi)用所占比例逐年升高。

同時(shí)在分析募集資金流向時(shí),中芯國(guó)際也表明將在科研方面投入一部分,用于第二代FinFET工藝的研發(fā)。FinFET技術(shù)是目前中國(guó)大陸集成電路產(chǎn)業(yè)中最前沿的技術(shù)水平,其研發(fā)難度大,研發(fā)時(shí)間長(zhǎng),支出的研發(fā)經(jīng)費(fèi)和需要的支撐條件也非常高。

從研發(fā)人員上看,報(bào)告期內(nèi),公司研發(fā)人員數(shù)量始終保持在公司總?cè)藬?shù)的10%以上。截至 2019年12月31日,公司的碩士及博士人員占比為20.53%。在公司總?cè)藬?shù)逐年減少的情況下,從1941人上升到2530人,新增核心技術(shù)人員梁孟松和ZHOU MEISHENG(周梅生)。都表明中心國(guó)際對(duì)研發(fā)持續(xù)加碼的決心和信心。

總結(jié)

透過(guò)這份IPO招股說(shuō)明書(shū),外界對(duì)中芯國(guó)際的發(fā)展現(xiàn)狀和未來(lái)走向有了更多的了解,中芯國(guó)際加大研發(fā)投入的決心也給了國(guó)人對(duì)中國(guó)芯更多的期待,但需要警惕的是,如果公司未來(lái)不能緊跟行業(yè)前沿需求,正確把握研發(fā)方向,可能導(dǎo)致工藝技術(shù)定位偏差,結(jié)果適得其反。若此次募資成功,落后臺(tái)積電2-3代的中芯國(guó)際,能否規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)縮小差距呢?

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