金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)領(lǐng)域的革新，多少彌補了這個成熟產(chǎn)品領(lǐng)域缺乏技術(shù)創(chuàng)新的現(xiàn)狀。這些革新有益于促使將分立功率半導(dǎo)體引入新應(yīng)用，并且探索新的終端用戶市場機會。

根據(jù)Frost & Sullivan日前發(fā)布的全球分立功率半導(dǎo)體市場調(diào)查，2005年該市場年收入為104.9億美元，預(yù)計2009年將發(fā)展到144.2億美元。Frost & Sullivan高級研究分析員Bonnie Varghese K表示，“汽車中電子產(chǎn)品逐漸增加，以及通信和電子玩具市場火爆都對分立功率半導(dǎo)體銷售帶來積極影響。行業(yè)經(jīng)歷了一次完整的復(fù)蘇過程，并且預(yù)計未來幾年增長還將持續(xù)。”

消費電子、通信技術(shù)和汽車市場銷售增長推動了分立功率半導(dǎo)體市場，尤其在亞洲市場，這些應(yīng)用貢獻了分立功率器件年銷售收入的一半以上。

盡管終端用戶市場出現(xiàn)增長，但半導(dǎo)體閘流管、整流器和雙極晶體管缺乏技術(shù)革新。由于沒有明顯的技術(shù)進步，產(chǎn)品無差別化導(dǎo)致部分制造商已開始放棄這些產(chǎn)品。另外，制造商為了增加銷售量壓低價格，經(jīng)常導(dǎo)致收入負增長或者零利潤。僅僅少量公司在整流器研發(fā)中進行投資，并且這些公司也沒有承諾長期投資開發(fā)。

Varghese解釋，“通用整流器市場急劇下滑，但肖特基整流器很有可能實現(xiàn)增長。盡管有將整流器功能集成到其他功率半導(dǎo)體的趨勢，但一些終端用戶聲稱這樣會對分立器件的效率帶來消極影響?！?

由于在制造過程和效率方面不斷改進，MOSFET和IGBT的性能已經(jīng)有了很大提高。通過減少漏源電阻(drain-source resistance)、提供低傳導(dǎo)損耗、更高功率級別、更快速轉(zhuǎn)換速度，更低轉(zhuǎn)換損耗和更小的封裝尺寸，應(yīng)用和設(shè)計人員不斷提高這些器件的性能表現(xiàn)。在低價格和附加功能幫助下，MOSFET和IGBT增加和保持了市場份額。