PWM pulse width modulation

PFM pulse frequency modulation

AAM advanced asynchronous modulation

CCM continue current modulation

EN/SYNC 芯片內(nèi)部并聯(lián)6.5V齊納二極管(驅(qū)動(dòng)電壓≤6V時(shí)，EN可直接連接；其他電壓時(shí)需串聯(lián)電阻限制驅(qū)動(dòng)電流)，并聯(lián)1M電阻到地(EN懸空時(shí)，芯片不工作)；SYNC時(shí)滿足時(shí)鐘要求200kHz~20MHz

BST bootstrap 為high-side SW提供抬升電壓，也可外接BST二極管，增加效率

high-side Driver  MOSFET  floating，需要高壓驅(qū)動(dòng)

low-side Driver MOSFET接地，不需要高壓驅(qū)動(dòng)

電容計(jì)算：D(1-D)*Iload=C1*△U/△T

占空比D=Vout/Vin,△U為紋波電壓，C1與輸入紋波成反比，C2與輸出紋波成反比，電容越大，紋波越小；電容太大了，電路通斷時(shí)，浪涌電流會(huì)過(guò)大，損壞元器件；電容等效阻抗(ESR)越低越好。

電阻計(jì)算：Vout/(R1+R2)=0.807/R2

                  VCC/(R3+R5)=AAM/R5

AAM輸入高時(shí)芯片強(qiáng)制為CCM，AAM電壓值越小，越穩(wěn)定紋波越小，效率低瞬態(tài)差；AAM電壓值越大，效率高瞬態(tài)好，紋波大穩(wěn)定度差。

電感計(jì)算：D*(Vin-Vout)=L1*△IL/△T

                  ILmax=Iload+△IL/2

占空比D=Vout/Vin,紋波電流△IL約為最大負(fù)載電流的30%,△U為輸入紋波電壓；電感的額定電流（飽和電流和溫升電流）至少比最大負(fù)載電流高25%；電感的直流阻抗小于15mΩ。

由公式看出，電感值與紋波電流成反比，電感值越大，紋波電流越小，效率越高（輕載時(shí)）；重載時(shí)，電感阻礙電流突增，電感太大會(huì)影響瞬態(tài)響應(yīng)。

負(fù)載不穩(wěn)時(shí)，開關(guān)電源會(huì)自我調(diào)節(jié)占空比，可能會(huì)與20Hz~20kHz頻率重調(diào)，產(chǎn)生嘯叫；電流通過(guò)電感線圈，產(chǎn)生磁場(chǎng)，引起線圈振動(dòng)，也可能產(chǎn)生嘯叫。

飽和電流：是電感值下降10%~30%的電流；溫升電流：電感溫度不高于40℃的電流。

PCB layout：FB信號(hào)走線越短越好，遠(yuǎn)離BST、SW等。