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[導(dǎo)讀]目前,模塊電源的設(shè)計(jì)日趨規(guī)范化,控制電路傾向于采用數(shù)字控制方式,非隔離式DC-DC變換器(包括VRM)比隔離式增長(zhǎng)速度更快。隨著半導(dǎo)體工藝和封裝技術(shù)的改進(jìn),高頻軟開(kāi)關(guān)技

目前,模塊電源的設(shè)計(jì)日趨規(guī)范化,控制電路傾向于采用數(shù)字控制方式,非隔離式DC-DC變換器(包括VRM)比隔離式增長(zhǎng)速度更快。隨著半導(dǎo)體工藝和封裝技術(shù)的改進(jìn),高頻軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的大量應(yīng)用,模塊電源的功率密度越做越高,模塊電源的功率變換效率也越來(lái)越高,體積越來(lái)越小,出現(xiàn)了芯片級(jí)的模塊電源。模塊電源普遍用于交流設(shè)備、接入設(shè)備、挪動(dòng)通訊、微波通訊以及光傳輸、路由器等通訊范疇和汽車電子、航空航天等。其特點(diǎn)是可為專用集成電路(ASIC)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、微處理器、存儲(chǔ)器、現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)及其他數(shù)字或模擬負(fù)載提供供電。模塊電源的噪聲測(cè)試主要分為三點(diǎn),如下:
1、測(cè)試條件:模塊電源交流輸入電壓220V,輸出滿載(對(duì)于多路輸出,各路均滿載)
(可根據(jù)需要設(shè)定交流輸入電壓90V,220V,265V,滿載輸出條件下測(cè)試)。
2、測(cè)試方法:測(cè)試時(shí),示波器TIME/DIV檔置10uS/div,帶寬置20MHz,讀取示波器顯示的輸出電壓峰-峰值即為輸出紋波電壓(包含毛刺在內(nèi)的峰-峰值為紋波+噪音)。
1)模塊電源的輸入電壓調(diào)整為標(biāo)稱電壓,調(diào)整輸出電流為額定電流。
2)模塊電源紋波通常用峰-峰值表示。主要的測(cè)試方法。
模塊電源紋波和雜音是疊加在直流輸出電壓上的交流成分,對(duì)紋波和噪音的測(cè)量在額定負(fù)載和常溫下進(jìn)行。對(duì)于開(kāi)關(guān)型的AC/DC模塊電源而言,輸出紋波電壓為一系統(tǒng)帶有高頻分量的小脈沖,因此通常測(cè)量峰-峰值,而不是有效值(RMS)。其測(cè)量值用毫伏峰-峰值(mVp-p)表示。例如當(dāng)一個(gè)AC/DC模塊電源的紋波峰-峰值為50mV時(shí),其RMS值很低,僅為5mV,但是否能用于某一系統(tǒng),必須要進(jìn)一步考慮才行。
因?yàn)樗鶞y(cè)量的紋波中含有的高頻分量,必須使用特殊的測(cè)量技術(shù),才能獲得正確的測(cè)量結(jié)果。為了測(cè)出紋波尖峰中的所有高頻諧波,一般要用20MHz帶寬的示波器。
其次在進(jìn)行紋波測(cè)量時(shí),必須非常注意,防止將錯(cuò)誤信號(hào)引入測(cè)試設(shè)備中。測(cè)量時(shí)必須去掉探頭地線夾,因?yàn)樵谝粋€(gè)高頻輻射場(chǎng)中,地線夾會(huì)象一個(gè)天線一樣接受噪音,干擾測(cè)量結(jié)果。用帶有接地環(huán)的探頭的測(cè)量方法來(lái)消除干擾。
為一種使用50Ω同軸電纜來(lái)測(cè)量模塊電源輸出紋波電壓的方法。同軸電纜直接與示波器連結(jié)。為降低噪音,測(cè)量時(shí)應(yīng)使用一個(gè)鋁或銅的接地板。測(cè)量值為實(shí)際值的1/2.
為另一種采用雙紋線的測(cè)量方法。
把模塊電源放置在一個(gè)離接地板25mm之上的地方,接地板由鋁或銅板構(gòu)成。模塊電源的輸出公共端和AC輸入地端直接與接地板連結(jié),接地線應(yīng)該很粗,而且不長(zhǎng)于50mm.
用16AWG銅線做成300mm長(zhǎng)的雙絞線,一端接電源輸出,另一端并聯(lián)一只47μF的鉭電容,再接到示波器上。電容的引線應(yīng)盡可能短,注意極性不要接反。示波器探頭的“地線”應(yīng)盡可能接到地線環(huán),示波器帶寬不小于50MHz,示波器本身交流應(yīng)接地。
3、輸出雜音測(cè)試(選測(cè)內(nèi)容,分為峰-峰值雜音,電話衡重雜音,寬頻雜音,離散雜音)。
目前,國(guó)內(nèi)市場(chǎng)運(yùn)用模塊電源的主要供給商為VICOR、ASTEC、LAMBDA、ERICCSON以及POWER-ONE.由于各公司生產(chǎn)的模塊電源的類別、系列、規(guī)格品種難以數(shù)計(jì),故其功能特性和物理特性不盡相同,因此在安裝、使用與維護(hù)方面也各有不同,隨著半導(dǎo)體工藝、封裝技術(shù)和高頻軟開(kāi)關(guān)的大量運(yùn)用,模塊電源功率密度越來(lái)越大,轉(zhuǎn)換效率越來(lái)越高,應(yīng)用也越來(lái)越簡(jiǎn)單。

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