日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,對(duì)其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn),為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。
Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具,可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前,對(duì)器件進(jìn)行細(xì)致的熱仿真,從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具,使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。
設(shè)計(jì)者還可以定義其他散熱器件,并仿真這些元器件對(duì)MOSFET熱行為造成的影響。通過對(duì)器件進(jìn)行仿真,能夠保證針對(duì)應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)選出最佳的器件,消除熱性能實(shí)際測(cè)試中的不良后果。
ThermaSim可用于任何功率MOSFET,而且特別適用于大電流、高溫應(yīng)用,例如汽車、固定通信、桌面和筆記本電腦,以及工業(yè)系統(tǒng)。
Vishay在以下方面對(duì)ThermaSim進(jìn)行了改進(jìn):
改進(jìn)仿真精度:
• 器件焊盤/占位與元器件模型是分開的
• 更高的內(nèi)部/外部網(wǎng)格分辨率
• 新特性:
• 用戶可以定義和評(píng)估焊錫厚度的影響(從0.1mm規(guī)定厚度的100%到150%)
• 現(xiàn)在,用戶可以定義元器件和散熱片之間導(dǎo)熱膠的厚度
• 器件模型已經(jīng)考慮到器件和可用PCB板表面之間的氣隙
• 更多PCB、散熱片和導(dǎo)熱絕緣體材料
改進(jìn)仿真效率:
• 改進(jìn)網(wǎng)格生成方式
• 更小的pdf文檔
改進(jìn)用戶友好度:
• 提供多個(gè)可下載到用戶環(huán)境中進(jìn)行修改、保存和使用的完整示例
• 提供用戶提示
• 限制寄生參數(shù)范圍和防止錯(cuò)誤輸入
• 可選擇穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)或RC網(wǎng)絡(luò)仿真
• 更好的選擇/操作:
• 在PCB上不同位置的相同器件
• 從側(cè)視圖選擇/編輯內(nèi)部PCB層
• 從俯視圖中通過框選進(jìn)行選擇/編輯
• 選擇/編輯焊錫厚度
• 更好的文檔功能:
• 在運(yùn)行仿真前,提供整個(gè)仿真的可擴(kuò)展摘要樹
• 將文件名和定義的注釋文本區(qū)返回到仿真結(jié)果
增強(qiáng)版的ThermaSim現(xiàn)已上線,請(qǐng)?jiān)L問http://www.vishay.com/mosfets/thermasim,免費(fèi)使用。
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字: MOSFET 數(shù)字開關(guān)為了最大限度地減少開關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來最小化這個(gè)過渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來說,柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字: 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
關(guān)鍵字: 意法半導(dǎo)體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨(dú)特的柵極負(fù)壓開啟機(jī)制,使其成為...
關(guān)鍵字: MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)