SST39VF160芯片介紹

SST39VF160是一個(gè)1M×16的CMOS多功能FlashMPF器件，由SST特有的高性能SuperFlash技術(shù)制造而成(SuperFlash技術(shù)的分裂閘split-gate單元結(jié)構(gòu)和厚氧化物制成的)。

SST39VF160具有高性能的字編程功能，字編程時(shí)間為14µs。器件通過觸發(fā)位或數(shù)據(jù)查詢位來指示編程操作的完成。為了防止意外寫的發(fā)生，器件還提供了硬件和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SST39VF160的10 000個(gè)周期的耐用性和大于100年的數(shù)據(jù)保持時(shí)間使其可廣泛用于設(shè)計(jì)制造和測試等應(yīng)用中。

SST39VF160具有高性能的字編程功能，字編程時(shí)間為14µs。器件通過觸發(fā)位或數(shù)據(jù)查詢位來指示編程操作的完成。為了防止意外寫的發(fā)生，器件還提供了硬件和軟件數(shù)據(jù)保護(hù)機(jī)制。SST39VF160的10 000個(gè)周期的耐用性和大于100年的數(shù)據(jù)保持時(shí)間使其可廣泛用于設(shè)計(jì)制造和測試等應(yīng)用中。SST39VF160尤其適用于要求程序配置或數(shù)據(jù)存儲器，可方便和低成本地更新的應(yīng)用。

SST39VF160的工作電壓為2.7～3.6V，單片存儲容量為2M字節(jié)，采用48腳TSOP封裝，如圖所示。16位數(shù)據(jù)寬度。

圖SST39VF160引腳圖

SST39VF160的引腳功能描述如表所示。

引腳功能描述表

SST39LF160的存儲器操作由命令來啟動(dòng)，命令通過標(biāo)準(zhǔn)微處理器寫時(shí)序?qū)懭肫骷?，將WE#拉低、CE#保持低電平來寫入命令地址?？偩€上的地址在WE#或CE#的下降沿(后產(chǎn)生下降沿的那個(gè))被鎖存。數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)在WE#或CE#的上升沿(無論哪一個(gè)先產(chǎn)生上升沿)被鎖存。SST39LF160還包含一種自動(dòng)低功耗模式，它可在有效讀操作將數(shù)據(jù)讀出后使器件進(jìn)入一個(gè)接近等待模式的狀態(tài)，這樣IDD有效讀電流從15mA降低到4µA。自動(dòng)低功耗模式可將典型的IDD有效讀電流降低到讀周期內(nèi)的1mA/MHz。只要啟動(dòng)另一次讀周期的地址或控制信號發(fā)生變化，器件就退出自動(dòng)低功耗模式，不占用訪問時(shí)間。注意當(dāng)CE#保持低電平而使器件上電后器件就不能進(jìn)入自動(dòng)低功耗模式，直到出現(xiàn)第一個(gè)地址跳變或CE#變?yōu)楦唠娖健?/p>

SST39VF160的讀操作由CE#和OE#控制，只有兩者都為低電平時(shí)系統(tǒng)才能從器件的輸出管腳獲得數(shù)據(jù)，CE#是器件片選信號，當(dāng)CE#為高電平時(shí)器件未被選中工作，只消耗等待電流。OE#是輸出控制信號，用來控制輸出管腳數(shù)據(jù)的輸出。當(dāng)CE#或OE#為高電平時(shí)數(shù)據(jù)總線呈現(xiàn)高阻態(tài)。SST39VF160的讀周期時(shí)序圖如圖9-2所示。

圖9-2 SST39VF160 讀時(shí)序

SST39VF160字編程操作

SST39VF160以字形式進(jìn)行編程，編程前包含字的扇區(qū)必須完全擦除。編程操作分為3步。第一步，執(zhí)行3字節(jié)裝載時(shí)序，用于解除軟件數(shù)據(jù)保護(hù)。第二步，裝載字地址和字?jǐn)?shù)據(jù)。在字編程操作中，地址在CE#或WE#的下升沿(后產(chǎn)生下降沿的那個(gè))鎖存，數(shù)據(jù)在CE#或WE#的上升沿(先產(chǎn)生上升沿的那個(gè))鎖存。第三步，執(zhí)行內(nèi)部編程操作該操作。在第4個(gè)WE#或CE#的上升沿出現(xiàn)(先產(chǎn)生上升沿的那個(gè))之后啟動(dòng)編程操作。一旦啟動(dòng)將在20µs內(nèi)完成。4個(gè)總線周期寫周期的軟件命令時(shí)序如表9-2所示 寫周期的軟件命令時(shí)序

SST39VF160扇區(qū)/塊擦除操作

扇區(qū)操作通過在最新一個(gè)總線周期內(nèi)執(zhí)行一個(gè)6字節(jié)的命令時(shí)序(扇區(qū)擦除命令30H和扇區(qū)地址SA)來啟動(dòng)。塊擦除操作通過在最新一個(gè)總線周期內(nèi)執(zhí)行一個(gè)6字節(jié)的命令時(shí)序(塊擦除命令50H和塊地址BA)來啟動(dòng)。扇區(qū)或塊地址在第6個(gè)WE#脈沖的下降沿鎖存。命令(30H或50H)在第6個(gè)WE#脈沖的上升沿鎖存。內(nèi)部擦除操作在第6個(gè)WE#脈沖后開始執(zhí)行擦除操作，是否結(jié)束由數(shù)據(jù)查詢位或觸發(fā)位決定。數(shù)據(jù)查詢位和觸發(fā)位的定義如下：

● 數(shù)據(jù)查詢位(DQ7)：當(dāng)SST39LF/VF160正在執(zhí)行內(nèi)部編程操作時(shí)任何讀DQ7的動(dòng)作將得到真實(shí)數(shù)據(jù)的補(bǔ)碼。一旦編程操作結(jié)束DQ7為真實(shí)的數(shù)據(jù)。注意即使在內(nèi)部寫操作結(jié)束后緊接著出現(xiàn)在DQ7上的數(shù)據(jù)可能有效，其余的數(shù)據(jù)輸出管腳上的數(shù)據(jù)也無效只有在1us的時(shí)間間隔后執(zhí)行了連續(xù)讀周期所得的整個(gè)數(shù)據(jù)總線上的數(shù)據(jù)才有效。在內(nèi)部擦除操作過程中讀出的DQ7值為‘0’，一旦內(nèi)部擦除操作完成DQ7的值為1 。編程操作的第4個(gè)WE#或CE#脈沖的上升沿出現(xiàn)后數(shù)據(jù)查詢位有效，對于扇區(qū)/塊擦除或芯片擦除數(shù)據(jù)#查詢位在第6個(gè)WE#或CE#脈沖的上升沿出現(xiàn)后有效。

●觸發(fā)位(DQ6)：在內(nèi)部編程或擦除操作過程中讀取DQ6將得到1或0，即所得的DQ6在1和0之間變化。當(dāng)內(nèi)部編程或擦除操作結(jié)束后DQ6位的值不再變化。觸發(fā)位在編程操作的第4個(gè)WE#或CE#脈沖的上升沿后有效。對于扇區(qū)/塊擦除或芯片擦除觸發(fā)位在第6個(gè)WE#或CE#脈沖的上升沿出現(xiàn)后有效。

擦除周期的軟件命令時(shí)序如表9-3所示

表9-3 擦除周期的軟件命令時(shí)序

注：SAx要表示擦除的扇區(qū)地址 SBx要表示擦除的塊地址