隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路，IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應商的最新動態(tài)，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展藍圖。

在 2014年中期，制造 NAND存儲器元件的最先進制程技術(shù)采用的是20nm以及更小的特征尺寸，而DRAM采用的制造技術(shù)還不到30nm。根據(jù)圖1所示的制程技術(shù)藍圖顯示，在2017年以前，最小特征尺寸為2D(平面)的NAND Flash將會過渡到10-12nm，而DRAM則將遷移至20nm或更小的 DRAM 。

不過，IC Insights坦承，這樣的發(fā)展態(tài)勢還無加以定論，因為制造制程節(jié)點的定義并不明確，尤其是在企業(yè)試圖在競爭中取得某種優(yōu)勢時，就很容易受到營銷「游戲數(shù)字」的影響。

量產(chǎn)NAND Flash和DRAM發(fā)展藍圖

為了制造NAND Flash ，2014年時已經(jīng)加速量產(chǎn)15nm和16nm NAND芯片了。三星(Samsung)是第一家最先量產(chǎn)3D NAND芯片的公司。該公司在2014年5月宣布開始量產(chǎn)采用32層存儲器單元的V-NAND Flash芯片。此外，在2013年，該公司已針對資料中心客戶出貨基于其第一代24層 V-NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤(SSD)。

從2D到3D NAND存儲器全面轉(zhuǎn)型的時機，將視3D成為更具成本效益選項之際而定，但這樣的情況將會持續(xù)一段時間。甚至當達到成本的交叉點時，2D和3D NAND還可能共存好些年。

目前業(yè)界主要的DRAM制造商正以20nm級特征尺寸(20-29nm之間)進行量產(chǎn)制造。

如同NAND Flash 一樣，DRAM技術(shù)也正朝向以垂直方向整合電路的趨勢發(fā)展。3D DRAM解決方案的例子之一是由HMC聯(lián)盟開發(fā)的混合存儲器立方(HMC)。HMC聯(lián)盟是由美光(Micron)和三星，以及包括Altera、ARM、IBM、Open-Silicon、海力士 (SK Hynix)和賽靈思(Xilinx)等開發(fā)商共同組成。