隨著半導體工藝進入7nm及以下先進節(jié)點,器件尺寸的持續(xù)縮小導致可靠性問題日益凸顯。其中,負偏壓溫度不穩(wěn)定性(Negative Bias Temperature Instability, BTI)和熱載流子注入(Hot Carrier Injection, HCI)效應(yīng)成為影響芯片長期穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)基于經(jīng)驗模型的可靠性分析方法已難以滿足先進工藝的精度需求,而基于物理機制的仿真與參數(shù)提取技術(shù)成為解決這一難題的核心路徑。本文從BTI/HCI效應(yīng)的物理機制出發(fā),系統(tǒng)探討先進工藝節(jié)點下的可靠性建模方法,并分析其技術(shù)挑戰(zhàn)與未來方向。
隨著芯片設(shè)計復雜度的提升,時鐘網(wǎng)絡(luò)功耗已成為系統(tǒng)級功耗的重要組成部分。時鐘門控技術(shù)通過動態(tài)關(guān)閉空閑模塊的時鐘信號,可顯著降低動態(tài)功耗。然而,傳統(tǒng)時鐘門控優(yōu)化方法面臨兩大挑戰(zhàn):一是如何精準識別時鐘信號的可控性,二是如何在RTL級實現(xiàn)高效的邏輯優(yōu)化。英諾達(Innoveda)推出的ERPE(Efficient RTL Power Engine)工具,通過可達性分析與邏輯引擎的深度融合,為RTL級時序時鐘門控優(yōu)化提供了創(chuàng)新解決方案。
隨著芯片設(shè)計復雜度的指數(shù)級增長,傳統(tǒng)基于手工編寫的RTL(寄存器傳輸級)代碼開發(fā)模式面臨效率瓶頸。大語言模型(LLM)憑借其強大的自然語言理解與代碼生成能力,為RTL代碼自動化生成提供了全新路徑。本文從需求分析、架構(gòu)設(shè)計、代碼生成到驗證優(yōu)化,系統(tǒng)探討LLM在RTL設(shè)計全流程中的應(yīng)用,并分析其技術(shù)挑戰(zhàn)與未來方向。
隨著數(shù)字集成電路(IC)設(shè)計復雜度的指數(shù)級增長,傳統(tǒng)布局工具在處理超大規(guī)模設(shè)計時面臨計算效率瓶頸。DREAMPlace作為基于深度學習的VLSI布局開源項目,通過引入GPU加速技術(shù),實現(xiàn)了全局布局與詳細布局階段超過30倍的速度提升。本文以DREAMPlace 4.0版本為核心,解析其GPU加速架構(gòu)設(shè)計、性能優(yōu)化策略及工程實踐。
變頻器作為調(diào)節(jié)電動機轉(zhuǎn)速的關(guān)鍵設(shè)備,其電流環(huán)與速度環(huán)的調(diào)節(jié)對于電機穩(wěn)定、高效運行至關(guān)重要。電流環(huán)作為內(nèi)環(huán),負責快速調(diào)節(jié)電機電流;速度環(huán)作為外環(huán),基于電流環(huán)進一步控制電機轉(zhuǎn)速。將深入探討電流環(huán)與速度環(huán)的調(diào)節(jié)方法,分析兩者之間的相互作用,并給出具體調(diào)節(jié)步驟和注意事項,旨在幫助讀者更好地理解和應(yīng)用變頻器技術(shù)。
在電子電路的世界里,電阻是最基礎(chǔ)且不可或缺的元件之一,它如同電路中的 “交通指揮員”,通過阻礙電流的流動,實現(xiàn)對電壓、電流的精準調(diào)控,保障各類電子設(shè)備的正常運行。然而,在實際應(yīng)用中,電阻會因各種因素出現(xiàn)損壞,進而影響整個電路的性能,甚至導致設(shè)備故障。深入了解電子電路中電阻損壞的特點,并掌握有效的判別方法,對于電子工程師、維修人員以及電子愛好者而言,都是一項至關(guān)重要的技能。
差分線對由兩根平行且緊密耦合的信號線組成,這兩根信號線傳輸?shù)男盘柗迪嗟取⑾辔幌喾?。在信號傳輸過程中,接收端通過檢測兩根信號線上的電壓差值來恢復原始信號。例如,當一根信號線上的電壓為 +V 時,另一根信號線上的電壓則為 -V ,接收端通過計算兩者的差值(+V - (-V) = 2V)來獲取信號信息。這種傳輸方式使得差分線對能夠有效抑制共模干擾,因為共模干擾在兩根信號線上產(chǎn)生的影響是相同的,在計算差值時會相互抵消,而差模信號(即需要傳輸?shù)挠杏眯盘?則得以保留。
在各類電子設(shè)備中,電源板扮演著為系統(tǒng)提供穩(wěn)定電力的關(guān)鍵角色,而變壓器作為電源板的核心部件之一,其運行狀態(tài)直接影響著設(shè)備的正常工作。當電源板上的變壓器在頻率變化時發(fā)出響聲,這一現(xiàn)象往往暗示著設(shè)備內(nèi)部存在某些值得關(guān)注的問題。深入探究其中原因,對于保障電子設(shè)備穩(wěn)定運行、提高設(shè)備可靠性具有重要意義。
在現(xiàn)代電氣和電子測量領(lǐng)域,電流探頭作為一種關(guān)鍵的測量工具,能夠精確測量電路中的電流信號,為工程師、技術(shù)人員提供了至關(guān)重要的數(shù)據(jù)支持。無論是在電力系統(tǒng)監(jiān)測、電子設(shè)備研發(fā)與調(diào)試,還是在工業(yè)自動化控制等眾多場景中,電流探頭都發(fā)揮著不可或缺的作用。然而,要充分發(fā)揮電流探頭的性能優(yōu)勢,實現(xiàn)準確測量,同時確保其長期穩(wěn)定運行,正確的使用方法和有效的損壞預防措施至關(guān)重要。
在開關(guān)電源電路中,通常情況下,控制電路和統(tǒng)計反饋電路是低壓電路,而功率電路是高壓電路。
在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域,MOS 場效應(yīng)管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)憑借其獨特優(yōu)勢,如高輸入阻抗、低噪聲、易于集成等,被廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品中,從日常的手機、電腦到復雜的工業(yè)控制、通信設(shè)備等,都離不開 MOS 場效應(yīng)管的身影。然而,MOS 場效應(yīng)管對靜電極為敏感,靜電擊穿問題嚴重影響其性能和可靠性,甚至導致器件永久性損壞,給電子產(chǎn)品的生產(chǎn)、使用和維護帶來諸多困擾。深入探究 MOS 場效應(yīng)管被靜電擊穿的原因,對提升電子產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本、保障設(shè)備穩(wěn)定運行具有重要現(xiàn)實意義。
在科技飛速發(fā)展的當下,航空領(lǐng)域正經(jīng)歷著前所未有的變革。多場景飛行器作為新興力量,逐漸嶄露頭角,其應(yīng)用范圍涵蓋了通用航空、城市交通、物流配送、應(yīng)急救援等諸多領(lǐng)域,為人們的生活和社會發(fā)展帶來了全新的可能。在這一浪潮中,眾多企業(yè)紛紛投身其中,致力于打造多場景飛行器的 “夢之隊”,萬豐奧威便是其中的佼佼者。
在電子電路的廣袤世界里,電感線圈作為一種基礎(chǔ)且關(guān)鍵的電子元件,默默發(fā)揮著不可或缺的作用。從日常使用的手機、電腦,到復雜精密的工業(yè)控制設(shè)備、通信基站,電感線圈無處不在。它能夠儲存和釋放電磁能量,實現(xiàn)濾波、振蕩、變壓等多種功能,宛如電路中的 “能量管家”。而在電感線圈的諸多特性中,其寬度與最大承載電流之間的關(guān)系,猶如隱藏在電路深處的密碼,深刻影響著電路的性能與可靠性。深入探究這一關(guān)系,對于電子工程師們精準設(shè)計電路、優(yōu)化系統(tǒng)性能而言,無疑具有舉足輕重的意義。
在現(xiàn)代電子技術(shù)的飛速發(fā)展中,MDD 超快恢復二極管憑借其反向恢復時間短、開關(guān)損耗低等顯著優(yōu)勢,在高頻開關(guān)電源、功率因數(shù)校正(PFC)電路以及新能源等諸多領(lǐng)域得到了極為廣泛的應(yīng)用。然而,隨著應(yīng)用場景對功率密度和系統(tǒng)可靠性要求的不斷提升,二極管的封裝與散熱問題日益凸顯,成為影響其性能和系統(tǒng)穩(wěn)定性的關(guān)鍵因素。優(yōu)化 MDD 超快恢復二極管的封裝與散熱設(shè)計,對于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性、延長設(shè)備使用壽命具有至關(guān)重要的意義。
在數(shù)字信號處理領(lǐng)域,濾波器作為一種重要的工具,用于對信號進行篩選、增強或抑制特定頻率成分。FIR(有限脈沖響應(yīng))濾波器和 IIR(無限脈沖響應(yīng))濾波器是其中最為常用的兩種類型,它們在結(jié)構(gòu)、性能、設(shè)計方法以及應(yīng)用場景等方面存在諸多顯著區(qū)別。深入了解這些區(qū)別,對于工程師在實際項目中選擇合適的濾波器類型至關(guān)重要。