雙電層電容器(EDLC)——通常被稱(chēng)為“超級(jí)電容器”，有時(shí)也被稱(chēng)為“超級(jí)電容器”——是一種了不起的無(wú)源儲(chǔ)能元件。由于其多法拉的高電容和小尺寸，它提供了體積和重量的高密度能量存儲(chǔ)。在一些遙感、物聯(lián)網(wǎng)和能量收集應(yīng)用中，超級(jí)電容器是可充電電池的替代品;在其他情況下，它們與電池一起使用，以克服那些基于電化學(xué)的能量存儲(chǔ)組件的一些弱點(diǎn)。并不是說(shuō)一個(gè)天生就比另一個(gè)好。
ESD 已經(jīng)存在了很長(zhǎng)時(shí)間——可能是在大爆炸之后不久。在人類(lèi)存在的大部分時(shí)間里，它都是通過(guò)宏觀效應(yīng)而聞名的，比如靜態(tài)附著和與金屬物體的輕微接觸。然而，自從半導(dǎo)體問(wèn)世以來(lái)，保護(hù)電子設(shè)備免受 ESD 損壞一直是制造商的主要目標(biāo)。不這樣做可能會(huì)造成災(zāi)難性的后果。
添加組件以提供針對(duì)內(nèi)部和外部事故的電路保護(hù)是那些吃力不討好的設(shè)計(jì)工作之一，類(lèi)似于購(gòu)買(mǎi)保險(xiǎn)。當(dāng)它不需要時(shí)，它似乎是一個(gè)額外的負(fù)擔(dān);當(dāng)你確實(shí)需要它時(shí)，很難知道它是否足夠。盡管遵循監(jiān)管要求和最佳實(shí)踐是一個(gè)不錯(cuò)的起點(diǎn)。需要保護(hù)的最常見(jiàn)故障類(lèi)別包括由內(nèi)部或外部短路、浪涌和組件故障引起的過(guò)壓事件。
兩種新的參考設(shè)計(jì)旨在分別簡(jiǎn)化用于壓縮機(jī)的工業(yè)和家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)，同時(shí)附帶可生產(chǎn)的 PCB 和電機(jī)控制固件?？缮a(chǎn)的電路板設(shè)計(jì)尺寸為 11.2 cm x 7.5 cm，可節(jié)省大量開(kāi)發(fā)時(shí)間，并幫助工程師繞過(guò)復(fù)雜的布局和信號(hào)路由挑戰(zhàn)。
碳化硅 (SiC) 因其更高的開(kāi)關(guān)頻率和更高的結(jié)溫而被稱(chēng)為汽車(chē)行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外，在過(guò)去五年中，汽車(chē)行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗(yàn)場(chǎng)。事實(shí)證明，通過(guò) SiC 轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn) DC 到 AC 的基本轉(zhuǎn)換比硅 (Si) 轉(zhuǎn)換器更小、更輕且更高效，因此寬帶隙器件在汽車(chē)行業(yè)的潛力將顯著增長(zhǎng)。
Khan 表示，鉆石很可能在軍事和航空航天的半導(dǎo)體應(yīng)用中取代一些特殊材料，例如碳化硅和氮化鎵。他說(shuō)，在高溫、大功率環(huán)境中運(yùn)行是擴(kuò)展硅性能的新材料的基本要求。Khan 還看到了金剛石 CMOS 在更大的汽車(chē)領(lǐng)域的新應(yīng)用，其自身需要在高溫、高功率應(yīng)用中運(yùn)行。
在減少航空航天系統(tǒng)排放的競(jìng)賽中，設(shè)計(jì)人員越來(lái)越多地轉(zhuǎn)向控制系統(tǒng)中更高效的電子設(shè)備，包括那些取代氣動(dòng)和液壓系統(tǒng)的電子設(shè)備——從機(jī)載交流發(fā)電機(jī)到執(zhí)行器和輔助動(dòng)力裝置。
Wise-integration是一家總部位于法國(guó)的初創(chuàng)公司，專(zhuān)注于設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的解決方案，該公司宣布已與 EDOM Technology 建立渠道合作伙伴關(guān)系，以在亞洲部署其 WiseGan GaN 組件組合。
IC 參考在電路設(shè)計(jì)人員中很受歡迎，因?yàn)樗鼈儨?zhǔn)確且漂移低。我未來(lái)的一些專(zhuān)欄將涵蓋三種類(lèi)型的 IC 參考：掩埋齊納二極管、帶隙和 XFET。我們使用齊納二極管開(kāi)發(fā)參考設(shè)計(jì)程序;齊納二極管的簡(jiǎn)單說(shuō)明了設(shè)計(jì)過(guò)程，它的問(wèn)題讓我們欣賞 IC 參考。
最近，我會(huì)見(jiàn)了 Transphorm 總裁兼聯(lián)合創(chuàng)始人 Primit Parikh。Parikh 強(qiáng)調(diào)，他們的 GaN on Silicon 解決方案是業(yè)內(nèi)唯一通過(guò) JEDEC 認(rèn)證的產(chǎn)品。
我們的項(xiàng)目無(wú)法承受電路設(shè)計(jì)中的噪聲，并且某些應(yīng)用(例如音頻)需要低噪聲性能。我們可以通過(guò)在電路板布局階段考慮噪聲來(lái)最小化外部噪聲。例如，我們必須使電源和接地阻抗足夠小，以最大限度地減少電流尖峰的影響。使用屏蔽互連和法拉第屏蔽、最小化噪聲源以及在 PC 板上大量使用良好的去耦電容器是消除外部噪聲的額外方法。
運(yùn)放作為模擬電路的主要器件之一，其供電方式分為單電源供電和雙電源供電兩種，這是由運(yùn)放的芯片結(jié)構(gòu)所決定的。
有問(wèn)題的逆變器用于為空氣制動(dòng)壓縮機(jī)供電。它大約有兩個(gè)大微波爐粘在一起的大小?？諝鈮嚎s機(jī)對(duì)于使用空氣制動(dòng)系統(tǒng)的地鐵車(chē)廂的正常運(yùn)行至關(guān)重要 [1]。在這個(gè)系統(tǒng)中，氣壓被用來(lái)控制火車(chē)上所有車(chē)廂的剎車(chē)。當(dāng)壓縮機(jī)逆變器發(fā)生故障時(shí)，壓縮機(jī)無(wú)法將空氣泵入制動(dòng)儲(chǔ)氣罐，整個(gè)列車(chē)必須停止使用進(jìn)行維修。
獲得ADC的最佳SNR性能并不僅僅是給ADC輸入提供低噪聲信號(hào)的問(wèn)題，提供一個(gè)低噪聲基準(zhǔn)電壓是同等重要。雖然基準(zhǔn)噪聲在零標(biāo)度沒(méi)有影響，但是在全標(biāo)度，基準(zhǔn)上的任何噪聲在輸出代碼中都將是可見(jiàn)的。
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