21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，該公司將在日本三重的四日工廠中拓展其先進的5號半導體制造設施(以下簡稱“Fab 5”)，以確保采用下一代工藝技術制造的NAND閃存和未來的3D內(nèi)存擁有足夠的制造空間。Fab 5的第二期建設將于今年8月末開始，并于明年夏季完成。有關設備投資和生產(chǎn)的決策將反映市場趨勢。

四日工廠目前擁有三個批量生產(chǎn)NAND閃存的制造設施，包括Fab 5第一期。Fab 5的建設圍繞兩個期規(guī)劃，第一期已于2011年7月投入運營。經(jīng)過仔細考慮產(chǎn)品供求平衡，并注意到日益增長的智能手機、平板電腦、企業(yè)服務器固態(tài)硬盤和其他新應用的需求所推動的復蘇之后，東芝如今預計中長期市場將進一步拓展，并且意識到目前是拓展Fab 5的時候了。

除了確保采用該公司最新工藝技術制造的未來幾代NAND閃存的產(chǎn)能，東芝還將使用Fab 5第二期制造設施來生產(chǎn)預計在未來幾年應用范圍會不斷擴大的3D內(nèi)存。此次拓展將使該公司提高競爭力，并增強其對技術進步和市場需求的響應能力。

Fab 5第二期制造設施將擁有一套自動化產(chǎn)品運輸系統(tǒng)和吸震結構，并且采用了旨在使環(huán)境負載最小化的設計。LED照明和最新節(jié)能生產(chǎn)設施的部署，加上廢熱的全面高效使用，預計將使二氧化碳排放量較4號制造設施減少13%。

展望未來，東芝將通過及時的投資、先進工藝技術方面的領導力以及可以滿足市場需求的新一代內(nèi)存的開發(fā)來拓展其內(nèi)存業(yè)務和提高競爭力。