延時開關電路圖及詳細分析圖1: 相信大家也看明白上圖...因為圖上都有標明...HE HE...最左邊的是RC延時及放電二極管...中間的是為關機而設置的電路,在此大家可以把它看成一個電源...最右邊的是模擬音頻信號...再發(fā)一
1:直流等效電路分析法在分析電路原理時,要搞清楚電路中的直流通路和交流通路。直流通路是指在沒有輸入信號時,各半導體三極管、集成電路的靜態(tài)偏置,也就是它們的靜態(tài)工作點。交流電路是指交流信號傳送的途徑,即交
本文以TLV3501滯回比較器電路設計為示例,簡單為您講解滯回比較器電路設計的方法與思路,希望對您設計比較器電路有所幫助。什么是滯回比較器?滯回比較器:又稱施密特觸發(fā)器,其抗干擾能力強,如果輸入電壓受到 干擾或
AN7177功放電路圖
1、二極管的單向導電性:伏安特性曲線理想開關模型和恒壓降模型2、橋式整流電流流向過程輸入輸出波形3、計算:Vo, Io,二極管反向電壓。二、 電源濾波器 1、電源濾波的過程分析:波形形成過程:2、計算:濾波電容的
555水位控制電路圖
前級10倍放大電路(NE5532)
太陽能光伏發(fā)電的實質就是在太陽光的照射下,太陽能電池陣列(即PV組件方陣)將太陽能轉換成電能,輸出的直流電經(jīng)由逆變器后轉變成用戶可以使用的交流電。以往的光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場效應管MOSFET構成的逆變電路。
IGBT屬于場控功率管,具有開關速度快、管壓降小等特點,在各領域的電子電器中得到越來越廣泛的應用,在運用中,針對IGBT單管耐壓值不高的情況,技術人員常常需要將多只IGBT管串聯(lián)以增加IGBT管的耐壓值,拓展其運用范圍。
IGBT模塊選型時比較關鍵的特性有柵極-發(fā)射級門檻電壓Vce(th)、柵極-發(fā)射極漏電流Ices、開通時間ton、開通延遲時間td(on)、上升時間tr、關斷耗散功率Poff、關斷耗散能量Eoff、關斷時間toff、關斷延遲時間td(off)、下降
IGBT單管工作原理IGBT管是一個非通即斷的開關,由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有 MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT管是靠的是它的
IGBT模塊封裝是將多個IGBT集成封裝在一起,以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性,體積更小、效率更高、可靠性更高是市場對IGBT模塊的需求趨勢,這就有待于IGBT模塊封裝技術的開發(fā)和運用。目前流行的IGBT模塊封裝形式有
IGBT驅動電路的作用IGBT驅動電路的作用是驅動IGBT模塊以能讓其正常工作,同時對IGBT模塊進行保護。IGBT 驅動電路的作用對整個IGBT構成的系統(tǒng)來說至關重要。IGBT是電路的核心器件,它可在高壓下導通,并在大電流下關