今年的GaN(氮化鎵)器件市場異常活躍，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場。

圖1 GaN晶圓

GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟，并且還抓住了有線電視、移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施的部分市場。雖然LDMOS(橫向擴(kuò)散MOS晶體管)目前仍占據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)市場的絕大部分份額，但這種情況可能很快就會改變，因?yàn)镚aN性能與LDMOS基本相當(dāng)甚至更勝一籌。也許LDMOS現(xiàn)在的唯一優(yōu)勢就是價(jià)格了，但這一優(yōu)勢也逐漸不保：Qorvo公司最近宣布將重心轉(zhuǎn)移到6英寸SiC(碳化硅)基GaN上;MACOM公司也宣布將嘗試在成本較低的CMOS(Complementary Metal Oxide Silicon 互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體)生產(chǎn)線上生產(chǎn)8英寸Si(硅)基GaN。這些舉動(dòng)都有利于提高GaN的成本競爭優(yōu)勢。

此外，GaN在高功率應(yīng)用市場上還在挑戰(zhàn)GaAs(砷化鎵)的地位，并且在大部分面向未來的軍事應(yīng)用中已經(jīng)取代了GaAs，這些軍事應(yīng)用最重要的性能指標(biāo)就是功率。

一、市場機(jī)遇

GaN現(xiàn)在和GaAs器件的發(fā)展類似，期望GaN的市場能夠成熟起來，讓其可做的器件變得多起來，特別是在高功率市場方面。隨著技術(shù)的更新?lián)Q代和成本的降低，預(yù)測GaN將會為功率放大器提供最好的價(jià)值功能，找到最優(yōu)的平衡?，F(xiàn)在在軍民融合的大潮下，性能的要求更加凸顯：

發(fā)射功率

效率

線性度

頻率

帶寬

工作溫度

……

GaN在這些性能上表現(xiàn)得比GaAs和Si更好。例如，在軍事器件中，GaN改善了尺寸、重量和功率(SWaP)，并且將繼續(xù)融入這些系統(tǒng)中。

多數(shù)GaN供應(yīng)商將基站和衛(wèi)星市場視為短期內(nèi)的主要的增長方向。至于毫米波，5G也是一個(gè)巨大的機(jī)遇，目前GaN在寬頻帶、高頻器件上表現(xiàn)良好。在射頻能源市場GaN也適應(yīng)得較好，制造廠商關(guān)注的航天以及防務(wù)市場在快速增長，這包括寬禁帶，高功率放大器電子戰(zhàn)、相控陣?yán)走_(dá)和廣泛的毫米波應(yīng)用。

二、代工廠情況

北美有多家GaN的代工廠(包括在加拿大的一家)，歐洲有兩家，還有被稱作是最大的不受管制類化合物半導(dǎo)體制造廠家：臺灣的穩(wěn)懋半導(dǎo)體(WIN Semiconductors)。盡管日本的射頻GaN市場份額占有率高，我們也沒發(fā)現(xiàn)有任何日本的公司提供代工服務(wù)，其中包括最大的GaN制造廠商之一的住友商事(Sumitomo)。

中國成都的海威華芯(HiWafer)半導(dǎo)體公司和廈門的三安集成電路公司(San’an Integrated Circuit)提供化合物半導(dǎo)體的代工服務(wù)，而且這兩家公司都對外宣布說他們的6英寸GaN生產(chǎn)線已投產(chǎn)或正在建設(shè)。

圖2 三安光電

圖3 海威華芯LOGO

在美國，多數(shù)顧客選擇Wolfspeed(Cree 旗下公司，被德國英飛凌公司收購)，然而很多歐洲的企業(yè)，特別是在做航空和防務(wù)領(lǐng)域的企業(yè)，通常都會選擇UMS(United Monolithic Semiconductors)公司或者OMMIC公司。

有幾家公司跟這些代工廠存在戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，說白了就是將渠道獨(dú)享，不分享給其他的公司。舉個(gè)例子來說，GCS公司其總部在加利福尼亞州的托倫斯，但這家公司拒不提供關(guān)于我們做的這項(xiàng)調(diào)查的任何信息，這就是典型的受ITAR(國際武器貿(mào)易條例)控制的公司，也就是說，他們確實(shí)為一些公司提供射頻GaN的制造服務(wù)。還有多家受管制類射頻GaN制造商，像雷聲(Raytheon)，MACOM和Qorvo。

對應(yīng)的還有一些相對獨(dú)立的制造商：RFMD和TriQuint提供GaN制造代工服務(wù)，不過自從他們合并成為了Qorvo，從反饋的結(jié)果來看，他們僅僅為一些“戰(zhàn)略上”的顧客服務(wù)。

三、襯底相關(guān)信息

多數(shù)射頻GaN器件的襯底都是SiC，因?yàn)镾iC和GaN的晶格匹配度非常不錯(cuò)，而且SiC還有GaN需要的高熱導(dǎo)率的性能。

因?yàn)镚aN器件相對于其他的一些器件來說，其功率密度很高。要把產(chǎn)生的熱量快速導(dǎo)出不是一件容易的事情，所以襯底和外面封裝的材料同樣至關(guān)重要。但MACOM公司決定逆潮流而上，他們對抗國際整流器公司(該公司同樣被德國英飛凌公司收購)的原始專利，這一專利就是Si襯底上生長GaN(MACOM收購了Nitronex，從Nitronex那兒得到的)。Si襯底，有更低的價(jià)格，但同時(shí)熱導(dǎo)率也比SiC低。不過，MACOM公司有解決方法：其公布了一組數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)顯示如果設(shè)計(jì)恰當(dāng)，在應(yīng)用上，Si基GaN的性能是可以和SiC基GaN性能一樣可靠的。

Si基GaN擁有的優(yōu)勢在于：可以在標(biāo)準(zhǔn)工藝上處理更大的晶圓，并且其CMOS生產(chǎn)線成本低廉。不過MACOM公司并不提供代工服務(wù)，他們與GCS公司合作生產(chǎn)Si基GaN器件，但這一工藝并不開放給其他公司。

另一家公司，OMMIC公司是我們發(fā)現(xiàn)的除MACON公司外也能夠生產(chǎn)Si基GaN的公司，但我們并沒有發(fā)現(xiàn)OMMIC公司提供類似代工廠的Si基GaN生產(chǎn)服務(wù)。

所有的相關(guān)制造廠商都在關(guān)注3、4英寸的GaN晶圓，但隨著需求的不斷提升，也有很多打算將重心轉(zhuǎn)移到6英寸的GaN晶圓生產(chǎn)上。一些公司已經(jīng)宣布會在接下來的一到兩年內(nèi)，計(jì)劃轉(zhuǎn)到6英寸生產(chǎn)上。這是因?yàn)檗D(zhuǎn)到6英寸上利用率會更高，成本會稍降。舉個(gè)例子：據(jù)BAE系統(tǒng)公司估計(jì)，若從4英寸晶圓生產(chǎn)轉(zhuǎn)到6英寸晶圓生產(chǎn)(見圖一)，每平方毫米成本將會從3美元降到1.5美元。這是因?yàn)槠淇捎妹娣e會增加一倍。

圖4 六英寸Si基GaN

圖5 OMMIC公司6英寸晶圓

四、制造工藝概覽

總體上，大部分制造廠商提供2到3個(gè)標(biāo)準(zhǔn)工藝：

0.5微米，高偏置(40到50V)，主要瞄準(zhǔn)高功率、頻率低于約8GHz的器件;

0.25微米，中偏置(28到30V)，主要瞄準(zhǔn)更高頻率(大概達(dá)到18GHz)的器件;

更小的柵長(大概0.15微米)，主要瞄準(zhǔn)毫米波器件(頻率達(dá)到100GHz);

表一 七家公司提供的RF射頻制造工藝的完整列表

五、可靠性測試

圖6 晶圓目檢工序

1. BAE系統(tǒng)公司其可靠性測試比較嚴(yán)格，軍用GaN單片微波集成電路(MMIC)均強(qiáng)制性實(shí)施了可靠性評價(jià)。所有工藝流程均被測試，來滿足苛刻的要求。而且其測試是在不同工作溫度下進(jìn)行的，其激活能的估計(jì)和平均無故障時(shí)間的計(jì)算都是在實(shí)際工作的溫度下進(jìn)行計(jì)算的。0.18μmNFP工藝測試數(shù)據(jù)：MTTF(平均無故障工作時(shí)間)：107小時(shí)(200℃、30V)。

2. Fraunhofer公司的測試：對GaN50、GaN25工藝采取直流、高溫反偏(high temperature reverse bias HTRB)和在2、10GHz工作下的測試。對GaN10工藝只測試了10GHz工作模式。

3. NRC報(bào)道稱GaN150的可靠性測試還在進(jìn)展中。GaN800工藝過程的MTTF：2.5×107小時(shí)(200℃)。

4. OMMIC的測試：外殼80℃、直流電下工作2000小時(shí)無明顯變化，其源漏電壓12V，電流200mA/mm，和在200℃下工作的結(jié)果相同。其他的可靠性測試還在進(jìn)行中。

5. UMS進(jìn)行測試的科目有：存儲、高溫反向偏壓、高溫壽命和直流壽命，以及射頻遞進(jìn)應(yīng)力和射頻壽命測試。以上的測試確保產(chǎn)品能夠達(dá)到200℃下至少工作20年。這類質(zhì)量鑒定測試是在單位基元上進(jìn)行測試的，特別是那些有分離器件和有更大柵長的MMIC上。

6. 穩(wěn)懋半導(dǎo)體則為客戶提供了全套的測試鑒定報(bào)告，包括四個(gè)溫度的平均無故障工作時(shí)間結(jié)果。

7. Wolfspeed已經(jīng)完成了超過1000億小時(shí)的外場工作測試，在測試時(shí)間內(nèi)，其FIT(Failure in time 工作時(shí)間失效率)失效率低于每十億器件小時(shí)5個(gè)失效(包括分立GaN晶體管和集成電路)。這一公司在近期宣布，他們的GaN射頻功率晶體管通過了NASA的衛(wèi)星和太空系統(tǒng)可靠性標(biāo)準(zhǔn)。其器件還符合NASA的EEE-INST-0021級可靠性測試。

六、GaN未來發(fā)展

圖7 GaN的未來

GaN的主要競爭對手是在射頻領(lǐng)域的LDMOS，在高頻領(lǐng)域是GaAs。LDMOS依然主宰著高功率器件市場。目前GaN不會完全的取代任何一項(xiàng)技術(shù)，但它也會繼續(xù)的滲透進(jìn)這些市場，使自己更具價(jià)格競爭力。LDMOS每年也會進(jìn)一步研發(fā)提高性能，所以這些市場上兩者將會繼續(xù)競爭下去，在未來，GaN必將出現(xiàn)亮眼的表現(xiàn)。

BAE系統(tǒng)公司認(rèn)為在一段很長的時(shí)間內(nèi)，GaN的微波應(yīng)用將持續(xù)繁榮。主要在高功率領(lǐng)域，頻率從1到100GHz。盡管如此，GaN也不會完全的替代GaAs和Si，畢竟GaAs和Si都有獨(dú)特的性能，而且其相關(guān)的經(jīng)濟(jì)體也會確保這些材料的持續(xù)生存。GaN的爆發(fā)是要在其高產(chǎn)技術(shù)成熟而且晶圓尺寸擴(kuò)大，成本降低的時(shí)候?，F(xiàn)在來看，GaN顯然是一個(gè)市場的顛覆性技術(shù)，至少在下個(gè)十年內(nèi)，沒有什么半導(dǎo)體技術(shù)能夠撼動(dòng)它的地位。

期待GaN后續(xù)的技術(shù)發(fā)展，像節(jié)約成本的Si基GaN、增強(qiáng)熱導(dǎo)性能的金剛石基GaN。GaN也將會更廣泛的應(yīng)用，不僅僅在功率放大器上，還要應(yīng)用到其它像是低噪聲放大器啦，開關(guān)啦，還有多功能集成電路啦等等。GaN十分適合應(yīng)用在低噪聲放大器/限幅器上，因?yàn)樗Y(jié)合了低噪特性和高擊穿電壓，后者對限幅比較有利。

未來器件的戰(zhàn)爭將會在GaN/SiC或者是GaN/Si之間打響。工業(yè)上會有哪項(xiàng)技術(shù)出局么?

Si基GaN有著低成本的良好前景——提供了更大的晶圓直徑和更低成本襯底以及加工成本。如果表現(xiàn)出的特性非常接近GaN/SiC的表現(xiàn)，那么，硅基氮化鎵成本優(yōu)勢將會變成SiC基氮化鎵制造的首要難題。

但從另一方面來說，SiC擁有導(dǎo)熱性能是一些器件所需要的，也會為這兩種技術(shù)繼續(xù)存活留下空間。