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[導(dǎo)讀]轉(zhuǎn)向更為邏輯的NVM 盡管當(dāng)今的設(shè)計(jì)工程師可以選擇多種NVM,但是,具有低成本、高性能和應(yīng)用靈活性的嵌入式NVM卻很少。對于某些應(yīng)用目標(biāo),排除了許多選擇的可能性。例如,盡管傳統(tǒng)的激光熔絲可能適合于單一數(shù)字位

轉(zhuǎn)向更為邏輯的NVM

盡管當(dāng)今的設(shè)計(jì)工程師可以選擇多種NVM,但是,具有低成本、高性能和應(yīng)用靈活性的嵌入式NVM卻很少。對于某些應(yīng)用目標(biāo),排除了許多選擇的可能性。例如,盡管傳統(tǒng)的激光熔絲可能適合于單一數(shù)字位,但是它們由工廠一次性編程,不能重復(fù)精確模擬修整,不能現(xiàn)場升級,也不具備可靠性。多次熔絲的缺點(diǎn)很多,相關(guān)文獻(xiàn)的介紹很詳盡。

閃存是較好的選擇,但是,成本不低,其需要增加的工藝使制造這種NVM架構(gòu)的成本高達(dá)每晶圓幾百美元。另一方面,EEPROM的應(yīng)用已經(jīng)有相當(dāng)長的時(shí)間,正因?yàn)槿绱耍容^便宜;但是它并不是你的選擇,當(dāng)你考慮選擇它的時(shí)候,發(fā)現(xiàn)它卻受制于較老的工藝技術(shù),性能也受制到無法接受的低水平。至于較新的嵌入式EEPROM的品種,與閃存類似,需要額外的掩模層和工藝步驟,因此,老一代技術(shù)的成本優(yōu)勢蕩然無存。

在重要的熱門市場中的許多玩家已經(jīng)轉(zhuǎn)向采用以Logic CMOS工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的NVM方案。Logic CMOS工藝技術(shù)不僅僅與電源管理之類的熱門市場應(yīng)用的CMOS工藝目標(biāo)直接兼容,而且具有強(qiáng)大的高性能和低成本組合,使之完美地適用于嵌入式NVM。

電源管理選項(xiàng)和折衷

采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝技術(shù),能夠進(jìn)行極高水平的集成并實(shí)現(xiàn)低電壓工作,但是,為這些芯片提供電源管理卻面臨特殊的挑戰(zhàn)。對于高性能微處理器,電流需求呈指數(shù)增長,其發(fā)展甚至受到越來越快的時(shí)鐘速率的驅(qū)動(dòng)。隨著處理器電流遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于100A,在芯片級和系統(tǒng)級設(shè)計(jì)中,對精確、低噪聲電源及電源控制靈活性的需求已經(jīng)成為關(guān)注的焦點(diǎn)。

對于電源管理IC設(shè)計(jì)工程師來說,盡管成本已經(jīng)成為主要關(guān)注,可是終究要找到一個(gè)綜合考慮了設(shè)計(jì)架構(gòu)、裸片大小和工藝技術(shù)的聚合點(diǎn),以設(shè)計(jì)出具有小計(jì)數(shù)位的NVM(典型值是512字節(jié))。在電源管理IC的情形下,較老的工藝技術(shù)(例如0.35um)肯定成本最低,但是,它們的性能也相當(dāng)?shù)?,并且缺乏領(lǐng)先的庫和知識產(chǎn)權(quán)(IP)的可用性,從而不能獲得競爭差異的優(yōu)勢。同樣,它們不能滿足侵略性和創(chuàng)新設(shè)計(jì)的目標(biāo)。

一方面,領(lǐng)先的工藝技術(shù)(從90nm到60nm)在非常特殊的應(yīng)用中占有地位,這些工藝非常昂貴,更不要說針對這些工藝的長期設(shè)計(jì)計(jì)劃將需要同時(shí)冒風(fēng)險(xiǎn)對重要的單元庫元件進(jìn)行質(zhì)量認(rèn)證(將需要冒著風(fēng)險(xiǎn)采用許多未經(jīng)質(zhì)量認(rèn)證的重要單元庫元件)。因?yàn)樽罱K的成本和對市場交貨時(shí)間的潛在沖擊,對于大多數(shù)應(yīng)用產(chǎn)品來說,此刻最好仔細(xì)地進(jìn)行設(shè)計(jì)。

另一方面,0.25um邏輯CMOS工藝(向下有0.18um和0.13um)容易滿足電源管理IC設(shè)計(jì)對成本、性能及庫可用性的目標(biāo)要求,這些技術(shù)既先進(jìn)且穩(wěn)定。此外,其普及程度高,具有競爭成本優(yōu)勢;同等重要的是可以利用經(jīng)過驗(yàn)證的、符合質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)(或即將被質(zhì)量認(rèn)證)的先進(jìn)NVM模塊。
  
關(guān)于方程式的設(shè)計(jì)架構(gòu)側(cè),在對參考電壓和電流、放大器偏置及其它模擬參數(shù)的調(diào)校中,NVM已經(jīng)成為具有如此吸引力的單元,以至于其應(yīng)用已經(jīng)事實(shí)上被新興的PMBus(電源管理總線)標(biāo)準(zhǔn)所統(tǒng)治。利用這種新型的數(shù)字電源管理通信協(xié)議,PMBus指令被用于設(shè)置電源的工作參數(shù)(通過編程N(yùn)VM)、監(jiān)視工作過程并也在響應(yīng)錯(cuò)誤中執(zhí)行正確的操作。在這種情形下,小計(jì)數(shù)位NVM應(yīng)該顯而易見,以平均偶然的觀測結(jié)果。缺省的通道電壓、上拉及下拉電阻的方向和類型、各種GPIO的特性、電壓斜波次數(shù)、打開及關(guān)閉序列等等這些可配置的數(shù)值,都有效和方便地儲(chǔ)存在嵌入式NVM之中。

在精確校準(zhǔn)數(shù)字電壓調(diào)整和轉(zhuǎn)換電路的需求驅(qū)動(dòng)下,必要的數(shù)值在生產(chǎn)過程中被最佳地寫入片上的一小段NVM之中。在這一點(diǎn)不僅僅要對整個(gè)存儲(chǔ)器編程和測試,還要同時(shí)驗(yàn)證NVM中儲(chǔ)存的特殊配置設(shè)置,從而極大地增強(qiáng)了電源管理模塊的最終測試良率。最后,當(dāng)產(chǎn)品被升級或在現(xiàn)場被重新配置的時(shí)候,固件修補(bǔ)也會(huì)受到NVM內(nèi)容的極大支持。

本文小結(jié)

從前后模擬整修到升級現(xiàn)場產(chǎn)品,多次可編程N(yùn)VM提供了重要的功能,不僅僅是創(chuàng)新工具,而且是實(shí)用器件。在電源管理之類的熱門市場應(yīng)用中,意味著制造商能夠在開發(fā)周期期間多次重新對器件編程,從而能夠靈活地快速響應(yīng)瞬息萬變的市場需求,更不要說在現(xiàn)場簡化制造業(yè)務(wù)、提高性能并更正問題的好處了。

利用針對若干應(yīng)用而優(yōu)化的架構(gòu),并采用從16位到256位(具有無數(shù)的功能選項(xiàng))的配置,Impinj公司的嵌入式AEON NVM方案在電源管理應(yīng)用中適合于降低成本、提高性能、增加功能、加強(qiáng)安全性、提高可靠性并縮短市場時(shí)間。通過利用先進(jìn)的通用CMOS工藝技術(shù),AEON NVM不需要額外的掩模層或處理步驟(與閃存或EEPROM不同);且與OTP/多狀態(tài)熔絲(poly fuse)方案不同,它可以多次編程。

Impinj公司采用邏輯CMOS工藝的AEON多次可編程N(yùn)VM是Primarion公司DiPOL PX7510電源管理控制器SoC設(shè)計(jì)的關(guān)鍵元件。

來自Impinj公司的集成AEON NVM特別適合于Primarion公司的電源管理應(yīng)用,其中僅僅需要很少的存儲(chǔ)器。

集成NVM可以極大地降低整個(gè)外部閃存的成本和電路板的面積。

Impinj公司的AEON NVM采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝實(shí)現(xiàn),不需要額外的處理步驟。

PMBus建立電源管理標(biāo)準(zhǔn)

盡管PMBus的歷史相對短暫,但是其倡議已經(jīng)獲得了壓倒多數(shù)的支持。僅僅在一年前的2005年3月,官方的1.0版本協(xié)議規(guī)范就由系統(tǒng)管理接口論壇公司發(fā)布。在寫作本文的時(shí)候,接受PMBus的公司已經(jīng)由8家增加到現(xiàn)在的24家,且包括許多著名的半導(dǎo)體公司和電源管理公司,其中幾家已經(jīng)向市場推出符合PMBus的產(chǎn)品。

PMBus定義了與電源轉(zhuǎn)換器或IC進(jìn)行數(shù)字通信的通用語言或協(xié)議。盡管PMBus規(guī)范并未針對特殊的產(chǎn)品,人們普遍公認(rèn)大多數(shù)成功產(chǎn)品的實(shí)現(xiàn)都要采用某種NVM。其驅(qū)動(dòng)力在于:OEM需要可以任意重編程的、靈活的交鑰匙方案,而不需要做硬件改變或PCB重新設(shè)計(jì)。片上NVM還容許將通用電源管理IC或轉(zhuǎn)換器編程為具有若干獨(dú)特的特性,從而極大地減少各種SKU的數(shù)量,并簡化OEM或子合同制造商的庫存管理。

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