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[導(dǎo)讀]對于許多低功耗、中等性能的電池供電嵌入式應(yīng)用而言,開發(fā)人員可以選擇合適的 16 位微控制器,而非 32 位內(nèi)核。如上所述,在許多應(yīng)用中,16 位微控制器的功耗比 32 位內(nèi)核低得多,卻仍然可以實現(xiàn)所需的性能。

本文介紹了 16 位微控制器的架構(gòu)及其如何成為許多電池供電的消費類設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)端點應(yīng)用的最佳選擇。此外,還介紹了 Microchip Technology 和 Texas Instruments 推出的幾款 16 位微控制器,并說明如何使用 16 位內(nèi)核著手設(shè)計。

微控制器選型

在設(shè)計過程中,定義項目要求后的第一步就是為應(yīng)用選擇合適的微控制器。三種主流選項分別是 8 位、16 位和 32 位微控制器。

不夸張地說,8 位微控制器應(yīng)用極為普遍,堪稱設(shè)計人員的主力器件。低成本、低功耗的 8 位微控制器幾乎適用于任何小功率應(yīng)用:主流微控制器中功耗最低的器件,某些器件待機電流低于 100 nA。

使用也相對簡單,8 位微控制器大多基于累加器,盡管一些較新的架構(gòu)具有寄存器組,因而編程模型簡單且有限:累加器或帶單個狀態(tài)寄存器的小寄存器組、堆棧指針,以及一個或多個變址寄存器。堆棧往往都是硬件堆棧,并且固件無法訪問程序計數(shù)器 (PC)。

盡管 8 位架構(gòu)廣受青睞,可一旦涉及網(wǎng)絡(luò)和通信就遇到了瓶頸。幾乎所有通信堆棧和網(wǎng)絡(luò)協(xié)議都采用 16 位或 32 位,因此不必考慮 8 位架構(gòu)。此外,即便是高端 8 位微控制器也往往局限于 16 位尋址,不具備分頁機制,限制了固件的大小和復(fù)雜性。

另一方面,32 位微控制器在所有高性能應(yīng)用中廣泛應(yīng)用?;诩拇嫫鞯募軜?gòu)可輕松支持網(wǎng)絡(luò)和通信;通常使用 32 位尋址,支持浮點運算和高等代數(shù)運算,并且時鐘速率可達千兆赫級。32 位內(nèi)核具有更復(fù)雜的編程模型,包括多個狀態(tài)寄存器、固件可訪問的 PC、復(fù)雜的中斷管理以及兩層或多層固件執(zhí)行權(quán)限。

16 位微控制器雖都基于寄存器,但架構(gòu)同 8 位內(nèi)核一樣簡單。因此,16 位內(nèi)核往往都具有良好的低功耗性能,電流消耗明顯低于 32 位架構(gòu),功耗則幾乎與 8 位內(nèi)核一樣低。如果應(yīng)用需要進行高等數(shù)學(xué)運算,一些 16 位微控制器具有數(shù)學(xué)協(xié)處理器,在相同的內(nèi)部時鐘速度下其數(shù)學(xué)性能可與 32 位內(nèi)核媲美。

此外,許多通信協(xié)議棧都支持 16 位微控制器聯(lián)網(wǎng)。對于以太網(wǎng)、CAN、USB 和 Zigbee 等協(xié)議棧,只要應(yīng)用程序代碼的性能足以支持堆棧,那么使用 16 位微控制器的運行速度可與 32 位微控制器一樣快。

使用 16 位微控制器進行大型閃存陣列尋址

32 位與 16 位架構(gòu)的一大差異在于存儲器尋址范圍。32 位微控制器具有 32 位地址總線,可以訪問高達 4 GB 的存儲器。傳統(tǒng) 16 位 微控制器使用 16 位尋址,只能訪問 64 KB 的存儲器。不過,如今許多 16 位架構(gòu)都使用高達 24 位的擴展尋址,相當于擴充了 16 MB 的地址空間。

Microchip Technology 的低功耗 PIC24F 微控制器系列是擴展尋址方式的典型范例。其中一款微控制器 PIC24FJ1024GA,32 MHz 的 16 位微控制器具有 1 MB 的板載閃存和 32 KB 的板載 SRAM,使用類似于許多 8 位微控制器的簡單編程模型(圖 1)。

Microchip 的 PIC24F 編程模型示意圖

圖 1:Microchip 的 PIC24F 編程模型類似于高端 8 位微控制器,采用基于寄存器的架構(gòu),具有 16 個通用 16 位寄存器、堆棧指針、PC 和 5 個輔助寄存器。(圖片來源:Microchip Technology)

PIC24 具有 23 位程序計數(shù)器,可以訪問高達 8 MB 的程序閃存。16 個 16 位寄存器,稱為工作寄存器 (WREG),記作 W0 至 W15:W0 至 W13 寄存器是通用寄存器 (GP),可在固件控制下用于存儲數(shù)據(jù);W15 是專用堆棧指針 (SP),除了可以通過函數(shù)和子例程調(diào)用、編程異常處理和調(diào)用返回使其自動遞增和遞減外,SP 也可如 W0 至 W13 寄存器一樣通過固件修改。

使用 LINK 和 UNLINK 匯編指令可將 W14 用作堆棧幀指針 (FP)。堆棧指針限制寄存器 (SPLIM) 是一個獨立寄存器,可與 SP 配合使用以防止堆棧溢出。

PIC24 采用具有獨立地址和數(shù)據(jù)空間的哈佛架構(gòu)。與特殊指令配合使用,數(shù)據(jù)表頁地址 (TBLPAG) 寄存器和程序空間可視性頁地址 (PSVPAG) 寄存器可用于訪問并在地址和數(shù)據(jù)空間之間傳輸數(shù)據(jù)。這是 32 位架構(gòu)的常用功能,但 8 位內(nèi)核卻鮮少具備。

16 位重復(fù)循環(huán)計數(shù)器 (RCOUNT) 寄存器包含循環(huán)計數(shù)器,可用于 REPEAT 匯編指令。

16 位 CPU 內(nèi)核控制 (CORCON) 寄存器用于配置 PIC24 內(nèi)核的內(nèi)部操作模式。

最后,16 位狀態(tài)寄存器包含 PIC24 內(nèi)核狀態(tài)的工作狀態(tài)位,包括上次執(zhí)行匯編指令所產(chǎn)生的結(jié)果狀態(tài)。

根據(jù) Microchip Technology 對 PIC24FJ1024GA606T 的性能評定,工作頻率為 32 MHz 時可達 16 MIPS。對于 16 位內(nèi)核而言,這一指標著實令人印象深刻。該內(nèi)核具有 32 位微控制器的許多功能,例如同時支持分數(shù)運算的 17 位 × 17 位硬件乘法器以及 32 位/16 位硬件除法器。對于需要對傳感器數(shù)據(jù)進行計算的物聯(lián)網(wǎng)端點而言,這些功能相當管用。此外,該架構(gòu)還可以同時讀寫數(shù)據(jù)存儲器,卻絲毫不影響性能。

雖然 PIC24FJ1024GA606T 具有 USB OTG 等多種標準外設(shè),但在電池供電應(yīng)用中其功耗相當?shù)?。所需的供電電壓僅為 2.0 V 至 3.6 V,微控制器以 32 MHz 的工作頻率全速運行時電流消耗最大值為 7.7 mA,換作是 32 位內(nèi)核則極難實現(xiàn)這一指標。通過固件可以控制核心和外設(shè)時鐘。目前有兩種使器件進入低功耗模式的匯編指令:IDLE 指令使 PIC24 內(nèi)核停止運行,但外設(shè)可以繼續(xù)工作;SLEEP 指令將停止除看門狗(可選)和外部中斷檢測外所有器件的操作??臻e模式下,最大電流僅為 2.8 mA,而休眠模式下,最大電流范圍為 10 至 45 ?A,具體取決于外設(shè)配置。在最低功耗模式,即休眠模式下,仍保存隨機存取存儲器 (RAM) 中的內(nèi)容,PIC24F 的消耗電流低至 190 nA。

為了獲得更高的性能,Microchip Technology 在 dsPIC? 系列中推出高端 16 位微控制器。Microchip 的 dsPIC33EP512GP506T 是其中一款 16 位 70 MIPS 微處理器,具有 512 KB 的閃存。dsPIC 的內(nèi)核寄存器與 PIC24 大致相同,只是增加了支持數(shù)字信號處理 (DSP) 指令的寄存器,包括兩個 40 位累加器且支持 32 位乘法。如需對 PIC24 進行系統(tǒng)內(nèi)升級,PIC24 微控制器大多可以進行引腳兼容的 dsPIC 升級,因而使用同一塊印刷電路板亦可提高性能。

當然,性能越高,功率也就越大。這款 dsPIC33 的供電電壓為 3.0 至 3.6 V,運行速度達 70 MIPS 時,最大電流為 60 mA。

降低功耗,提高性能

Texas Instruments 的 MSP430FR599x 微控制器系列采用該公司的鐵電隨機存取存儲器 (FRAM) 程序存儲器,實現(xiàn)更高的讀/寫性能,而 功耗較之閃存微控制器更低。MSP430FR5994IPNR 16 位微控制器是該系列產(chǎn)品之一,時鐘頻率達 16 MHz,具有 256 KB 的 FRAM。

MSP430FR 微控制器內(nèi)核的性能增強功能包括雙向關(guān)聯(lián)緩存(由四個行寬為 64 字節(jié)的緩存塊組成),從而實現(xiàn)更高的 FRAM 性能;32 位硬件乘法器可提高數(shù)學(xué)密集型操作的性能;以及獨立于 MSP430 主內(nèi)核的低能耗加速器 (LEA) 協(xié)處理器。該 LEA 可執(zhí)行 256 點復(fù)數(shù)快速傅立葉變換 (FFT)、有限沖激響應(yīng) (FIR) 濾波器和矩陣乘法。根據(jù) TI 的介紹,矩陣乘法的運算速度比 Arm? Cortex?-M0+ 最多快 40 倍。該 LEA 可提高傳感器融合操作、圖像增強和超聲波傳感器數(shù)據(jù)處理的性能。面對這些應(yīng)用時,開發(fā)人員通常都優(yōu)先考慮 32 位內(nèi)核,而非超低功耗的 16 位微控制器。

MSP430R 的編程模型非常簡單(圖 2),共有 16 個 16 位寄存器 R0 至 R15:R0 是程序計數(shù)器,R1 是堆棧指針,R2 是狀態(tài)寄存器,R3 是常數(shù)發(fā)生器(用于立即操作數(shù)),R4 至 R15 是通用寄存器。其他寄存器配置則采用內(nèi)存映射方式,與多數(shù) 32 位內(nèi)核類似。

Texas Instruments 的 MSP430 微控制器寄存器組示意圖

圖 2:MSP430 微控制器寄存器組配置與其他基于寄存器的 16 位內(nèi)核類似。其他寄存器配置則采用內(nèi)存映射方式。(圖片來源:Texas Instruments)

提高了性能,卻絲毫沒有增加功耗。待機模式下,TI 的 MSP430FR5994 以實時時鐘 (RTC) 運行,電流消耗僅為 350 nA。關(guān)斷模式下,電流消耗僅為 45 nA。這一指標低于目前市面上任何一款 32 位微控制器,甚至低于多數(shù) 8 位微控制器。

MSP430FR5994IPNR 的工作電壓范圍為 1.8 至 3.6 V。固件以 FRAM 運行而緩存命中率為零時,MSP430FR 的電流消耗僅為 3 mA。若從緩存運行代碼,則電流消耗僅為 790 ?A。結(jié)合 LEA,這款 16 位微控制器可提供極高的處理性能和極低的功耗。

通過 TI 的 MSP-EXP430FR5994 LaunchPad? 可輕松開發(fā) MSP430FR5994 系列的低功耗應(yīng)用。該 LaunchPad 開發(fā)套件包含了開發(fā)人員著手 MSP-EXP430FR5994 微控制器編碼和固件調(diào)試所需的一切(圖 3)。

該 LaunchPad 具有兩個按鈕、兩個 LED 和一個 microSD 卡插槽。為了證明 MSP430FR5994 微控制器的低功耗性能,該 LaunchPad 具有 0.22 F 的超大電容為 LaunchPad 供電。將 LaunchPad 接入外部電源并將跳線 J8 設(shè)置為“充電”,即可為電容充電。只需 2 至 3 分 鐘就可將電容完全充滿。三分鐘后,將跳線 J8 設(shè)置為“使用”,移除外部電源,MSP430 即可運行數(shù)分鐘,具體視應(yīng)用而定。

此外,該 LaunchPad 還可用于測量 MSP430 及其應(yīng)用的電流消耗。J101 隔離塊具有包括 3 V 電源跳線 3V3 在內(nèi)的七根跳線。移除跳線 3V3,即可通過這兩個引腳測量應(yīng)用的電流。

該 LaunchPad 還支持 TI 的 EnergyTrace? 技術(shù),可以連接計算機使用 Texas Instruments 的 EnergyTrace 圖形用戶界面 (GUI),使開發(fā) 人員能夠?qū)崟r觀測 MSP430 微控制器和應(yīng)用的功耗數(shù)據(jù),從而微調(diào)應(yīng)用以實現(xiàn)最低功耗。

例如,實時電流監(jiān)控和記錄可以顯示 MSP430 微控制器的電流消耗偶爾出現(xiàn)激增。電流激增會降低電池質(zhì)量,縮短電池壽命。電流激增可能緣于片上外設(shè)的錯誤配置、外部電感或電容負載,甚至是由于固件試圖同時啟動所有功能。通過電流監(jiān)控和記錄,開發(fā)人員可以明確應(yīng)該如何調(diào)整固件,從而控制尖峰電流。

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