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[導讀]中芯國際聯(lián)席 CEO 梁孟松透露, 中芯國際將在 2018 年下半年量產(chǎn) 28nm HKC+工藝,2019 年上半年開始試產(chǎn) 14nm FinFET 工藝,并藉此進入 AI 芯片領域。

中芯國際聯(lián)席 CEO 梁孟松透露, 中芯國際將在 2018 年下半年量產(chǎn) 28nm HKC+工藝,2019 年上半年開始試產(chǎn) 14nm FinFET 工藝,并藉此進入 AI 芯片領域。

梁孟松表示,28nm 工藝在整個 2018 年將占據(jù)中芯國際出貨量的 5-10%,其中新的 28nm HKC 占比將基本接近 28nm Poly-SiON。

2017 年第四季度,中芯國際深圳 200 毫米晶圓廠的產(chǎn)能為 442750 塊晶圓,2018 年第一季度提升至 447750 塊,平均產(chǎn)能利用率也提高到 88.3%。

同時,來自電源管理 IC 的需求也越來越高,200 毫米晶圓廠正全力生產(chǎn),高壓 BCD 工藝則轉(zhuǎn)向其 300 毫米晶圓廠。

2017 年,中芯國際收入 31.01 億美元,同比增長 6.4%,毛利率 23.9%,同比下降 5.3 個百分點,凈利潤 10.81 億美元,同比增長 10.6%。

其中,28nm 工藝貢獻的收入增長 4.4 倍創(chuàng)造新高,總體占比為 8.0%,

中芯國際聯(lián)系 CEO 趙海軍透露,2018 年第一季度中芯國際收入 8.31 億美元,毛利率 26.5%,研發(fā)投入 1.23 億美元,預計第二季度收入環(huán)比增長 7-9%,毛利率 23-25%。

趙海軍表示, 中芯國際 40%的收入都來自中國內(nèi)地。

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