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本文介紹一款小尺寸、功能強大、低噪聲的單芯片同步升壓轉(zhuǎn)換器。文章重點介紹了該集成電路的多個特性。這些特性能夠增強電路性能，并支持定制，以滿足各種應(yīng)用的要求。
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升壓轉(zhuǎn)換器
集成電路
電路
【2025年9月9日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布與九號公司（Ninebot）旗下子公司零極創(chuàng)新科技有限公司簽署諒解備...
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氮化鎵
逆變器
晶體管
由于科技不斷地發(fā)展，晶體管的出現(xiàn)，上世紀六、七十年代電子管被晶體管的強大洪流沖走
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晶體管
智能駕駛技術(shù)快速迭代，ADAS環(huán)視系統(tǒng)作為車輛周邊環(huán)境感知的核心模塊，對圖像傳感器的性能提出了嚴苛要求。其中，噪聲抑制能力直接影響系統(tǒng)在低光照、強干擾等極端場景下的可靠性。本文從技術(shù)原理、工程實踐及未來趨勢三個維度，對比...
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CMOS
CCD
中國上海，2025年7月29日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出工作時的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)...
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CMOS
運算放大器
可穿戴設(shè)備
CFP15B封裝為DPAK封裝的MJD系列提供更緊湊、更具成本效益的替代方案
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晶體管
銅夾片
PCB
晶體管，作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，其工作原理、分類及失效模式對于理解電子設(shè)備運行至關(guān)重要。
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晶體管
在電子電路設(shè)計領(lǐng)域，放大器是極為關(guān)鍵的元件，用于增強電信號的幅度，以滿足各類電子設(shè)備的需求。內(nèi)置增益設(shè)置電阻的放大器和分立差動放大器是兩種常見類型，它們在電路結(jié)構(gòu)、性能表現(xiàn)、成本以及設(shè)計靈活性等方面存在諸多不同。深入了解...
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放大器
電信號
電路
太赫茲（THz）波段位于微波與紅外光之間，具有獨特的頻譜特性，在高速通信、高分辨率成像、安全檢測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，太赫茲射頻前端作為太赫茲系統(tǒng)的關(guān)鍵組成部分，其集成面臨諸多挑戰(zhàn)。砷化銦高電子遷移率晶體管（...
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太赫茲
InP HEMT
CMOS
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，商業(yè)、工業(yè)及汽車等領(lǐng)域?qū)δ透邷丶呻娐罚↖C）的需求持續(xù)攀升?。高溫環(huán)境會嚴重制約集成電路的性能、可靠性和安全性，亟需通過創(chuàng)新技術(shù)手段攻克相關(guān)技術(shù)難題?。本文致力于探討高溫對集成電路的影響，介紹高結(jié)溫...
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IC設(shè)計
集成電路
晶體管
在電子設(shè)備的保護領(lǐng)域，雙向 TVS 管(瞬態(tài)電壓抑制二極管)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，能有效抵御瞬態(tài)過電壓對電路的損害。雙向 TVS 管根據(jù)內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同，可分為共陰和共陽兩種類型，它們在諸多方面存在顯著差異。深入了解這些區(qū)...
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瞬態(tài)電壓抑制二極管
雙向
電路
在電子電路的世界里，電感是一種不可或缺的元件，它如同一個 “電慣性” 的守護者，默默影響著電路中電流的變化。電感量與流過電感的電流之間存在著復(fù)雜而精妙的關(guān)系，深入理解這種關(guān)系，對于掌握電路原理、設(shè)計電子設(shè)備以及解決實際電...
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電流
電感量
電路
量子計算邁向?qū)嵱没倪M程，量子-經(jīng)典混合芯片架構(gòu)成為突破技術(shù)瓶頸的關(guān)鍵路徑。超導(dǎo)量子比特雖具備高速門操作與可擴展性優(yōu)勢，但其運行需在毫開爾文級低溫環(huán)境中維持量子態(tài)相干性;而CMOS控制電路則依賴室溫環(huán)境下的成熟工藝與高集...
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量子計算
CMOS
電氣設(shè)計領(lǐng)域常用的圖紙包括電氣原理圖、電器元件布置圖、電氣安裝接線圖以及二次電路圖。
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電路
原理圖
絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。
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晶體管
【2025年5月26日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關(guān)——650...
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微型逆變器
晶體管
氮化鎵
在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域，MOS 管(金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各類電路中。從智能手機到計算機主板，從電源管理到功率放大，MOS 管都扮演著不可或缺的角色。然而，對于許多電子技術(shù)初...
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MOS 管
晶體管
半導(dǎo)體
兩級功放通常由驅(qū)動級和末級組成。驅(qū)動級的作用是將輸入信號進行初步放大，為末級功放提供足夠的激勵信號;末級功放則負責(zé)將驅(qū)動級送來的信號進一步放大，以輸出足夠的功率驅(qū)動負載。不同類型的功放，如 A 類、B 類、AB 類等，其...
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功放
晶體管
驅(qū)動負載
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