2011下半年各閃存廠商開始導(dǎo)入1X納米技術(shù)，并在第四季度量產(chǎn)，2012年市場(chǎng)產(chǎn)能將進(jìn)一步擴(kuò)大。預(yù)計(jì)SSD將在2012邁向成長(zhǎng)期，下半年成本將達(dá)每單位GB 1美元水平，使其快速實(shí)現(xiàn)普及化。

2011年智能手機(jī)依然是市場(chǎng)最熱門消費(fèi)產(chǎn)品，另一個(gè)焦點(diǎn)是平板電腦，兩種消費(fèi)產(chǎn)品主要以內(nèi)嵌存儲(chǔ)為主，內(nèi)嵌容量較大，所以對(duì)NAND閃存產(chǎn)能消耗也比較大，一直未被關(guān)注的固態(tài)硬盤(SSD)在2011年年底需求開始升溫，或?qū)⒊蔀?012年殺手級(jí)NAND閃存應(yīng)用產(chǎn)品。

不過2011年閃存市場(chǎng)產(chǎn)品價(jià)格走勢(shì)似乎不太理想，產(chǎn)品價(jià)格一直呈下跌走勢(shì)，最大跌幅達(dá)48%。縱觀2011年價(jià)格走勢(shì)，市場(chǎng)需求在第一季度為淡季，價(jià)格成緩幅下跌走勢(shì)，3月受到日本大地震的影響，由于擔(dān)心市場(chǎng)供貨會(huì)出現(xiàn)大的缺口而導(dǎo)致供貨吃緊，因此在恐慌心理影響下，價(jià)格出現(xiàn)飆漲，漲幅達(dá)16%。日本地震確實(shí)震撼了存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈，上游原材料廠嚴(yán)重受創(chuàng)，東芝就曾通知下游客戶其5、6月的NAND閃存芯片供給量將大幅減少50%。盡管如此，閃存價(jià)格在5月卻是跌幅最大，達(dá)14.5%，其主要是受到手機(jī)需求疲軟的影響。2011年8月上旬世界大學(xué)生運(yùn)動(dòng)會(huì)在深圳舉行，使得當(dāng)?shù)?ldquo;山寨”市場(chǎng)受到嚴(yán)厲調(diào)查，導(dǎo)致5月以來深圳多家手機(jī)設(shè)計(jì)公司暫停營(yíng)業(yè)，整個(gè)山寨機(jī)供應(yīng)鏈?zhǔn)艿较喈?dāng)大的沖擊，市場(chǎng)需求大幅降溫。

商機(jī)與危機(jī)并存，在2011年年底泰國(guó)的意外水災(zāi)讓SSD成為焦點(diǎn)，NAND閃存價(jià)格的下跌讓SSD需求開始升溫，成為了2012年市場(chǎng)新的應(yīng)用產(chǎn)品。SSD將是2012年各廠重點(diǎn)布局對(duì)象，并將為存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)帶來另一個(gè)春天。

2011年閃存市場(chǎng)主要廠商動(dòng)向

目前NAND閃存上游廠商依然是四大陣營(yíng)對(duì)壘，依次是三星、東芝/SanDisk、美光/英特爾、海力士。對(duì)于2011年存儲(chǔ)市場(chǎng)，NAND閃存原廠都持樂觀態(tài)度，在2011年里大手筆投資擴(kuò)產(chǎn)，對(duì)于制程技術(shù)也是精益求精，納米制程技術(shù)從年初剛進(jìn)入的2X等級(jí)到2011年年底開始轉(zhuǎn)進(jìn)1X技術(shù)，2011是制程轉(zhuǎn)進(jìn)最快的一年。

三星：在年初三星便表示2011年將執(zhí)行大規(guī)模資本支出，資本支出規(guī)模約23兆韓元(約206.54億美元)，較2010年增加6.5%，大規(guī)模的支出旨在抓住智能手機(jī)和平板電腦快速發(fā)展的機(jī)遇。位于京畿道華城的16 NAND閃存生產(chǎn)線從2011年9月已經(jīng)開始投入量產(chǎn)，初期生產(chǎn)規(guī)模約為每月2萬片12英寸晶圓，未來計(jì)劃將該生產(chǎn)線產(chǎn)能提升至每月20萬片以上。此外，三星于2011年年底表示，公司還計(jì)劃在中國(guó)設(shè)廠，從2013年開始生產(chǎn)NAND閃存芯片，投資規(guī)模高達(dá)40億美元。

2011年里三星主要是以27納米制程為主，但制程轉(zhuǎn)進(jìn)速度也非?？欤侥甑妆銓?dǎo)入了1X納米，該公司7月量產(chǎn)基于20納米的32GB Micro SD，并將在2012年上半年開始1X納米級(jí)NAND閃存量產(chǎn)，制造高容量64GB的Micro SD卡。

東芝/SanDisk：東芝在2011年主要以24納米制程為主，取代了32納米制程技術(shù)。在年初美國(guó)消費(fèi)電子展(CES)中展示了新一代24納米NAND閃存制程技術(shù)，4月發(fā)布基于24納米工藝的“SmartNAND”系列產(chǎn)品，并在第二季度量產(chǎn)。不久之后又推出了采用19納米制程技術(shù)的64Gb 2bps(X2)NAND閃存，2011年下半年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

東芝與SanDisk合資的12英寸Fab5廠于2011年8月開始出貨，預(yù)計(jì)產(chǎn)能將可以提升到20萬片，同時(shí)在2012年采用更先進(jìn)的19納米制程。

美光/英特爾：美光在2011年主要以25納米制程為主，年初便以25納米NAND閃存技術(shù)推出“RealSSD C400”固態(tài)硬盤，并迅速量產(chǎn)。與此同時(shí)，20納米制程8GB NAND閃存開始送樣，并在下半年進(jìn)入量產(chǎn)期。此外2011年12月投產(chǎn)20納米制程技術(shù)的16GB容量的NAND Flash芯片樣品，最高容量可提升到128GB。

美光與英特爾共同投資新加坡12英寸晶圓廠，以25納米制程切入生產(chǎn)，取代34納米，早期預(yù)估月產(chǎn)能約10萬片。

海力士：相對(duì)于其他NAND閃存原廠而言，海力士的制程相對(duì)落后，2011年主要制程為26納米技術(shù)，取代32納米制程。該公司在年初也曾表示將在2011年投資3.4兆韓元(約30.3億美元)進(jìn)行廠房以及設(shè)備升級(jí)，金額約與2010年相近，在忠清北道清州廠增建NAND閃存專用廠M11，大部分為26納米制程設(shè)備，為了強(qiáng)化NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)力，海力士在2011年下半年也開始投入量產(chǎn)20納米制程N(yùn)AND閃存。

海力士在“2011 Symposium on VLSI Technology”上發(fā)表了20納米工藝的64Gbit MLC NAND閃存，并稱這是業(yè)內(nèi)首次以20納米工藝實(shí)現(xiàn)大容量多值NAND閃存，然而未有更多的消息傳出。

市場(chǎng)變化趨勢(shì)

隨著智能手機(jī)的崛起，輕薄型電子產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)，為了令產(chǎn)品具薄型化設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，筆記本電腦開始舍棄光驅(qū)。這樣的設(shè)計(jì)雖可讓產(chǎn)品顯得更薄，但傳統(tǒng)硬盤仍然限制了體積的進(jìn)一步縮小，因此必須采用更趨薄化的硬盤設(shè)計(jì)或是直接換用SSD解決方案，以達(dá)到產(chǎn)品更為輕薄的目的。

蘋果iPad帶來的超薄型風(fēng)潮，使得平板電腦成為了2011年新的亮點(diǎn)。市場(chǎng)具有代表性的MacBook Air、超極本(Ultrabook)將引領(lǐng)輕薄型電腦的市場(chǎng)熱潮，顯然，這些產(chǎn)品對(duì)SSD的采用將是必然的。

據(jù)估計(jì)，2011年超極本的出貨占比還不高，僅個(gè)位數(shù)約2.4%左右，而2012年出貨量可能提升到2,500萬臺(tái)，將市占率拉升至10.4%；到了2013年，預(yù)計(jì)出貨量可能達(dá)到4,300萬臺(tái)左右。超極本初期會(huì)先采用HDD或者是HDD加上SSD的模式，這也是過渡性的產(chǎn)品，未來一定會(huì)走向純SSD。在SSD容量配備上，現(xiàn)在內(nèi)建的SSD容量也不用256GB等高容量，可以從小容量32GB或64GB開始，降低產(chǎn)品成本刺激消費(fèi)需求，等SSD每GB成本能降到1美元以內(nèi)再提升SSD容量。

另外隨著人們需求的提升，產(chǎn)品存儲(chǔ)容量也開始提高。從閃存市場(chǎng)報(bào)價(jià)可以看出，Micro SD從2011年下半年開始高容量產(chǎn)品價(jià)格一直呈直線下滑，以4GB和8GB容量產(chǎn)品價(jià)格為例，Micro SD 4GB上半年由年初的27.2元下跌至23.5元人民幣，下跌幅度大約在13.6%，下跌幅度一般；2011年下半年則由23.5元下跌至17.5元人民幣，下跌幅度大約25.5%，下半年下跌幅度大約是上半年的2倍；全年下跌幅度達(dá)35.6%，8GB價(jià)格全年下滑53.6%。高容量產(chǎn)品價(jià)格在2011年下跌幅度較深，使得市場(chǎng)對(duì)于容量熱忱度開始由原來的1GB、2GB需求轉(zhuǎn)向4GB、8GB，市場(chǎng)上產(chǎn)品配備的存儲(chǔ)器也開始轉(zhuǎn)向高容量。

對(duì)于內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器，最新的市場(chǎng)產(chǎn)品應(yīng)用便是eMMC。高端智能手機(jī)使用eMMC的容量至少在8GB以上，16GB、32GB也成為一般智能手機(jī)主流配備標(biāo)準(zhǔn)。輕薄型電腦內(nèi)嵌存儲(chǔ)的SSD容量初期從32GB起，以刺激市場(chǎng)需求，等NAND閃存價(jià)格進(jìn)一步下跌，其容量配備將達(dá)256GB或512GB甚至更高。高容量需求在NAND閃存價(jià)格下跌的推動(dòng)下將成為標(biāo)準(zhǔn)配置，使高標(biāo)配形式逐漸普及化。

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