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[導(dǎo)讀]原因 1 線(xiàn)電阻的電壓降的影響 地電平(0電平)直流引起的低電平提高。 圖中虛線(xiàn)為提高的情況。提高幅度與IC的功耗大小、IC密度、饋電方式、地線(xiàn)電阻(R) 、饋電的地線(xiàn)總電流有關(guān)。ΔV地= ΔI× ΔR。 原因 2 信號(hào)線(xiàn)電阻的電壓降的影響? a)? IC輸出管腳經(jīng)過(guò)印制導(dǎo)


原因

1


線(xiàn)電阻的電壓降的影響


地電平(0電平)直流引起的低電平提高。 圖中虛線(xiàn)為提高的情況。提高幅度與IC的功耗大小、IC密度、饋電方式、地線(xiàn)電阻(R) 、饋電的地線(xiàn)總電流有關(guān)。ΔV地= ΔI× ΔR。


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原因

2


信號(hào)線(xiàn)電阻的電壓降的影響 


a)  IC輸出管腳經(jīng)過(guò)印制導(dǎo)線(xiàn)或電纜到另一IC的輸入腳,輸出低電平電流在印制導(dǎo)線(xiàn)或電纜電阻上引起一個(gè)低電平的抬高,其值為ΔVOL=IOL×R 。見(jiàn)圖中的上面一條虛線(xiàn)。

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顯而易見(jiàn),低電平的抬高與印制導(dǎo)線(xiàn)電阻值及輸出低電平電流有關(guān)。 注意: 當(dāng)IC輸出腳為低電平時(shí),如果此器件不是驅(qū)動(dòng)器, 而是一般器件,則由于輸出低電平電流太大, 遠(yuǎn)大于器件手冊(cè)給出的值,輸出三極管將退出飽和區(qū),進(jìn)入工作區(qū),使輸出低電平抬高很多。

決定因素:
  • 端接方式

  • 端接電平

  • 端接電阻大小

  • 線(xiàn)寬

  • 線(xiàn)厚

  • 線(xiàn)長(zhǎng)

  • 線(xiàn)截面積


b)  IC輸出管腳經(jīng)過(guò)印制導(dǎo)線(xiàn)或電纜到另一個(gè)IC的輸入腳,輸出高電平電流在印制導(dǎo)線(xiàn)或電纜電阻上引起一個(gè)高電平的降低,其值為ΔVOH=IOH×R,見(jiàn)下圖中高電平上的下面虛線(xiàn):

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IOH由下列因素決定:
  • 端接方式

  • 端接電平

  • 端接電阻大小


R由下列因素決定:
  • 線(xiàn)寬

  • 線(xiàn)厚

  • 線(xiàn)長(zhǎng)


顯而易見(jiàn),高電平的降低與印制導(dǎo)線(xiàn)或電纜電阻值及輸出高電平電流有關(guān),如下圖所示:


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B點(diǎn)的高電平比A點(diǎn)的高電平要低

注意: IC輸出腳為高電平時(shí), 如果此器件不是驅(qū)動(dòng)器,而是一般器件, 則由于輸出高電平電流太大,遠(yuǎn)大于器件手冊(cè)給出的值時(shí),輸出管也會(huì)退出飽和區(qū),進(jìn)入工作區(qū),使輸出高電平降低很多。


決定因素:
  • 端接方式

  • 端接電阻大小

  • 輸出管飽和深度

  • 輸出管β值




原因

3


電源線(xiàn)電阻的電壓降的影響


IC的電源電壓(如+3.3V),如果系統(tǒng)中存在差值,當(dāng)小于+3.3V時(shí), 輸出高電平將產(chǎn)生一個(gè)下降值, 如上圖中高電平上的虛線(xiàn)所示:


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由于系統(tǒng)電源有集中電源和分散的電源模塊之分,此差值不同,由于IC功耗的大小、IC密度、饋電方式、電源線(xiàn)的饋電電阻值以及電源電流值,引起一個(gè) ΔVCC (ΔVCC =ΔI×ΔR)。

以上原因,使TTL信號(hào)波形變得離理想波形很遠(yuǎn)了。低電平大為提高了,高電平也大為降低了。對(duì)這些值若不嚴(yán)加控制, 對(duì)系統(tǒng)工作的穩(wěn)定可靠工作是不利的。此外,結(jié)溫差,即不同功耗的器件的P-N結(jié)的溫度不同,還會(huì)影響高低電平及門(mén)檻電平的變化也會(huì)影響系統(tǒng)工作。

除上面所說(shuō)的直流成分之外,更為重要的是系統(tǒng)是以極高頻率在工作,也就是說(shuō), 系統(tǒng)內(nèi)的器件、導(dǎo)線(xiàn)有各種頻率的, 各種轉(zhuǎn)換速率的信號(hào)在動(dòng)作、傳遞。首先是相互之間的信號(hào)電磁藕合 (串?dāng)_) 和信號(hào)在不同特性阻抗傳輸路徑上的反射, 以及電源, 地電平由于IC高頻轉(zhuǎn)換引起電流尖峰電平,使TTL信號(hào)波形變得更壞。



原因

4


轉(zhuǎn)換噪聲


由于系統(tǒng)工作時(shí), 器件以高頻轉(zhuǎn)換, 造成供電系統(tǒng)上有高頻率變化的電流尖峰,而供電的電源線(xiàn)路和地線(xiàn)路都可看成是很小的電阻、電感、電容元件。

電流尖峰值太大, 在它們上面會(huì)產(chǎn)生較大的交流尖峰電壓,其電源上的尖峰電壓基本上會(huì)串?dāng)_到高電平上,而地電平上的尖峰電壓會(huì)串?dāng)_到低電平上,如下圖所示:IC內(nèi)部同樣存在這種尖峰電壓。


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決定因素:
  • IC集成度

  • IC同時(shí)同相翻轉(zhuǎn)器的個(gè)數(shù)

  • IC密度

  • 地電源線(xiàn)結(jié)構(gòu)層數(shù)

  • 濾波電容的性能密度




原因

5


串?dāng)_噪聲


由于系統(tǒng)組裝越來(lái)越密, 印制導(dǎo)線(xiàn)之間的距離越來(lái)越近,鄰近導(dǎo)線(xiàn)上有高速轉(zhuǎn)換的電平信號(hào)。如正跳變信號(hào)跳變的時(shí)間tr和負(fù)跳變的時(shí)間tf都很小,使得導(dǎo)線(xiàn)上已有信號(hào)上疊加一個(gè)較大的電磁藕合信號(hào)(串?dāng)_信號(hào))。

如下圖中較大的尖峰信號(hào)。這些信號(hào)還包括插頭座上的信號(hào)針之間的串?dāng)_信號(hào)以及電纜中信號(hào)之間的串?dāng)_。


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決定因素:
  • tr與tf值

  • 線(xiàn)寬

  • 線(xiàn)間距

  • (基材)介質(zhì)的厚度

  • 介質(zhì)的介電常數(shù)

  • 平行線(xiàn)長(zhǎng)

  • 重疊線(xiàn)長(zhǎng)

  • 插頭座信號(hào)針地針比

  • 電纜信號(hào)線(xiàn)地線(xiàn)比




原因

6


反射噪聲


如果IC之間的互連線(xiàn)比較長(zhǎng) (復(fù)雜系統(tǒng)往往是這樣) ,線(xiàn)的特性阻抗又不均勻,或者終端沒(méi)有匹配,會(huì)引起反射;如果始端也不匹配, 則會(huì)來(lái)回反射而造成振鈴。如下圖所示:


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決定因素:
  • 特性阻抗

  • 匹配方式

  • 失配大小

  • 終端反射系數(shù)

  • 始端反射系數(shù)

  • 線(xiàn)長(zhǎng)




原因

7


邊沿畸變


如果信號(hào)頻率升高到一定程度,也就是器件工作頻率達(dá)到一定的高度極限,而且印制導(dǎo)線(xiàn)又較長(zhǎng)或者負(fù)載電容較大時(shí), tr ≥tw上升時(shí)間等于或大于脈沖寬度,信號(hào)畸變到?jīng)]有高低電平平頂或者遠(yuǎn)離平頂。如下圖所示(實(shí)線(xiàn)):


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決定因素:
  • 線(xiàn)寬

  • 線(xiàn)長(zhǎng)

  • 基材介質(zhì)厚度

  • 介質(zhì)介電常數(shù)

  • 負(fù)載數(shù)

  • 工作頻率(脈寬)

  • tr數(shù)字信號(hào)的變化

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