SK海力士(SK Hynix)為轉(zhuǎn)換快閃存儲器(NAND Flash)微細(xì)制程，積極執(zhí)行資本支出，周星工程(Jusung Engineering)等協(xié)力廠商可望受惠。三星電子(Samsung Electronics)計劃在2014年第2季投入NAND制程轉(zhuǎn)換，執(zhí)行資本支出。

據(jù)南韓MT NEWS報導(dǎo)，Eugene Technology、TES、周星工程等南韓半導(dǎo)體設(shè)備廠進(jìn)入2014年后，接下SK海力士等數(shù)百億韓元規(guī)模的制程設(shè)備訂單。未來Kookje Electric、PSK等設(shè)備業(yè)者也將獲得訂單。

截至目前，南韓設(shè)備廠接下的訂單大多集中在半導(dǎo)體前段制程的蒸鍍設(shè)備，其中有大部分是要供應(yīng)到SK海力士的清州廠。

SK海力士的NAND Flash制程將從20納米轉(zhuǎn)換到16納米制程，資本支出將集中在2014年上半執(zhí)行。納米制程是將半導(dǎo)體電路線幅縮小到納米水準(zhǔn)的尖端制程技術(shù)。

與20納米制程相比，16納米制程可將生產(chǎn)性提升30%以上。 SK海力士2014年包含轉(zhuǎn)換16納米制程等，對NAND Flash的資本支出規(guī)模預(yù)估約1.3兆韓元(約12億美元)。

根據(jù)南韓金融監(jiān)督院電子公告系統(tǒng)，Eugene Technology 2014年與SK海力士簽下總規(guī)模350億韓元的半導(dǎo)體蒸鍍設(shè)備訂單。 Eugene Technology的化學(xué)氣相沉積(LPCVD)設(shè)備和電漿處理設(shè)備等，足以與美商應(yīng)材(Applied Materials)和日廠東京電子(Tokyo Electron)等全球性業(yè)者匹敵。

TES第1季就接下SK海力士190億韓元規(guī)模的非晶碳膜(ACL)等蒸鍍設(shè)備訂單。周星工程則將供應(yīng)包含​​新研發(fā)的電漿化學(xué)氣相沉積(SDPCVD)等機(jī)臺，訂單規(guī)模約108億韓元。

此外，Kookje Electric、PSK、KC Tech、GST、STI等也將對SK海力士供應(yīng)擴(kuò)散設(shè)備、剝離設(shè)備、空氣凈化等NAND相關(guān)設(shè)備。

另一方面，繼SK海力士之后，三星也將在第2季投入制程轉(zhuǎn)換，將展開設(shè)備發(fā)包操作。三星NAND Flash相關(guān)受惠股有Wonik IPS、AP Systems、Rorze Systems等。