轉自臺灣新電子的消息，NAND快閃記憶體(NAND Flash Memory)業(yè)者正對三層式儲存(TLC)顆粒的固態(tài)硬盤市場虎視眈眈。繼三星(Samsung)于2012下半年以其優(yōu)良的控制技術，成功推出具性價比優(yōu)勢的TLC固態(tài)硬盤后，亦間接吸引了NAND快閃記憶體業(yè)者強化其控制技術，以期能循三星模式搶進低價的TLC固態(tài)硬盤市場。

集邦科技記憶體儲存事業(yè)處協(xié)理楊文得表示，在NAND快閃記憶體業(yè)者競相投入布局下，TLC固態(tài)硬盤可望挾高性價比優(yōu)勢擴大滲透消費性市場。

集邦科技記憶體儲存事業(yè)處協(xié)理楊文得表示，三星從前年開始便積極布局以TLC顆粒打造的固態(tài)硬盤技術，并成功在去年推出產(chǎn)品;而產(chǎn)品甫一上市便憑藉極具吸引力的售價和優(yōu)異的性價比在消費性電子與個人電腦原始設備制造商(OEM)間取得廣大回響，這不僅讓部分憑藉低價搶市的固態(tài)硬盤業(yè)者面臨到不小壓力，亦吸引了與三星同為NAND快閃記憶體的供應商對TLC固態(tài)硬盤市場的垂涎。

楊文得進一步指出，TLC顆粒的最大優(yōu)勢在于成本低廉，其與單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)顆粒的價差幅度約在15～20%。不過TLC顆粒雖具成本優(yōu)勢，但在使用壽命、速度、可靠性和錯誤率等方面卻有不少為人詬病的缺點，須以先進的控制技術及大量的預留空間(Over- provisioning)來進行糾錯及校準。

為此，三星砸下許多資源，透過旗下記憶體與大規(guī)模積體電路(LSI)兩大事業(yè)體的密切合作，不僅自行開發(fā)出優(yōu)良的控制技術，更解決了TLC顆粒大部分的缺點，并成功將其導入于固態(tài)硬盤內(nèi)，此舉亦進一步激勵其他NAND快閃記憶體業(yè)者開始透過自行開發(fā)及購并等方式以掌握固態(tài)硬盤控制技術。

楊文得舉例，除了SK海力士(SK Hynix)在去年購并固態(tài)硬盤控制器廠商Link A Media Devices(LAMD)之外，日前東芝(Toshiba)購并饑餓鯊(OCZ)亦出同理;他指出，事實上饑餓鯊并不同于一般的固態(tài)硬盤模組廠，其于 2011年購并控制器廠商Indilinx后即坐擁相關專利約20項，東芝愿意收購的原因之一即是看上其具有控制技術的競爭優(yōu)勢，且饑餓鯊在消費型固態(tài)硬盤市場的高知名度，亦能協(xié)助東芝突破在該市場長期以來難施展拳腳的窘境。

值得注意的是，NAND快閃記憶體業(yè)者坐擁控制技術后，將積極以上下游垂直整合的方式布局各領域的固態(tài)硬盤市場;其中，消費型固態(tài)硬盤市場中更可望出現(xiàn)各種具性價比優(yōu)勢的TLC固態(tài)硬盤方案。楊文得透露，在2014下半年，東芝及新帝(SanDisk)即可能在消費型固態(tài)硬盤市場中推出TLC固態(tài)硬盤，且其他NAND快閃記憶體業(yè)者亦將接力跟進。

換言之，未來TLC顆粒在消費型及PC-OEM固態(tài)硬盤市場的采用比例將逐漸擴大，間接壓縮MLC顆粒在消費型固態(tài)硬盤市場的生存空間;不過楊文得指出，目前仍屬萌芽期的企業(yè)級市場未來還是以MLC固態(tài)硬盤為主流;而在國防、工業(yè)、交通等高端應用市場中，仍將以SLC固態(tài)硬盤為主。

須注意的是，目前TLC顆粒的制程節(jié)點約在19/20納米，市場預期在2014年底將會到達16納米以下，不過由于TLC顆粒成本下降的幅度無法同步跟上效能演進的速度，屆時其成本優(yōu)勢相較MLC顆?？赡茈y以如現(xiàn)在般彰顯;對此楊文得認為，TLC固態(tài)硬盤目前已滲透至中端產(chǎn)品的應用，即使未來成本效益不彰而流失了中端市場，但對于成本較敏感的低端產(chǎn)品市場仍具有強大的吸引力。