Vishay發(fā)布2014年“Super 12”明星產(chǎn)品
創(chuàng)新的元器件為各種應(yīng)用提供了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的性能規(guī)格
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布其2014年“Super 12”明星產(chǎn)品。每年，Vishay都會(huì)挑出12款采用全新技術(shù)，能夠大幅提高終端產(chǎn)品和系統(tǒng)性能的重要半導(dǎo)體和無源元器件。Vishay的Super 12集中展示了公司在半導(dǎo)體和無源器件的卓越實(shí)力，并且讓人能從中了解Vishay的廣泛產(chǎn)品組合。
2014年的Super 12產(chǎn)品如下：
Vishay Dale WSLP表面貼裝Power Metal Strip® 電阻—WSLP是用于高性能產(chǎn)品如汽車、計(jì)算機(jī)、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用，采用小尺寸外形，具有10W高功率和低至0.0003Ω的極低阻值，以及0.5%的嚴(yán)格阻值容差。
采用SMPA封裝的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器—45V器件在3A電流下的正向壓降低至0.37V，高度為0.95mm，采用SMPA封裝，通過AEC-Q101認(rèn)證，適合汽車應(yīng)用，50V整流器適用于智能手機(jī)和平板電腦的充電器。
Vishay Sfernice PRAHT高精度薄膜SMD卷包片式電阻—PRAHT 4電阻網(wǎng)絡(luò)適用于高溫鉆井和航空應(yīng)用，工作溫度從-55℃到+215℃，最高儲(chǔ)存溫度達(dá)+230℃，是業(yè)內(nèi)首個(gè)采用薄膜技術(shù)制造的排阻。
Vishay Semiconductors TCPT1350X01/TCUT1350X01 SMD透射式光傳感器—通過AEC-Q101認(rèn)證的單通道TCPT1350X01和雙通道TCUT1350X01適合汽車和工業(yè)應(yīng)用，工作溫度高達(dá)+125℃，間隙寬3.0mm，典型輸出電流為1.6mA。
Vishay Dale IHCL復(fù)合耦合電感器—IHCL器件采用IHLP® 技術(shù)制造，可在SEPIC DC/DC轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn)高性能。器件在小尺寸10.16mm x 10.67mm封裝里集成了兩個(gè)電感器，耦合超過90%，工作溫度高達(dá)+155℃。
Vishay Siliconix SiZ340DT雙通道N溝道30V MOSFET—非對(duì)稱雙通道功率MOSFET采用TrenchFET ® Gen IV技術(shù)，比采用PowerPAIR 3mm x 3 mm封裝尺寸的前一代器件的導(dǎo)通電阻低57%，功率密度高25%，效率高5%。
Vishay Roederstein MKP1848C金屬化聚丙烯DC-Link膜電容器—MKP1848C針對(duì)DC-link應(yīng)用，1μF～500μF的容量范圍是業(yè)內(nèi)最寬的，占位只有9mm x 32mm x 19mm，電壓等級(jí)為500V～1200V。
Vishay Siliconix SiP12109 microBUCK®集成同步降壓穩(wěn)壓器—4A電流的SiP12109在節(jié)省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝里集成了高邊和低邊功率MOSFET，為設(shè)計(jì)者提供了面積僅有180mm2的完整高電流解決方案。
Vishay Vitramon QUAD HIFREQ系列MLCC—QUAD HIFREQ系列MLCC是針對(duì)通信、醫(yī)療、軍工和工業(yè)設(shè)備及儀表中的高頻RF應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，具有超過2000的超高Q值和0.01Ω的超低ESR，采用1111外形尺寸，電壓等級(jí)為1500V。
Vishay Siliconix SiHG47N60E/E系列高壓MOSFET—SiHG47N60E屬于Vishay的E系列600V MOSFET，在10V下的導(dǎo)通電阻為99mΩ，柵極電荷為147nC，可以實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，在高功率、高性能開關(guān)應(yīng)用中能夠節(jié)省能源。
Vishay MCB WCR水冷功率電阻—WCR電阻在60℃進(jìn)水口溫度下的功率耗散高達(dá)2500W，可以承受10秒鐘的5000W高能脈沖，適合用作大型驅(qū)動(dòng)器、HVDC/SVC的緩沖器和直流分壓電阻。
采用SMPD封裝的Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器—這些45V～120V器件針對(duì)商業(yè)應(yīng)用，在15A下的正向壓降低至0.40V。SMPD封裝的占位兼容D2PAK(TO-263)，而1.7mm的典型高度則更低。
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