100V高端/低端N溝道高速MOSFET驅(qū)動器（Linear）
[導(dǎo)讀]凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446，用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動器 LTC4446，用來驅(qū)動雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器中的高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這個驅(qū)動器與功率 MOSFET 和一個凌力爾特公司的 DC/DC 控制器一起，可組成一個完整的高效率雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器，或者可以配置為快速動作的高壓 DC 開關(guān)。
這個強(qiáng)大的驅(qū)動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動高端 MOSFET 時可以提供高達(dá) 2.5A 的電流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驅(qū)動同步 MOSFET 時可提供 3A 的電流，從而非常適用于驅(qū)動高柵極電容、大電流 MOSFET。LTC4446 還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動多個并聯(lián) MOSFET。當(dāng)驅(qū)動一個 1000pF 負(fù)載時，高端 MOSFET 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 MOSFET 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關(guān)損耗。
LTC4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內(nèi)部將電平移位至自舉電源，在比地電平高 114V 時還可以工作。另外，該器件在 7.2V 至 13.5V 的電壓范圍內(nèi)同時驅(qū)動高端和低端 MOSFET 柵極。
LTC4446EMS8 和 LTC4446IMS8 采用耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝，以 1000 片為單位批量購買，每片價格為 1.69 美元。
性能概要：LTC4446
• 高端/低端 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器
• 最高電源電壓為 100V
• 非常適用于雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器
• 高壓開關(guān)應(yīng)用
• 大驅(qū)動電流：在下拉阻抗為 0.55Ω 時提供 3A 電流
• 7.2V 至 13.5V 的柵極驅(qū)動電壓
• 高端柵極：驅(qū)動 1000pF 負(fù)載時上升時間為 8ns，下降時間為 5ns
• 低端柵極：驅(qū)動 1000pF 負(fù)載時上升時間為 6ns，下降時間為 3ns
• 為柵極驅(qū)動電壓提供欠壓閉鎖
• 耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝
這個強(qiáng)大的驅(qū)動器以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動高端 MOSFET 時可以提供高達(dá) 2.5A 的電流，而以 0.55Ω 下拉阻抗驅(qū)動同步 MOSFET 時可提供 3A 的電流，從而非常適用于驅(qū)動高柵極電容、大電流 MOSFET。LTC4446 還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動多個并聯(lián) MOSFET。當(dāng)驅(qū)動一個 1000pF 負(fù)載時，高端 MOSFET 的快速 8ns 上升時間和 5ns 下降時間、以及低端 MOSFET 的 6ns 上升時間和 3ns 下降時間最大限度地減小了開關(guān)損耗。
LTC4446 配置為使用兩個不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號在內(nèi)部將電平移位至自舉電源，在比地電平高 114V 時還可以工作。另外，該器件在 7.2V 至 13.5V 的電壓范圍內(nèi)同時驅(qū)動高端和低端 MOSFET 柵極。
LTC4446EMS8 和 LTC4446IMS8 采用耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝，以 1000 片為單位批量購買，每片價格為 1.69 美元。
性能概要：LTC4446
• 高端/低端 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器
• 最高電源電壓為 100V
• 非常適用于雙晶體管正激式轉(zhuǎn)換器
• 高壓開關(guān)應(yīng)用
• 大驅(qū)動電流：在下拉阻抗為 0.55Ω 時提供 3A 電流
• 7.2V 至 13.5V 的柵極驅(qū)動電壓
• 高端柵極：驅(qū)動 1000pF 負(fù)載時上升時間為 8ns，下降時間為 5ns
• 低端柵極：驅(qū)動 1000pF 負(fù)載時上升時間為 6ns，下降時間為 3ns
• 為柵極驅(qū)動電壓提供欠壓閉鎖
• 耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝
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