臺積電在近日舉行的臺積電2011技術(shù)研討會上推出了業(yè)界首個專為智能手機、平板電腦芯片優(yōu)化的制程工藝。

臺積電研發(fā)部高級副總裁蔣尚義（Shang-Yi Chiang）表示，新制程技術(shù)隸屬于28納米工藝，名為28HPM（高性能移動制程工藝），專為智能機、平板電腦及其相關產(chǎn)品的芯片設計。

臺積電新制程工藝可能是為蘋果產(chǎn)品而設計，此前有傳聞稱臺積電將為蘋果代工下一代A5處理器芯片。除蘋果外，臺積電還可能將新工藝用于智能機和平板電腦領域的廠商產(chǎn)品，比如英偉達、高通。當被問及28HPM工藝是否專為單一客戶而設計時，蔣尚義表示新工藝適用于基于ARM架構(gòu)的處理器芯片。

臺積電目前擁有3種28納米制程工藝：第一種是基于硅氧化物柵層疊（gate-stack）技術(shù)的低功耗CLN28LP工藝；另外兩種則是基于第一代HKMG（high-k絕緣層+金屬柵極）工藝技術(shù)，一個是低功耗CLN28HPL工藝，另外一種是高性能CLN28HP工藝。

蔣尚義稱，臺積電的HKMG技術(shù)已經(jīng)通過了完全可能性認證，并正向兩家客戶出貨晶圓原型品。他還否認了業(yè)界關于臺積電28納米技術(shù)延期的報道，蔣尚義說：“我們沒有耽誤任一客戶。”

在進入20納米工藝之前，臺積電還將推出另外一種28納米工藝CLN28HPM。新工藝同樣基于第一代HKMG技術(shù)，它可使得應用處理器和相關產(chǎn)品的主頻遠高于1.8GHz（功耗440毫瓦）。

和其它28納米工藝一樣，CLN28HPM核心電壓在0.9伏，可支持1.8伏、2.5伏的I/O電壓，將于今年四季度量產(chǎn)。臺積電還再次提到了此前宣布的幾種20納米制程，這包括CLN20G（20納米通用制程）和CLN20SOC，它們均基于臺積電HKMG制程，其中CLN20G定于 2012年第四季度試產(chǎn)，而CLN20SOC則定于2013年第二季度試產(chǎn)。