磁共振(Magnetic Resonance)無(wú)線充電技術(shù)系采高頻率、長(zhǎng)距離進(jìn)行充電，其使用安全性已被視為市場(chǎng)普及的一大關(guān)鍵。有鑒于此，高通(Qualcomm)、博通 (Broadcom)、德州儀器(TI)等半導(dǎo)體商無(wú)不加足馬力強(qiáng)化異物偵測(cè)(FOD)和生物偵測(cè)(LOD)技術(shù)實(shí)力，以提高產(chǎn)品附加價(jià)值，同時(shí)加快擴(kuò)大磁共振無(wú)線充電技術(shù)的市場(chǎng)滲透率。

高通歐洲區(qū)資深行銷總監(jiān)Joe Barrett表示，為消弭終端消費(fèi)者使用磁共振無(wú)線充電產(chǎn)品的安全疑慮，該公司已研發(fā)出獨(dú)家的FOD和LOD技術(shù)，并搭載于旗下的無(wú)線充電技術(shù)方案，其包含無(wú)線充電技術(shù)及參考設(shè)計(jì)。

不讓高通專美于前，博通、德州儀器等半導(dǎo)體業(yè)者亦已積極展開FOD與LOD技術(shù)布局，以增強(qiáng)磁共振無(wú)線充電方案的安全性。

Barrett認(rèn)為，隨著磁共振無(wú)線充電技術(shù)市場(chǎng)需求熱度飆升，半導(dǎo)體廠商未來(lái)將會(huì)持續(xù)加碼投資開發(fā)各自的FOD和LOD技術(shù)，但巧妙各有不同。

據(jù)了解，相較于磁感應(yīng)方案，磁共振無(wú)線充電技術(shù)因金屬發(fā)熱造成電力損失的影響差距高達(dá)十倍之多。

博通手機(jī)平臺(tái)部門產(chǎn)品行銷總監(jiān)Reinier van der Lee認(rèn)為，在磁共振無(wú)線充電技術(shù)大行其道之前，磁共振兼容磁感應(yīng)的多模無(wú)線充電技術(shù)將會(huì)是過渡時(shí)期的主流方案，所以為避免系統(tǒng)內(nèi)、外金屬物對(duì)磁感應(yīng)技術(shù)造成共振影響，日后FOD技術(shù)的重要性將更被突顯。

而多模無(wú)線充電裝置內(nèi)建FOD技術(shù)后，即可探測(cè)出影響充電進(jìn)行的金屬異物，并在發(fā)現(xiàn)時(shí)立即暫停充電，有效防止金屬電熱效應(yīng)。

此外，相較于磁感應(yīng)無(wú)線充電技術(shù)，磁共振充電距離已從小于1公分大幅延長(zhǎng)至5公分以內(nèi)，因此操作安全性備受各界專注，遂讓LOD技術(shù)能見度大增。

LOD技術(shù)能探測(cè)工作范圍內(nèi)的動(dòng)物和人類，必要時(shí)可以自動(dòng)停止充電。

不僅是半導(dǎo)體廠商，無(wú)線充電系統(tǒng)開發(fā)商如WiTricity，業(yè)已于開發(fā)套件中配備FOD與LOD技術(shù)，藉此積極擴(kuò)張?jiān)?strong>磁共振無(wú)線充電的市場(chǎng)版圖。由此可見，半導(dǎo)體及無(wú)線充電系統(tǒng)開發(fā)商皆已將FOD和LOD技術(shù)視為爭(zhēng)搶市占的一大利器，預(yù)期往后技術(shù)競(jìng)賽將愈來(lái)愈激烈。