按照我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃看，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，而紫光占據(jù)了這股發(fā)展力量的主力，去年7月，他們參與了長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司的投資，這是個(gè)總投資1600億元的國(guó)家存儲(chǔ)器項(xiàng)目，主攻3D NAND(2018年將啟動(dòng)第二期建設(shè)，規(guī)劃是上DRAM內(nèi)存芯片，2019年啟動(dòng)第三期建設(shè)，主要目標(biāo)是代工服務(wù))。

有報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧透露，他們與與微電子所三維存儲(chǔ)器研發(fā)中心聯(lián)合開(kāi)發(fā)的32層3D NAND芯片，已經(jīng)順利通過(guò)電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測(cè)試，達(dá)到預(yù)期要求。

對(duì)于這樣的成績(jī)楊士寧強(qiáng)調(diào)，一直以來(lái)我國(guó)在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域長(zhǎng)期面臨市場(chǎng)需求大而自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和關(guān)鍵技術(shù)缺乏的困境，現(xiàn)在長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功實(shí)現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計(jì)的整套技術(shù)驗(yàn)證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有標(biāo)志性意義的關(guān)鍵一步。

據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)三維存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)進(jìn)行建模，采用根據(jù)層數(shù)可調(diào)制的編程、讀取電壓配置，補(bǔ)償了器件特性隨陣列物理結(jié)構(gòu)的分布差異，降低了單元串?dāng)_影響，保證了芯片達(dá)到產(chǎn)品級(jí)的功能和性能指標(biāo)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快2017年底正式推出3D NAND閃存，32層堆棧結(jié)構(gòu)，也就是說(shuō)我們今年有可能看到真正國(guó)產(chǎn)的閃存芯片了。

從自身實(shí)力來(lái)看，國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存32層堆棧的起點(diǎn)已經(jīng)相當(dāng)可以了，三星、Hynix、東芝、美光等公司第一代3D閃存也不過(guò)是24層堆棧，不過(guò)現(xiàn)在看32層堆棧的還算是主流，但想想身后的48層、64層堆棧的3D閃存，所以加快技術(shù)儲(chǔ)備推進(jìn)研發(fā)才是最應(yīng)該堅(jiān)持不懈的。