0 引言

隨著航天技術(shù)的發(fā)展，FPGA 等大規(guī)模邏輯器件越來(lái)越成為不可缺的角色; 同時(shí)處理數(shù)據(jù)量的增大、以及各類型接口電路的交叉使用，使得合理、可靠的高速接口設(shè)計(jì)成為衡量設(shè)計(jì)優(yōu)劣的關(guān)鍵。而由于空間環(huán)境的特殊性，導(dǎo)致近年來(lái)在軌衛(wèi)星產(chǎn)品中單粒子翻轉(zhuǎn)( SEU) 頻發(fā)，使得設(shè)計(jì)人員必須考慮將以SRAM 為基礎(chǔ)的FPGA 設(shè)計(jì)移植到更為可靠的ASIC或反熔絲FPGA.

DDR( Double DataRate) 是雙倍速率讀寫技術(shù)的意思。傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理方式在1 個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸1 次數(shù)據(jù)，是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸; 而DDR 內(nèi)存則是1 個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸2 次數(shù)據(jù)，能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸1 次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率讀寫技術(shù)。采用DDR 技術(shù)可以在相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。

文章根據(jù)實(shí)際的背景應(yīng)用提出一種基于Actel公司RTAX-S 系列耐輻射反熔絲FPGA 芯片RTAX250S 的高速DDR 接口設(shè)計(jì)方法，并通過(guò)Actel公司IDE V9. 0 編譯軟件和Modelsim 6. 5d 仿真軟件進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。該方法已用在某星載GMSK 調(diào)制器上，獲得了良好的效果。

1 DDR 高速接口設(shè)計(jì)

1. 1 RTAX – S 系列反熔絲FPGA 的特點(diǎn)

對(duì)于衛(wèi)星應(yīng)用，設(shè)計(jì)人員在選擇可選的技術(shù)時(shí)一向十分為難。在可編程器件領(lǐng)域，其中就包括了專用集成電路( ASIC) 、以SRAM 為基礎(chǔ)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列FPGA 和以反熔絲為基礎(chǔ)的FPGA.由于沒(méi)有一種技術(shù)是萬(wàn)能的，衛(wèi)星設(shè)計(jì)人員與所有設(shè)計(jì)人員一樣面對(duì)同樣的挑戰(zhàn)，需要針對(duì)特定的應(yīng)用權(quán)衡取舍各種特性以找出最佳方案。

以往的設(shè)計(jì)中，以SRAM 為基礎(chǔ)的FPGA ( 以Xilinx 產(chǎn)品為代表) 有著更多的應(yīng)用，其優(yōu)勢(shì)在于擁有高邏輯密度和高靈活性，而作為航天應(yīng)用，其致命的缺點(diǎn)是所有SRAM 都易受高強(qiáng)度宇宙輻射所影響，來(lái)自宇宙射線中的重離子很容易在SRAM 單元中或附近沉積足夠的電荷導(dǎo)致單一數(shù)據(jù)位出錯(cuò)即單粒子翻轉(zhuǎn)( SEU) ,而且由于SRAM 型FPGA 在SRAM開(kāi)關(guān)中存儲(chǔ)其邏輯配置，因此很容易出現(xiàn)配置擾亂導(dǎo)致電路的布局和功能受到破壞，這些錯(cuò)誤非常難以檢測(cè)和糾正，并且?guī)缀醪豢赡茴A(yù)防，因?yàn)榕渲瞄_(kāi)關(guān)在SRAM FPGA 的整個(gè)SRAM 數(shù)據(jù)位中超過(guò)90% ,輻射誘發(fā)的配置擾亂可導(dǎo)致系統(tǒng)失效。

對(duì)于衛(wèi)星設(shè)備，ASIC 是具有最高密度最小重量和最低功耗的解決方案，然而卻缺乏FPGA 所提供的靈活性。而且當(dāng)把設(shè)計(jì)工具成本、校驗(yàn)時(shí)間和非經(jīng)常性工程費(fèi)用( NRE) 一并考慮之后，ASIC 也是成本較高的解決方案。

與可重新配置的SRAM 型FPGA 不同，基于反熔絲解決方案的FPGA 采用一次性編程( OTP) .其優(yōu)點(diǎn)為固有的非揮發(fā)性以及在每次啟動(dòng)時(shí)無(wú)須進(jìn)行強(qiáng)制性的器件配置。與ASIC 一樣，反熔絲FPGA 的上電即行功能使其成為真正的單芯片解決方案。在各種學(xué)術(shù)會(huì)議上已發(fā)表了許多輻射測(cè)試數(shù)據(jù)，如IEEE 的核空間輻射影響會(huì)議( NSREC) 、NASA 的軍事和航天可編程邏輯器件國(guó)際會(huì)議( MAPLD) ,事實(shí)上，多年的測(cè)試證明，耐輻射的反熔絲FPGA 具有SEU 免疫力，其性能也不會(huì)因TID( 總電離劑量) 隨時(shí)間積累而發(fā)生劣化。眾所周知，邏輯觸發(fā)器中的數(shù)據(jù)易被宇宙輻射線所破壞，與SRAM 方案采用軟TMR( 三模冗余) 方法不同，Actel 開(kāi)發(fā)的耐輻射反熔絲FPGA RTAX-S 系列通過(guò)架構(gòu)的提升解決了這個(gè)問(wèn)題，其中每個(gè)觸發(fā)器實(shí)際上是由3 個(gè)觸發(fā)器和1個(gè)表決電路組成，此舉可讓設(shè)計(jì)人員獲得優(yōu)于63MeV-cm2 /mg 的LETth,可以滿足大多衛(wèi)星項(xiàng)目的TID 要求。

1. 2 典型高速接口電路應(yīng)用目標(biāo)

文章中高速接口方案的應(yīng)用目標(biāo)為GMSK 調(diào)制器中基帶數(shù)據(jù)的數(shù)字高斯濾波。

GMSK 調(diào)制是一種典型的恒包絡(luò)數(shù)字調(diào)制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)方法的流程圖如圖1 所示，一路待調(diào)制的基帶數(shù)據(jù)從A 處進(jìn)入FPGA,FPGA 內(nèi)部通過(guò)查表的方式得到量化后的波形數(shù)據(jù)，并分別從B 處和C 處將其送給2 片DAC,得到需要的I、Q 路波形，從而完成基帶數(shù)據(jù)的數(shù)字高斯濾波。

硬件電路的關(guān)鍵是高速DAC 器件的選擇。方案中需要DAC 實(shí)現(xiàn)4 倍采樣，即圖1 中A 處每輸入1 個(gè)碼元，B 處和C 處都要分別產(chǎn)生4 個(gè)點(diǎn)的量化信息給DAC.以115Mbps 碼速率為例，DAC 的采樣時(shí)鐘應(yīng)當(dāng)為115MHz × 4 = 460MHz,如果使用傳統(tǒng)的單路DAC,則FPGA 主時(shí)鐘工作在460MHz,目前宇航級(jí)FPGA 無(wú)法滿足這一速率。方案中選擇了TI 公司最新的高速DAC 產(chǎn)品DAC5670,它在最高采樣頻率達(dá)到2.4GHz 的同時(shí)，內(nèi)部集成了并串轉(zhuǎn)換模塊，這使得FPGA 的處理速率至少可以降低一半，即230MHz.

圖1 應(yīng)用目標(biāo)實(shí)現(xiàn)流程圖DAC5670

DAC5670 器件手冊(cè)推薦的接口框圖如圖2 所示。

器件工作原理如下： 頻率源輸出400MHz 采樣時(shí)鐘，通過(guò)變壓器進(jìn)行單端轉(zhuǎn)差分輸入DAC 采樣鐘輸入口( DACCLK) ,DAC 內(nèi)部進(jìn)行2 級(jí)2 分頻并延遲后得到LVDS 電平115MHz 時(shí)鐘( DLYCLK) 輸出給FPGA 做數(shù)字處理，F(xiàn)PGA 處理完成后輸出LVDS的100MHz1 路時(shí)鐘( DTCLK) 和2 路14bit 的量化數(shù)據(jù)( DA( 13: 0) 和DB( 13: 0) ) .時(shí)鐘與數(shù)據(jù)的關(guān)系必須滿足圖3 所示的時(shí)序。DAC 內(nèi)部的鎖相電路將DTCLK 與器件內(nèi)部的100MHz 進(jìn)行鑒相，如果存在相差則調(diào)整DLYCLK 的延遲量，直到同步，從而保證采樣鐘DACCLK 能夠?qū)A( 13: 0) 和DB( 13: 0) 進(jìn)行正確采樣。

1. 3 高速接口方案設(shè)計(jì)

本應(yīng)用目標(biāo)對(duì)FPGA 和DAC 之間的高速接口提出如下要求：

( a) DAC 輸出1 路115MHz 時(shí)鐘給FPGA;( b ) FPGA 輸出1 路115MHz 時(shí)鐘和2 路230Mbps 數(shù)據(jù)給每片DAC.

針對(duì)這一需求，考慮到FPGA 資源余量較大，為了降低系統(tǒng)運(yùn)行速率，程序設(shè)計(jì)中遵循了用面積換取速度的原則，先采用115MHz 時(shí)鐘進(jìn)行并行處理，產(chǎn)生4 路115Mbps 的14bit 量化數(shù)據(jù)，在輸出接口處將其轉(zhuǎn)換為2 路230Mbps 的14bit 量化數(shù)據(jù)，這樣可以使系統(tǒng)時(shí)鐘的速率降低一半。處理流程如圖4 所示。

輸出端接口變換部分是我們討論的重點(diǎn)，它對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行4 路到2 路的轉(zhuǎn)換，量化數(shù)據(jù)從115Mbps提高到230Mbps,有2 種方式可以實(shí)現(xiàn)：

方式一： 對(duì)輸入115MHz 時(shí)鐘進(jìn)行2 倍頻得到230MHz 時(shí)鐘，使用異步FIFO 對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行4 路寫入，2 路讀出，寫鐘為115MHz,讀鐘為230MHz.

方式二： 將4 路14bit 的量化數(shù)據(jù)分為2 組，每一組均使用115MHz 時(shí)鐘進(jìn)行DDR 輸出接口處理，從而使每一組的輸出均達(dá)到230MHz.

下面對(duì)2 種方式的可行性進(jìn)行分析。

對(duì)于方式一，實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵在于2 倍頻時(shí)鐘的產(chǎn)生。按照手冊(cè)描述，Actel 公司AX 系列芯片作為反熔絲FPGA 中處理能力最強(qiáng)的器件，內(nèi)部處理時(shí)鐘最高可以達(dá)到350MHz,且芯片內(nèi)部集成了PLL( 延遲鎖相環(huán)) 資源，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)字時(shí)鐘信號(hào)的倍頻和分頻。而選擇RTAX-S 系列在AX 的基礎(chǔ)上進(jìn)行了耐輻射能力加強(qiáng)，同時(shí)去掉了PLL 資源，原因是Actel公司通過(guò)實(shí)驗(yàn)證明PLL 資源在空間環(huán)境中使用是不可靠的，這意味著倍頻無(wú)法在FPGA 內(nèi)部實(shí)現(xiàn)。

因此，如果采用方式一，需要在FPGA 外部增加一個(gè)2 倍頻的器件，還要增加相應(yīng)的電平匹配的電路，這一切對(duì)于230MHz 的數(shù)字時(shí)鐘信號(hào)實(shí)現(xiàn)上難度較大。

對(duì)于方式二，實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵在于DDR 輸出。通過(guò)查閱器件手冊(cè)可知，Actel 公司的RTAX – S 系列與Xilinx 公司SRAM 型FPGA 不同，其內(nèi)部并沒(méi)有現(xiàn)成的DDR 輸出模塊可以調(diào)用，但是其內(nèi)部有一種叫做Multiplexor 的多路選擇器資源，可以實(shí)現(xiàn)多路輸入到多路輸出的選擇控制，如圖5 所示。

如果將其輸入Data 設(shè)置為2 路，輸出Result 設(shè)置為1 路，而時(shí)鐘作為控制信號(hào)SEL,則應(yīng)當(dāng)可以實(shí)現(xiàn)DDR 的效果。具體實(shí)現(xiàn)框圖如圖6 所示。

圖6 框圖實(shí)現(xiàn)的時(shí)序如圖7 所示，從圖7 可以看出兩路數(shù)據(jù)在DDR 變換后交替輸出，速率提高一倍，其中DR( 數(shù)據(jù)1) 先輸出，DF( 數(shù)據(jù)2) 后輸出。[!--empirenews.page--]

2 仿真及優(yōu)化

在Actel 公司的編程環(huán)境IDE V9. 0 中進(jìn)行編程仿真。使用Modelsim 6. 5d 進(jìn)行行為仿真，仿真波形如圖8 所示。由圖8 可見(jiàn)變換后數(shù)據(jù)符合預(yù)期，功能實(shí)現(xiàn)正確。

使用Modelsim 6. 5d 進(jìn)行布局布線后仿真，仿真波形如圖9 所示。由圖9 可見(jiàn)各路數(shù)據(jù)均存在毛刺，毛刺的最大寬度達(dá)到了1. 8ns,這超出了DAC 器件對(duì)于輸入并行數(shù)據(jù)相位差小于1ns 的要求。可能導(dǎo)致DAC 采樣錯(cuò)誤。

分析最終輸出數(shù)據(jù)毛刺產(chǎn)生的原因，應(yīng)當(dāng)是每路數(shù)據(jù)的14bit 單獨(dú)信號(hào)之間路徑的延時(shí)不同導(dǎo)致的。而數(shù)據(jù)在輸出之前大部分環(huán)節(jié)都是由全局時(shí)鐘進(jìn)行同步處理，可以保證嚴(yán)格的同步，除了選擇器Multiplexor 輸出到IO 端口部分走線，因?yàn)樵贛ultiplexor的輸出環(huán)節(jié)不會(huì)再有時(shí)鐘采樣，因此該部分多路信號(hào)延遲差異無(wú)法消除。檢查布局布線后底層的布局圖，如圖10 所示，深黑色的單元即為Multiplexor,顯然各個(gè)Multiplexor 與對(duì)應(yīng)IO 口的距離差別較大，驗(yàn)證了之前的分析。

根據(jù)前段分析，對(duì)Multiplexor 的位置進(jìn)行手動(dòng)優(yōu)化，即在底層布局圖中將所有Multiplexor 均調(diào)整到盡量接近IO 端口的位置，保證多路信號(hào)在Multiplexor后端延遲盡量一致，優(yōu)化后鎖定這些Multiplexor的位置，如圖11 所示。

優(yōu)化Multiplexor 布局后重新進(jìn)行后仿真，仿真結(jié)果如圖12 所示。由圖12 可見(jiàn)，最大毛刺寬度僅為500ps 左右，完全滿足DAC 要求的1ns.可見(jiàn)，優(yōu)化后的方案合理、可行的實(shí)現(xiàn)了要求的功能。

圖12 優(yōu)化底層布局中Multiplexor 位置后的后仿真

文章中闡述的方法不僅僅局限于FPGA 與DAC之間的接口設(shè)計(jì)，也適用于FPGA 與其他高速芯片的通信，例如FPGA、DSP、SDRAM 等等支持DDR 接口的器件，同時(shí)，對(duì)于板級(jí)及單元級(jí)的通信，使用該方法可以有效降低線纜傳輸信號(hào)速率，使得系統(tǒng)各個(gè)環(huán)節(jié)的設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)單。

3 結(jié)束語(yǔ)

文章分析了Actel 公司反熔絲FPGA 相對(duì)于常用的SRAM 型FPGA 在衛(wèi)星產(chǎn)品中應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)，并就一種常見(jiàn)的應(yīng)用目標(biāo)，提出基于Actel 公司RTAX-S 系列抗輻射反熔絲FPGA 的高速DDR 輸出接口的設(shè)計(jì)方法，并通過(guò)優(yōu)化得到符合要求的結(jié)果，為反熔絲FPGA 在衛(wèi)星產(chǎn)品中的高速設(shè)計(jì)、應(yīng)用提供了技術(shù)保障。