近日，英特爾非易失性存儲方案事業(yè)部宣布基于中國大連制造的QLC NAND裸片所生產的英特爾® QLC 3D NAND固態(tài)盤(SSD)已達1000萬個。此項生產始于2018年底，這一新的里程碑也確立了QLC技術成為主流大容量硬盤技術的重要地位。

英特爾客戶端SSD戰(zhàn)略規(guī)劃與產品營銷總監(jiān)Dave Lundell表示：“很多公司都談論過QLC技術，但只有英特爾真正意義上實現了QLC技術的大規(guī)模交付。我們一方面看到整個市場對英特爾低成本高收益的容量型QLC SSD (英特爾® SSD 660p)有著巨大需求，同時也看到大家對英特爾®傲騰™技術+QLC解決方案傲騰H10混合式固態(tài)盤在高性能方面的表現充滿期待。”

關于這一里程碑的一些簡要情況：

英特爾QLC 3D NAND主要應用于英特爾SSD 660p、英特爾® SSD 665p 和傲騰H10混合式固態(tài)盤存儲解決方案。

英特爾QLC驅動器采用每單元4比特設計，并以64層和96層NAND配置存儲數據。

英特爾在過去十年中一直致力于該技術的研發(fā)。2016年，英特爾工程師將已被充分驗證的浮柵(FG)技術調整為垂直方向，并將其集成在環(huán)柵結構中，進而獲得每裸片存儲384 Gb數據的3D TLC技術。2018年，具備64層，每單元4比特，可儲存1,024 Gb/裸片的3D QLC閃存問世。2019年，英特爾升級到96層，進一步提升了整體存儲密度。