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開源時(shí)序分析工具OpenTimer優(yōu)化：O(n)復(fù)雜度路徑提取算法實(shí)現(xiàn)
隨著先進(jìn)制程下芯片規(guī)模突破百億門級(jí)，傳統(tǒng)時(shí)序分析工具在路徑提取階段面臨計(jì)算復(fù)雜度指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的問(wèn)題。本文針對(duì)開源時(shí)序分析工具OpenTimer提出一種基于拓?fù)浼糁εc動(dòng)態(tài)規(guī)劃的O(n)復(fù)雜度路徑提取算法，通過(guò)消除冗余計(jì)算、優(yōu)化數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)及并行化處理，使大規(guī)模電路的時(shí)序路徑提取效率提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。實(shí)驗(yàn)表明，在3nm工藝28億晶體管GPU設(shè)計(jì)中，該算法將關(guān)鍵路徑分析時(shí)間從12小時(shí)縮短至42分鐘，內(nèi)存占用降低65%，為開源EDA工具的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供了關(guān)鍵支撐。
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把兩個(gè)輸出電壓不同的穩(wěn)壓芯片的輸出腳接在一起會(huì)發(fā)生什么?
在電子電路設(shè)計(jì)與實(shí)踐中，穩(wěn)壓芯片是維持穩(wěn)定輸出電壓的關(guān)鍵組件。然而，當(dāng)我們將兩個(gè)輸出電壓不同的穩(wěn)壓芯片的輸出腳連接在一起時(shí)，會(huì)引發(fā)一系列復(fù)雜的物理現(xiàn)象和潛在風(fēng)險(xiǎn)。這一操作不僅違反了常規(guī)的電路設(shè)計(jì)原則，還可能對(duì)電路系統(tǒng)造成不可逆的損害。接下來(lái)，我們將從電路原理、實(shí)際影響等多個(gè)角度深入探討這一問(wèn)題。
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開關(guān)電源地彈抑制：分割地層與磁珠選型的量化評(píng)估準(zhǔn)則
在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，地彈噪聲（Ground Bounce）引發(fā)的邏輯誤觸發(fā)、信號(hào)完整性劣化及電磁輻射問(wèn)題已成為制約系統(tǒng)可靠性的核心瓶頸。某DC-DC轉(zhuǎn)換器在12V轉(zhuǎn)3.3V電路中，因布局不合理導(dǎo)致1%產(chǎn)品無(wú)法啟動(dòng)，經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)地彈噪聲使COMP引腳電壓跌破-0.5V閾值，觸發(fā)芯片保護(hù)模式。本文提出基于分割地層與磁珠選型的量化評(píng)估準(zhǔn)則，結(jié)合物理公式與仿真驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)地彈噪聲抑制30dB以上的效果。
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電力電子設(shè)備在轉(zhuǎn)換電能過(guò)程中的效率如何計(jì)算
電力電子效率?是指電力電子設(shè)備在轉(zhuǎn)換電能過(guò)程中的效率，通常定義為輸出功率與輸入功率的比值。
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如何調(diào)整音頻處理器延時(shí)？音頻處理器如何調(diào)試
本文中，小編將對(duì)音頻處理器予以介紹，如果你想對(duì)它的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)它的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
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這些嵌入式微處理器你都了解嗎？如何選擇嵌入式微處理器
在這篇文章中，小編將對(duì)嵌入式微處理器的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。
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航空航天PCB抗輻照設(shè)計(jì)：三防漆選型與單粒子效應(yīng)防護(hù)布局
航空航天領(lǐng)域?qū)﹄娮釉O(shè)備的可靠性要求極高，尤其是在復(fù)雜的太空環(huán)境中，PCB（印制電路板）面臨著輻射、極端溫度、濕度等多種惡劣因素的挑戰(zhàn)。輻射是其中最為關(guān)鍵的影響因素之一，它可能導(dǎo)致PCB上的電子元件性能下降甚至失效，嚴(yán)重影響航天器的正常運(yùn)行?？馆椪赵O(shè)計(jì)成為航空航天PCB設(shè)計(jì)的核心任務(wù)，其中三防漆選型與單粒子效應(yīng)防護(hù)布局是兩個(gè)至關(guān)重要的方面。
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超薄芯板（≤50μm）量產(chǎn)工藝：機(jī)械鉆孔微孔偏斜控制與無(wú)膠填孔技術(shù)
隨著電子設(shè)備向小型化、輕量化和高性能化方向發(fā)展，對(duì)印制電路板（PCB）的集成度和性能要求日益提高。超薄芯板（芯板厚度≤50μm）因其能夠顯著減小PCB的厚度、提高布線密度和信號(hào)傳輸速度，成為高端電子產(chǎn)品的關(guān)鍵材料。然而，超薄芯板的量產(chǎn)工藝面臨諸多挑戰(zhàn)，其中機(jī)械鉆孔微孔偏斜控制和無(wú)膠填孔技術(shù)是亟待解決的關(guān)鍵問(wèn)題。
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什么是系統(tǒng)級(jí)的片上系統(tǒng)
系統(tǒng)級(jí)芯片(System on Chip，簡(jiǎn)稱SoC)，也稱片上系統(tǒng)，意指它是一個(gè)產(chǎn)品，是一個(gè)有專用目標(biāo)的集成電路，其中包含完整系統(tǒng)并有嵌入軟件的全部?jī)?nèi)容。
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BMS AFE芯片技術(shù)的門檻有多高？
新能源技術(shù)在快速發(fā)展，而電池作為能量存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件，在電動(dòng)汽車(EV)、移動(dòng)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。
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量子計(jì)算控制板設(shè)計(jì)：超導(dǎo)芯片互連的低溫變形補(bǔ)償與微波串?dāng)_抑制
量子計(jì)算作為未來(lái)計(jì)算技術(shù)的關(guān)鍵發(fā)展方向，具有巨大的潛力。超導(dǎo)量子芯片是量子計(jì)算的核心硬件之一，而量子計(jì)算控制板則是實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)量子芯片精準(zhǔn)操控的關(guān)鍵。在超低溫環(huán)境下，超導(dǎo)芯片與控制板之間的互連面臨著低溫變形和微波串?dāng)_兩大挑戰(zhàn)。低溫變形可能導(dǎo)致互連結(jié)構(gòu)的物理特性發(fā)生變化，影響信號(hào)傳輸質(zhì)量；微波串?dāng)_則會(huì)干擾量子比特的精確控制，降低量子計(jì)算的準(zhǔn)確性。因此，研究超導(dǎo)芯片互連的低溫變形補(bǔ)償與微波串?dāng)_抑制技術(shù)對(duì)于量子計(jì)算控制板的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。
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深空探測(cè)器PCB抗輻照設(shè)計(jì)：屏蔽層拓?fù)鋬?yōu)化與單粒子效應(yīng)容錯(cuò)布局
深空探測(cè)任務(wù)是人類探索宇宙奧秘、拓展認(rèn)知邊界的重要途徑。然而，深空環(huán)境充滿了高能粒子輻射，如質(zhì)子、重離子等，這些輻射會(huì)對(duì)探測(cè)器中的電子系統(tǒng)，尤其是印刷電路板（PCB）造成嚴(yán)重影響。高能粒子可能引發(fā)單粒子效應(yīng)（SEE），導(dǎo)致電路邏輯錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)丟失甚至器件損壞。因此，開展深空探測(cè)器PCB抗輻照設(shè)計(jì)，通過(guò)屏蔽層拓?fù)鋬?yōu)化與單粒子效應(yīng)容錯(cuò)布局，對(duì)于保障探測(cè)器的可靠運(yùn)行至關(guān)重要。
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PCB數(shù)字孿生構(gòu)建：DFM規(guī)則引擎與實(shí)時(shí)生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法
在當(dāng)今電子產(chǎn)品向小型化、高性能化方向快速發(fā)展的背景下，印刷電路板（PCB）的設(shè)計(jì)與制造面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。PCB數(shù)字孿生技術(shù)作為一種新興的智能制造技術(shù)，通過(guò)構(gòu)建虛擬的PCB模型，實(shí)現(xiàn)對(duì)實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程的實(shí)時(shí)監(jiān)控、預(yù)測(cè)和優(yōu)化?？芍圃煨栽O(shè)計(jì)（DFM）規(guī)則引擎能夠根據(jù)PCB設(shè)計(jì)規(guī)范和制造工藝要求，對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行自動(dòng)檢查和優(yōu)化。而實(shí)時(shí)生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法則是將實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中的數(shù)據(jù)與數(shù)字孿生模型進(jìn)行關(guān)聯(lián)，使模型能夠準(zhǔn)確反映生產(chǎn)狀態(tài)。本文將深入探討PCB數(shù)字孿生構(gòu)建中DFM規(guī)則引擎與實(shí)時(shí)生產(chǎn)數(shù)據(jù)映射方法。
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電磁兼容正向設(shè)計(jì)：近場(chǎng)輻射頻譜與PCB布局參數(shù)的敏感性分析
在電子設(shè)備日益小型化、集成化的今天，電磁兼容（EMC）問(wèn)題愈發(fā)凸顯。電磁兼容正向設(shè)計(jì)旨在從產(chǎn)品設(shè)計(jì)初期就考慮電磁兼容性，通過(guò)合理的設(shè)計(jì)和優(yōu)化，減少電磁干擾（EMI）的產(chǎn)生和傳播，確保設(shè)備在復(fù)雜的電磁環(huán)境中能夠正常工作。近場(chǎng)輻射是電磁干擾的重要來(lái)源之一，而PCB（印制電路板）布局參數(shù)對(duì)近場(chǎng)輻射頻譜有著顯著的影響。本文將深入探討近場(chǎng)輻射頻譜與PCB布局參數(shù)的敏感性分析，為電磁兼容正向設(shè)計(jì)提供理論依據(jù)和實(shí)踐指導(dǎo)。
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112G+通道去嵌誤差抑制：多端口TRL校準(zhǔn)與頻變損耗補(bǔ)償模型
在高速數(shù)字通信領(lǐng)域，112G及以上速率的通道傳輸技術(shù)正逐漸成為主流。然而，隨著數(shù)據(jù)速率的提升，信號(hào)在傳輸過(guò)程中受到的干擾和損耗也愈發(fā)嚴(yán)重。通道去嵌誤差是影響高速信號(hào)完整性的關(guān)鍵因素之一，它會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真、眼圖惡化，進(jìn)而降低通信系統(tǒng)的性能。多端口TRL（Thru-Reflect-Line）校準(zhǔn)技術(shù)和頻變損耗補(bǔ)償模型為抑制112G+通道去嵌誤差提供了有效的解決方案。
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