非易失性鐵電存儲器(f-ram)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商ramtron international corporation最近宣布擴(kuò)展其非易失性狀態(tài)保存器系列，推出4位狀態(tài)保存器，以4位f-ram技術(shù)為基礎(chǔ)，無需耗電即可保存邏輯狀態(tài)，并在上電時自動恢復(fù)輸出。任何狀態(tài)改變均會自動記錄在非易失性的鐵電鎖存內(nèi)，這是因為f-ram存儲器技術(shù)具備獨特的高速寫入能力和低功耗特性，以及極高的耐用性。 fm111x 4位狀態(tài)保存器目前有三款產(chǎn)品：即工作電壓為5v的fm1110；以及工作電壓為3v的fm1112和fm1114。fm111x系列的操作類似傳統(tǒng)的邏輯構(gòu)件，使用起來就像雙鎖存或d型觸發(fā)器一樣簡單，但在斷電時可自動存儲和保持邏輯狀態(tài)，從而簡化系統(tǒng)控制功能在各種應(yīng)用中的設(shè)計，包括開關(guān)接口、轉(zhuǎn)換寄存器、繼電器驅(qū)動器、led驅(qū)動器、錯誤標(biāo)記記錄、掉電狀態(tài)檢測、防拆指示器、開門指示器、電機(jī)開/關(guān)控制、替換撥碼開關(guān)、替換跳線器及其它非易失性邏輯電路。fm1114的獨特之處在于具有低于0.5μa的超低待機(jī)電流，因而適用于便攜式、電池供電及低功耗應(yīng)用，如八進(jìn)制鎖存和非易失性計數(shù)器等。 ramtron技術(shù)市務(wù)總監(jiān)craig taylor稱：“fm111x是2位狀態(tài)保存器的自然擴(kuò)展，專為應(yīng)用需要更多數(shù)據(jù)的客戶而開發(fā)。4位狀態(tài)保存器是不斷演變的真正創(chuàng)新產(chǎn)品系列中的第二個產(chǎn)品線，f-ram技術(shù)具備高速寫入、低功耗和幾乎無限的耐用性，因而使到這一功能能夠?qū)崿F(xiàn)?！?這種低功耗非易失性狀態(tài)保存器是一個邏輯構(gòu)件，無需讀取存儲器就可以對非易失性系統(tǒng)設(shè)置進(jìn)行連續(xù)存取。它能夠存儲變化頻繁而毋須預(yù)先通知的信號，還可以在無需增加串行存儲器系統(tǒng)開銷的情況下，對系統(tǒng)設(shè)置進(jìn)行非易失性存儲。