針對開關(guān)電源很多人覺得很難，其實(shí)不然。設(shè)計(jì)一款開關(guān)電源并不難，難就難在做精，等你真正入門了，積累一定的經(jīng)驗(yàn)，再采用分立的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)就簡單多了。萬事開頭難，筆者在這就拋磚引玉，慢慢講解如何一步一步設(shè)計(jì)開關(guān)電源。

　　開關(guān)電源設(shè)計(jì)的第一步就是看規(guī)格，具體的很多人都有接觸過，也可以提出來供大家參考，我?guī)兔Ψ治觥?/p>

　　我只帶大家設(shè)計(jì)一款寬范圍輸入的，12V2A的常規(guī)隔離開關(guān)電源。

　　1.首先確定功率，根據(jù)具體要求來選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)；這樣的一個(gè)開關(guān)電源多選擇反激式(flyback)基本上可以滿足要求。在這里我會(huì)更多的選擇是經(jīng)驗(yàn)公式來計(jì)算，有需要分析的，可以拿出來再討論。

　　2.選擇相應(yīng)的PWMIC和MOS來進(jìn)行初步的電路原理圖設(shè)計(jì)

　　當(dāng)我們確定用flyback拓?fù)溥M(jìn)行設(shè)計(jì)以后，我們需要選擇相應(yīng)的PWMIC和MOS來進(jìn)行初步的電路原理圖設(shè)計(jì)(sch)。無論是選擇采用分立式的還是集成的都可以自己考慮。對里面的計(jì)算我還會(huì)進(jìn)行分解。

　　分立式：PWMIC與MOS是分開的，這種優(yōu)點(diǎn)是功率可以自由搭配，缺點(diǎn)是設(shè)計(jì)和調(diào)試的周期會(huì)變長（僅從設(shè)計(jì)角度來說）；集成式：就是將PWMIC與MOS集成在一個(gè)封裝里，省去設(shè)計(jì)者很多的計(jì)算和調(diào)試分步，適合于剛?cè)腴T或快速開發(fā)的環(huán)境。

　　3.做原理圖

　　確定所選擇的芯片以后，開始做原理圖(sch)，在這里我選用STVIPer53DIP(集成了MOS)進(jìn)行設(shè)計(jì)。

　　設(shè)計(jì)前最好都先看一下相應(yīng)的datasheet，確認(rèn)一下簡單的參數(shù)。無論是選用PI的集成，或384x或OBLD等分立的都需要參考一下datasheet。一般datasheet里都會(huì)附有簡單的電路原理圖，這些原理圖是我們的設(shè)計(jì)依據(jù)。

　　4.確定相應(yīng)的參數(shù)

　　當(dāng)我們將原理圖完成以后，需要確定相應(yīng)的參數(shù)才能進(jìn)入下一步PCBLayout。當(dāng)然不同的公司不同的流程，我們需要遵守相應(yīng)的流程，養(yǎng)成一個(gè)良好的設(shè)計(jì)習(xí)慣，這一步可能會(huì)有初步評估，原理圖確認(rèn)，等等，簽核完畢后就可以進(jìn)行計(jì)算了。

　　先附上相應(yīng)的原理圖。

　5.確定開關(guān)頻率，選擇磁芯確定變壓器

　　這里確定芯片工作頻率為70KHz，芯片的頻率可以通過外部的RC來設(shè)定，工作頻率就等于開關(guān)頻率，這個(gè)外設(shè)的功能有利于我們更好的設(shè)計(jì)開關(guān)電源，也可以采取外同步功能。與UC384X功能相近。

　　變壓器磁芯為EER28/28L。

　　一般AC2DC的變換器，工作頻率不宜設(shè)超過100kHz，主要是開關(guān)電源的頻率過高以后，不利于系統(tǒng)的穩(wěn)定性，更不利于EMC的通過性。頻率太高，相應(yīng)的di/dtdv/dt都會(huì)增加，除PI132kHz的工作頻率之外，大家可以多參考其它家的芯片，就會(huì)總結(jié)自己的經(jīng)驗(yàn)出來。

　　對于磁芯的選擇，是在開關(guān)頻率和功率的基礎(chǔ)，更多的是經(jīng)驗(yàn)選取。當(dāng)然計(jì)算的話，你需要得到更多的磁芯參數(shù)，包括磁材，居里溫度，頻率特性等等，這個(gè)是需要慢慢建立的。

　　20W~40W范圍內(nèi)EE25EER25EER28EFD25EFD30等均都可以。

　　關(guān)于變壓器磁芯的選擇

　　功率大?。?/p>

　　小于5w可使用的磁芯：

　　ER9.5,ER11.5,EE8.3,EE10,EE13,RM4,GU11,EP7,EP10,UI9.8,URS7

　　5-10W可使用的磁芯：

　　ER20,EE19,RM5,GU14,EFD15,EI22,EPC13,EF16,EP13,UI11.5

　　10-20W可使用的磁芯：

　　ER25,EE20,EE25,RM6,GU18,EPC17,EF20

　　20-50W可使用的磁芯：

　　ER28,ETD28,EI28,EE28,EE30,EF25,RM8,GU22,

　　PQ20,EPC19,EFD20

　　50-100W可使用的磁芯：

　　ER35,ETD34,EE35,EI35,EF30,RM10,GU30,PQ26,

　　EPC25,EFD25

　　100-200W可使用的磁芯：

　　ER40,ER42,ETD39,EI40,RM12,GU36,PQ32,EFD30

　　200-500W可使用的磁芯：

　　ER49,ETD49,EC53,EE42,EE55,EI50,RM14,GU42,

　　PQ35,PQ40,UU66

　　大于500W可使用的磁芯：

　　ER70,ETD59,EE65,EE85,GU59,PQ50,UU80,UU93

　　磁芯與傳輸功率對照表

　　6.設(shè)計(jì)變壓器進(jìn)行計(jì)算

　　輸入input：85~265Vac

　　輸出output：12V2A

　　開關(guān)頻率Fsw：70kHz

　　磁芯core：EER28/28L

　　磁芯參數(shù)：Ae82mm2

　　以上均是已知參數(shù)，我們還需要設(shè)定一些參數(shù)，就可以進(jìn)入下一步計(jì)算。

　　設(shè)定參數(shù)：

　　效率η=80%

　　最大占空比：Dmax=0.45

　　磁感應(yīng)強(qiáng)度變化：ΔB=0.2

　　有了這些參數(shù)以后，我們就可以計(jì)算得到匝數(shù)和電感量。

　　輸出功率Po=12V*2A=24W

　　輸入功率Pin=Po/η=24W/0.8=30W

　　輸入最低電壓Vin(min)=Vac(min)*sqr(2)=85Vac*1.414=120Vdc

　　輸入最高電壓Vin(max)=Vac(max)*sqr(2)=265Vac*1.414=375Vdc

　　輸入平均電流Iav=Pin/Vin(min)=30W/120Vdc=0.25A

　　輸入峰值電流Ipeak=4*Iav=1A

　　原邊電感量Lp=Vin(min)*Dmax/(Ipeak*Fsw)=120Vdc*0.45/(1A*70K)=770uH

　　這里的4是一個(gè)經(jīng)驗(yàn)值，當(dāng)然也是我自己獨(dú)家的經(jīng)驗(yàn)。至于推導(dǎo)，不用那么麻煩，看下面的圖，你就明白了，下面是DCM時(shí)的電流波形;至于CCM加一個(gè)平臺(tái)，自己可以推導(dǎo)，很簡單。

　　到此最重要的一步原邊電感量已經(jīng)求出，對于漏感及氣隙，我不建議各位再去計(jì)算和驗(yàn)證。

　　漏感Lleakage<5%*Lp　　上面計(jì)算了變壓器的電感量，現(xiàn)在我們還需要得到相應(yīng)的匝數(shù)才可以完成整個(gè)變壓器的工作。

　　1）計(jì)算導(dǎo)通時(shí)間Ton周期時(shí)間T=Ton+Toff=1/FswTon=T*DmaxFsw,Dmax都是已知量70kHz,0.45代入上式可得Ton=6.43us

　　2）計(jì)算變壓器初級(jí)匝數(shù)Np=Vin(min)*Ton/(ΔB×Ae)=120Vdc*6.43us/(0.2*82mm2)=47T（這里的數(shù)是一定要取整的，而且是進(jìn)位取整，我們變壓器不可能只繞半圈或其它非整數(shù)圈）

　　3）計(jì)算變壓器12V主輸出的匝數(shù)輸出電壓(Vo)：

　　12Vdc整流管壓降(Vd)：0.7

　　Vdc繞組壓降(Vs)：0.5

　　Vdc原邊匝伏比(K)=Vi_min/Np=120Vdc/47T=2.55輸出匝數(shù)(Ns)=(輸出電壓(Vo)+整流管壓降(Vd)+繞組壓降(Vs))/原邊匝伏比(K)=(12Vdc+0.7Vdc+0.5Vdc)/2.55=6T(已取整)

　　4）計(jì)算變壓器輔助繞組(auxturning)輸出的匝數(shù)計(jì)算方法與12V主繞組輸出一樣因?yàn)镾TVIPer53DIP副邊反饋需低于14.5Vdc，故選取12Vdc作為輔助電壓；Na=6T到這一步，我們基本上就得出了變壓器的主要參數(shù)原邊繞組：47T原邊電感量：0.77mH漏感<5%*0.77mH=39uH12V輸出：6T輔助繞組：6T下一步我們只要將繞組的線徑股數(shù)腳位耐壓等安規(guī)方面的要求提出，就可以發(fā)給變壓器廠去打樣了至于氣隙的計(jì)算，以及返回驗(yàn)證Dmax這些都是一些教科書上的，不建議大家死搬硬套，自己靈活一些。

　　上面計(jì)算出匝數(shù)以后，可以直接確定漆包線的粗細(xì)，不需要去進(jìn)行復(fù)雜的計(jì)算。

　　線徑與常規(guī)電阻一樣，都是有定值的，記住幾種常用的定值線徑。這里，原邊電流比較小，可以直接選用φ0.25一股。輔助繞組φ0.25一股。主輸出繞組φ0.4或0.5三股，不用選擇更粗的，否則繞制起來，漆包線的硬度會(huì)使操作工人很難繞。

　　很多這一步"計(jì)算"過了以后，還會(huì)返回計(jì)算以驗(yàn)證變壓器的窗口面積。個(gè)人認(rèn)為返回驗(yàn)證是多余的，因?yàn)槔@制不下的話，打樣的變壓器廠也會(huì)反饋給你，而你驗(yàn)證通過的，在實(shí)際中也不一定會(huì)通過；畢竟與實(shí)際繞制過程中的熟練度，及稀疏還是有很大關(guān)系的。

　　再下一步，需要確定輸入輸出的電容的大小，就可以進(jìn)行布局和布板了。

　　7.輸入輸出電解電容計(jì)算

　　輸入濾波電解電容

　　Cin=(1.5~3)*Pin

　　輸出濾波電解電容

　　Cout=(200~300)*Io

　　上面我們計(jì)算出輸入功率30W

　　所以Cin=45～90uF

　　從理論上來說，這個(gè)值選的越大，對后級(jí)就越好；從成本上考慮，我們不會(huì)無限制的去選取大容量。此處選值47uF/400Vdc85℃或105℃根據(jù)相應(yīng)的應(yīng)用環(huán)境來決定；電容不需要高頻，普通低阻抗的就可以了。

　　輸出電流是2A；

　　Cout=400～600uF

　　此處電容需要適應(yīng)高頻低阻的特性，這個(gè)值也可以選值變大，但前提必須是在反饋環(huán)內(nèi)。因?yàn)槭情]環(huán)精度控制，故取值470uF/16Vdc

　　這里電源就可以選兩顆470uF/16Vdc，加一個(gè)L，阻成CLC低通濾波器。

　　基本上到這里，PCB上需要外形確定的器件已經(jīng)完成，即PCB封裝完成；下一步就可通過前面的原理圖(SCH)定義好器件封裝。　　8.PCBLayout

　　上面已經(jīng)確定變壓器，原理圖，以及電解電容，其它的基本上都是標(biāo)準(zhǔn)件了。

　　由sch生成網(wǎng)絡(luò)表，在PCBfile里定義好板邊然后加載相應(yīng)的封裝庫以后，可以直接導(dǎo)入網(wǎng)絡(luò)表，進(jìn)行布局；因?yàn)檫@個(gè)板相對比較簡單，也可以直接布板，導(dǎo)入網(wǎng)絡(luò)表是一個(gè)非常好的設(shè)計(jì)習(xí)慣。

　　PCBlayout重點(diǎn)不是怎么連線，最重要的是如何布局；一般來說布局OK的話，畫板就輕松多了。

　　在布局與布板方面：

　　1)RCD吸收部分與變壓器形成的環(huán)面積盡量小；這樣可以減小相應(yīng)的輻射和傳導(dǎo)。

　　2)地線盡量的短和寬大，保證相應(yīng)的零電平有利于基準(zhǔn)的穩(wěn)定；同時(shí)VIPER53DIP這顆DIP-8的芯片散熱的重要通道。

　　3)在di/dtdv/dt變化比較大的地方，盡量減小環(huán)路和加寬走線，降低不必要的電感特性

　　附上相應(yīng)的圖，N久之前的版本，可以改進(jìn)的地方很多，各位自行參考：目前這一塊板仍一直在生產(chǎn)。

　　9.確定部分參數(shù)

　　我們前幾步已經(jīng)計(jì)算了變壓器，PCBLayout完成以后，此時(shí)就可以確定變壓器的同名端,完整的定義變壓器，并發(fā)出去打樣或自己繞制。

　　EER28/28L骨架是6+6

　　原邊：1->3輔助：6->5輸出：7，8，9->10，11，12

　　對于輸出的腳位，我們可以用兩個(gè)，或者全用上，看各位自己的選擇。

　　從原理圖及PCB圖上，1，6，7，8，9為同名端，自己繞制時(shí)，起線需從這幾個(gè)腳位起，同方向繞制。

　　變壓器正式定義：

　　1->2：φ0.25x1x24T

　　7->10：φ0.50x2x6T

　　8->11：φ0.50x2x6T

　　9->12：φ0.50x2x6T

　　2->3：φ0.25x1x23T

　　6->5：φ0.25x1x6T

　　2,4并剪腳

　　L1-3：0.77mH0.25V@1kHz漏感低于5%磁材：PC40或等同材質(zhì)

　　高壓：

　　原邊vs副邊：3750Vac@1mA1min無擊穿無飛弧

　　副邊vs磁芯：1500Vac@1mA1min無擊穿無飛弧

　　阻抗：

　　原邊vs副邊/繞組vs磁芯：500Vdc阻抗>100M

　　備注：這里采用三文治繞法，目的是為了降低漏感。

輸出所有