在《電源設計小貼士 11》中，我們討論了如何利用泰勒級數(shù) (Taylor series) 查找電源中的損耗源。在本篇電源設計小貼士中，我們將討論如何使用相同的級數(shù)最大化特定負載電流的電源效率。在《電源設計小貼士 11》中，我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來計算電源損耗：

                                      

下一步是利用上述簡單表達式，并將其放入效率方程式中：

                                    

這樣，輸出電流的效率就得到了優(yōu)化（具體論證工作留給學生去完成）。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個有趣的結果。

當輸出電流等于如下表達式時，效率將會最大化。
                                            
需要注意的第一件事是，a1 項對效率達到最大時的電流不產(chǎn)生影響。這是由于它與損耗相關，而上述損耗又與諸如二極管結點的輸出電流成比例關系。因此，當輸出電流增加時，上述損耗和輸出功率也會隨之增加，并且對效率沒有影響。需要注意的第二件事是，最佳效率出現(xiàn)在固定損耗和傳導損耗相等的某個點上。這就是說，只要控制設置 a0 和 a2 值的組件，便能夠獲得最佳效率。還是要努力減小 a1 的值，并提高效率?？刂圃擁椝媒Y果對所有負載電流而言均相同，因此如其他項一樣沒有出現(xiàn)最佳效率。a1 項的目標是在控制成本的同時達到最小化。

表 1 概括總結了各種電源損耗項及其相關損耗系數(shù)，該表提供了一些最佳化電源效率方面的折中方法。例如，功率 MOSFET 導通電阻的選擇會影響其柵極驅動要求及 Coss 損耗和潛在的緩沖器損耗。低導通電阻意味著，柵極驅動、Coss 和緩沖器損耗逆向增加。因此，您可通過選擇 MOSFET 來控制 a0 和 a2。

損耗系數(shù)	舉例
a0	偏壓損耗             Coss 損耗 內核損耗             緩沖器損耗 柵極驅動損耗
a1	二級管結點損耗   開關損耗 逆向恢復損耗     SR 停滯時間損耗
a2	FFT 電阻損耗      繞組損耗 漏電感損耗         蝕刻損耗 電容器紋波 l 損耗   電流感應損耗

需要最小化該表達式中的最后兩項，以最佳化效率。a1 項很簡單，只需對其最小化即可。末尾項能夠實現(xiàn)部分優(yōu)化。如果假設 MOSFET 的 Coss 和柵極驅動功率與其面積相關，同時其導通電阻與面積成反比，則可以為它選擇最佳面積（和電阻）。圖 1 顯示了裸片面積的優(yōu)化結果。裸片面積較小時，MOSFET 的導通電阻變?yōu)樾氏拗破鳌ｋS著裸片面積增加，驅動和 Coss 損耗也隨之增加，并且在某一點上變?yōu)橹饕獡p耗組件。這種最小值相對寬泛，從而讓設計人員可以靈活控制已實現(xiàn)低損耗的 MOSFET 成本。當驅動損耗等于傳導損耗時達到最低損耗。

 
圖 1 調節(jié) MOSFET 裸片面積來最小化滿負載功率損耗

圖 2 是圍繞圖 1 最佳點的三種可能設計效率圖。圖中分別顯示了三種設計的正常裸片面積。輕負載情況下，較大面積裸片的效率會受不斷增加的驅動損耗影響，而在重負載條件下小尺寸器件因高傳導損耗而變得不堪重負。這些曲線代表裸片面積和成本的三比一變化，注意這一點非常重要。正常芯片面積設計的效率只比滿功率大面積設計的效率稍低一點，而在輕載條件下（設計常常運行在這種負載條件下）則更高。

 
圖 2 效率峰值出現(xiàn)在滿額定電流之前

下個月，我們將會討論利用增加開關頻率來減小磁性大小的一些局限性，敬請期待。
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