據(jù)臺(tái)媒工商時(shí)報(bào)報(bào)道，面對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能供不應(yīng)求，晶圓代工龍頭臺(tái)積電在6月2日舉辦的2021年技術(shù)論壇上表示，3年1000億美元投資案已全面啟動(dòng)，現(xiàn)在正以5倍的速度加快擴(kuò)產(chǎn)腳步，包括將在南科擴(kuò)建5nm晶圓廠及興建3nm晶圓廠，以及在竹科興建研發(fā)晶圓廠及2nm晶圓廠。以臺(tái)積電興建中及計(jì)劃中的投資案來(lái)看，等于要再蓋12座晶圓廠，極紫外光（EUV）產(chǎn)能將大爆發(fā)。

此外，臺(tái)積電在南科及竹南封測(cè)廠興建已啟動(dòng)，美國(guó)亞利桑那州12吋廠開(kāi)始興建。隨著臺(tái)積電加快建廠腳步，及擴(kuò)大設(shè)備及備品采購(gòu)規(guī)模，臺(tái)積電大同盟合作伙伴的業(yè)績(jī)可望再旺3年。

臺(tái)積電表示，過(guò)去33年產(chǎn)出的晶圓片數(shù)量已超過(guò)1億片，而目前年產(chǎn)量也超過(guò)1300萬(wàn)片12吋約當(dāng)晶圓。臺(tái)積電過(guò)去以穩(wěn)健方式擴(kuò)產(chǎn)，但因應(yīng)客戶強(qiáng)勁需求，目前正以5倍速度擴(kuò)充產(chǎn)能，累積達(dá)到的無(wú)塵室面積更達(dá)到百萬(wàn)平方公尺。臺(tái)積電今年資本支出上調(diào)至300億美元，3年1000億美元投資案全面啟動(dòng)，而臺(tái)積電已開(kāi)始興建3nm晶圓廠，未來(lái)會(huì)是全球首座3nm晶圓廠。

臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)資深副總經(jīng)理秦永沛說(shuō)明了建廠計(jì)劃：南科Fab 18超大型晶圓廠（GigaFab）將建置P1～P4共4座5nm晶圓廠，P5～P8共4座3nm晶圓廠。其中P1～P3廠已進(jìn)入量產(chǎn)，P4～P6廠正在興建中，未來(lái)將再擴(kuò)建P7～P8廠。另外，南科Fab 14超大型晶圓廠將擴(kuò)建P8廠為特殊制程生產(chǎn)基地，AP2C封測(cè)廠亦興建中。

臺(tái)積電竹科Fab 12超大型晶圓廠將擴(kuò)建P8～P9廠為研發(fā)中心，P8廠將在今年完成。臺(tái)積電預(yù)計(jì)在竹科寶山興建Fab 20超大型晶圓廠，現(xiàn)在仍在土地取得程序，未來(lái)將成為2nm生產(chǎn)重鎮(zhèn)。至于美國(guó)亞利桑那州5nm晶圓廠已開(kāi)始興建，2024年以月產(chǎn)能2萬(wàn)片量產(chǎn)計(jì)劃不變。

在封測(cè)廠投資部份，秦永沛指出，臺(tái)積電已有4座先進(jìn)封測(cè)廠區(qū)，主要提供晶圓凸塊、先進(jìn)測(cè)試、后段3D封裝等業(yè)務(wù)，現(xiàn)在竹南興建的第5座封測(cè)廠AP6，未來(lái)將以前段3D封裝及芯片堆疊等先進(jìn)技術(shù)為主。而竹南封測(cè)AP6廠總面積是4座封測(cè)廠總面積的1.3倍，預(yù)計(jì)2022年下半年開(kāi)始量產(chǎn)SoIC先進(jìn)封裝制程。