東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導體制程技術，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導體產業(yè)未來主導權，取代相互耗損的專利訴訟。

據ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關系。2007年締結專利授權合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代存儲器STT-MRAM。 2014年3月因存儲器半導體技術外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關系因此破裂。

最后SK海力士以支付2.8億美元，相當訴訟規(guī)模27%的和解金與東芝達成協(xié)議，撤銷訴松。SK海力士半導體部門的專利相互授權合約，與產品供應契約也獲得延長。通過這次的全方位合作宣言，雙方總算重修舊好。

SK海力士有關人士表示，與東芝進行全方位的合作，不但提升技術競爭力也獲得穩(wěn)定的訂單，同時解除潛在經營不確定性。

SK海力士最近存儲器業(yè)績亮眼，對未來新技術的主導權也顯得越來越有興趣。目前與東芝共同開發(fā)的次世代納米壓印(Nanoimprint Lithography;NIL)技術，是在國際半導體科技藍圖(ITRS)中，被喻為能實現(xiàn)32納米以下微細制程的新方法。

半導體制程日趨微細化，而NIL正是實現(xiàn)微細圖案所必要的次世代制程技術。NIL制程與印章的原理類似，將液態(tài)紫外線(UV)感光性樹脂涂布在基板之后，以透明模具加壓形成圖案，再用光源照射將圖案固定。

因為沒有使用鏡片而采用便宜的UV光源，價格競爭力遠勝極紫外光(EUV)曝光設備。與目前需耗費鉅額投資的制程技術相比，可望實現(xiàn)更經濟的量產方式。而SK海力士與東芝若能成功開發(fā)NIL技術，商用化后也可望進一步強化存儲器產品的成本競爭力。