采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。
采用高壓背光逆變器來(lái)替代現(xiàn)有的低壓背光逆變器，是提高液晶電視性能并降低整體系統(tǒng)成本的手段之一。
采用高壓背光逆變器的優(yōu)點(diǎn)在于：逆變器直接連接功率因數(shù)校正(power factor correction, PFC)級(jí)，無(wú)需DC-DC轉(zhuǎn)換器；而低壓背光逆變器則需要在PFC級(jí)之后添加一個(gè)DC-DC轉(zhuǎn)換器。事實(shí)上，在高壓背光逆變器解決方案中，為其它負(fù)載供電所用的DC-DC轉(zhuǎn)換器只需處理整個(gè)液晶電視約30%的功率，這是因?yàn)橐壕щ娨曋斜彻鈫卧牡湫凸恼伎偣牡?0%。因此，采用高壓背光逆變器能夠降低DC-DC轉(zhuǎn)換器中變壓器和MOSFET的成本。
高壓逆變器通常采用半橋電路拓?fù)浼軜?gòu)。不過(guò)，由于半橋電路很難在每種狀況下都實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)(Zero Voltage Switching, ZVS)，因此，一般需要將阻隔二極管(blocking diode)與MOSFET串聯(lián)，同時(shí)并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二極管(fast recovery diode, FRD)。
雖然MOSFET本身內(nèi)置了二極管，但如果半橋電路沒(méi)有在ZVS狀態(tài)下工作，那么內(nèi)置二極管的反向恢復(fù)電流在該MOSFET導(dǎo)通時(shí)就會(huì)流入其它MOSFET。這會(huì)在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))上產(chǎn)生很大的熱量，使得第二個(gè)MOSFET的溫度升高，進(jìn)而使該MOSFET的反向恢復(fù)電流在其關(guān)斷時(shí)增大。第二個(gè)MOSFET中反向恢復(fù)電流的增大，將會(huì)導(dǎo)致第一個(gè)MOSFET的功耗和反向恢復(fù)電流增加。
這種正反饋效應(yīng)會(huì)使MOSFET的溫度不斷升高，直到耗散熱量與產(chǎn)生熱量相等為止。
通常，典型MOSFET中內(nèi)置的二極管的反向恢復(fù)電流都較大，因此，液晶電視廠(chǎng)家都采用半橋解決方案，使用串聯(lián)阻隔二極管來(lái)防止內(nèi)置二極管導(dǎo)通。
要解決液晶電視的功耗設(shè)計(jì)問(wèn)題，可以采用飛兆半導(dǎo)體的Ultra FRFETTM解決方案，其MOSFET采用出眾的壽命控制工藝以大幅降低反向恢復(fù)電流。
Ultra FRFET具有如下優(yōu)點(diǎn)：
- 軟開(kāi)關(guān)反向恢復(fù)特性
- 反向恢復(fù)電流小，保持良好的液晶電視EMI性能
- 柵極電荷(Qg)小，降低了導(dǎo)通和關(guān)斷的開(kāi)關(guān)損耗
- 具有更高的二極管dv/dt抗擾性(達(dá)20V/ns)，一般 MOSFET僅達(dá)到4.5V/ns
- 在高溫高頻條件下具有高可靠性
在液晶電視高壓背光逆變器應(yīng)用中，Ultra FRFET無(wú)需阻隔二極管和快速恢復(fù)二極管，也可以很好地工作，非常適合調(diào)光鎮(zhèn)流器應(yīng)用。
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類(lèi)為線(xiàn)性器件，因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷，因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
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該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...
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