150V MOSFET器件FDMS86200（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿(mǎn)足DC-DC設(shè)計(jì)人員對(duì)具有較低開(kāi)關(guān)損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產(chǎn)品的需求。該器件利用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)，以及系統(tǒng)專(zhuān)有技術(shù)，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。
FDMS86200使用屏蔽柵極MOSFET技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)，具有較低的開(kāi)關(guān)噪聲和振鈴噪聲，有助于降低EMI。如果沒(méi)有這項(xiàng)專(zhuān)有技術(shù)功能，設(shè)計(jì)人員則需被迫選擇一個(gè)200V MOSFET器件，從而令到RDS(ON)增加一倍，導(dǎo)致總體效率降低。飛兆半導(dǎo)體的FDMS86200 還帶有經(jīng)改進(jìn)的體二極管，能夠通過(guò)減少損耗來(lái)提升開(kāi)關(guān)性能。
飛兆半導(dǎo)體公司提供最廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列，讓設(shè)計(jì)人員能夠選擇多種技術(shù)，找到滿(mǎn)足應(yīng)用需求的合適MOSFET。飛兆半導(dǎo)體擁有獨(dú)特的功能、工藝和封裝創(chuàng)新及總體系統(tǒng)專(zhuān)有技術(shù)之組合，而其MOSFET產(chǎn)品系列具有廣泛的擊穿電壓范圍(20V-1000V)，以及從1mm x 1.5mm WL-CSP到20mm x 26mm TO264封裝的先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠推動(dòng)電子制造商實(shí)現(xiàn)更出色的創(chuàng)新。
價(jià)格: 訂購(gòu)1,000個(gè)，單價(jià)為1.92美元
供貨: 現(xiàn)提供樣品
交貨期 ：收到訂單后12至15周
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類(lèi)為線(xiàn)性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
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