IR DirectFET MOSFET芯片組

時(shí)間：2005-04-24 04:01:00

關(guān)鍵字： MOSFET 芯片組 DIRECT BSP

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    國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）近日推出兩款新型的30V DirectFET MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組。新品適用于安裝了最新款I(lǐng)ntel和AMD處理器的筆記本電腦設(shè)計(jì)，滿足其更小體積、更高效率和良好散熱的要求。

    新品的每一款芯片組都包含一個(gè)控制MOSFET和一個(gè)同步MOSFET，而每個(gè)器件都經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，在同步DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能。控制MOSFET具有更低的開關(guān)損耗，同步MOSFET的傳導(dǎo)損耗更低（低導(dǎo)通電阻），逆向恢復(fù)電荷也很低。

    其中一款芯片組包含IRF6617控制場效應(yīng)管和IRF6611同步場效應(yīng)管，能在高密度、空間有限的電路板中達(dá)到最佳的性能，每個(gè)功率通道可達(dá)20A。另一款芯片組則包含IRF6637控制場效應(yīng)管和IRF6678同步場效應(yīng)管，適用于每個(gè)功率通道高于20A的應(yīng)用，可有效提升熱性能。

    IRF6617控制場效應(yīng)管采用小罐（ST）DirectFET封裝，IRF6637控制場效應(yīng)管則采用中罐（MP）DirectFET封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計(jì)，兩款同步場效應(yīng)管都采用中罐（MX）DirectFET封裝，可以輕松地將IRF6611替換為IRF6678，滿足更大電流和散熱性能的需求。

    新的芯片組有助于電路設(shè)計(jì)人員縮減高頻、大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器的體積。這些轉(zhuǎn)換器適用于高檔電腦和服務(wù)器，以及先進(jìn)的電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。

    IR的DirectFET MOSFET封裝已經(jīng)獲得了專利，其中匯集了一系列標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝不具備的設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。金屬腔構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能，把用以驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理效率增加一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均不含鉛和溴化物。