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詳細(xì)講解MOS管驅(qū)動(dòng)電路

詳細(xì)講解MOS管驅(qū)動(dòng)電路

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2017-07-06

mos 驅(qū)動(dòng)電路
十億美元模擬IC企業(yè)何時(shí)在中國(guó)誕生？

過(guò)去幾十年中，歐美市場(chǎng)培育出多家大型模擬IC企業(yè)。在中國(guó)市場(chǎng)，經(jīng)歷了過(guò)去10年的發(fā)展，一些創(chuàng)建于中國(guó)本地或?qū)⒅饕\(yùn)營(yíng)放在中國(guó)的模擬IC企業(yè)年銷售額已超過(guò)1億美元。在未來(lái)五六年后，中國(guó)市場(chǎng)是否能培育起中等規(guī)模模

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2010-07-21

集成電路產(chǎn)業(yè) BSP PS 模擬IC
功率電感器: 采用貼片式設(shè)計(jì)，電流處理能力更強(qiáng)

21ic訊 TDK株式會(huì)社近期推出了最新的EPCOS(愛普科斯) B82476B1*M100系列的SMT功率電感器，其電流處理能力比舊型號(hào)提高10%。改進(jìn)后的產(chǎn)品性能更加可靠，額定電流為0.33 A至7.5 A，電感范圍為1.0 µH至1000 &mi

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2013-08-30

電流電感器功率電感貼片式
基于AD9851的正弦信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)

1 引言直接數(shù)字頻率合成DDS(Direct Digital Syndaesis)是實(shí)現(xiàn)數(shù)字化的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，廣泛應(yīng)用于電信與電子儀器領(lǐng)域DDS通常是在CPLD或FPGA內(nèi)設(shè)置邏輯電路實(shí)現(xiàn)的，但由于DDS輸出受到D／A轉(zhuǎn)換器的速率及D／A轉(zhuǎn)換后

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2009-08-31

相位正弦信號(hào)發(fā)生器 BSP AD9851
2011年全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽（上海賽區(qū)TI杯）勝利開賽

21ic訊 2011年8月31日上午8:00整，2011年全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽（上海賽區(qū)TI杯）在上海各參賽學(xué)校正式拉開帷幕。今年上海賽區(qū)的比賽由上海市教委主辦，上海交通大學(xué)承辦，并繼續(xù)由全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司德州儀器（TI

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2011-09-01

半導(dǎo)體模擬技術(shù) 全國(guó)大學(xué)生電子設(shè)計(jì)競(jìng)賽
A/D轉(zhuǎn)換器ADS8320的原理與應(yīng)用

ADS9320 是美國(guó)Burr-Brown公司生產(chǎn)的串行16位微功耗高速A/D轉(zhuǎn)換器。它的采樣頻率最高可達(dá)100kHz，線性度為±0.05%，工作在 2.7～5.25V電源電壓范圍內(nèi)，非常適合于便攜式電池供電系統(tǒng)的使用，文中介紹了ADS8320的功能特點(diǎn)、引腳排列及工作時(shí)序，并給出了 ADS8320與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)和編程。

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2009-09-01

CK DC A/D轉(zhuǎn)換器 ADS8320
一些硬件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)總結(jié)

1：什么是二極管的正偏?在p節(jié)加正電壓，而n節(jié)加負(fù)電壓。即為正偏。正偏是擴(kuò)散電流大大增加，反偏使漂移電流增加。但是漂移電流是由于少子移動(dòng)形成的，所以有反向飽和電流!2：一般低頻信號(hào)，電阻線的粗細(xì)是為了流多少

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2018-05-02

模擬電路
如何看懂脈沖電路

脈沖電路是專門用來(lái)產(chǎn)生電脈沖和對(duì)電脈沖進(jìn)行放大、變換和整形的電路。家用電器中的定時(shí)器、報(bào)警器、電子開關(guān)、電子鐘表、電子玩具以及電子醫(yī)療器具等，都要用到脈沖電路。在電子電路中，電源、放大、振蕩和調(diào)制電路

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2010-06-03

晶體管多諧振蕩器脈沖電路 RC
如何區(qū)別放大器及比較器

運(yùn)放和比較器的區(qū)別:比較器和運(yùn)放雖然在電路圖上符號(hào)相同，但這兩種器件確有非常大的區(qū)別，一般不可以互換，區(qū)別如下:1、比較器的翻轉(zhuǎn)速度快，大約在ns 數(shù)量級(jí)，而運(yùn)放翻轉(zhuǎn)速度一般為us 數(shù)量級(jí)(特殊的高速運(yùn)放除外)。

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2014-01-03

相位放大器電平比較器
電壓比較器

•電壓比較器將一個(gè)模擬量輸入電壓與一個(gè)參考電壓進(jìn)行比較，輸出只有兩種可能的狀態(tài)：高電平或低電平。•　電壓比較器是模擬電路和數(shù)字電路的接口;比較器中的集成運(yùn)放一般工作在非線性區(qū);•比較器中的集

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2013-01-28

電平集成運(yùn)放電壓比較器 UI
理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并更加深入理解MOSFET。

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2009-10-22

開關(guān)損耗 RS 功率MOSFET ZVS
濾波電容容值與所濾噪聲頻率的關(guān)系

去耦電容的選擇不存在與頻率的精確對(duì)應(yīng)關(guān)系，理論上越大越好，但現(xiàn)實(shí)中所有器件都不是理想器件，不論何種電容，ESL、ESR都是必然存在的，于是實(shí)際電容的頻響曲線明顯呈非線性，僅在一定頻率區(qū)間內(nèi)基本符合純電容的理

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2013-12-05

噪聲濾波電容去耦電容聲頻
MOS/CMOS集成電路簡(jiǎn)介及N溝道MOS管和P溝道MOS管

MOS/CMOS集成電路MOS集成電路特點(diǎn)：制造工藝比較簡(jiǎn)單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡(jiǎn)單，集成度高、抗干擾能力強(qiáng)，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電

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2013-04-26

電路簡(jiǎn)介 MOS管 MDASH CMOS集成電路
臺(tái)灣交大電晶體科技打敗麻省理工學(xué)院奪得世界第一

臺(tái)灣之光再添一件!交通大學(xué)研發(fā)的電晶體科技打敗麻省理工學(xué)院，搶下世界第一。交通大學(xué)研發(fā)長(zhǎng)張翼博士所領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)研發(fā)出了一項(xiàng)只有40奈米線寬、但頻率卻有710GHz的最新技術(shù)，世界著名半導(dǎo)體期刊《AppliedPhysicsExp

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2013-04-17

麻省理工學(xué)院電晶體 HZ APPLIED
采用6n8P+EL156自制的電子管功放電路

下圖是采用6n8P+EL156構(gòu)成的功率放大器電路原理，筆者這臺(tái)機(jī)器的所有參數(shù)都標(biāo)注在圖上，包括各點(diǎn)實(shí)測(cè)電壓等等，基本是按照廠家推薦的單端甲類功放數(shù)據(jù)制作的。本機(jī)線路簡(jiǎn)潔，愛好者只要按圖焊接無(wú)誤就可基本達(dá)到

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2010-04-22

聲道功放電路電子管功放 BSP