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[導(dǎo)讀]擁有快速寫入和超高集成性能的下一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案

全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion日前宣布計(jì)劃開發(fā)下一代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)品系列,MirrorBit® ORNAND™架構(gòu)。基于SpaNSiON專有電荷捕獲技術(shù)的新型MirrorBit ORNAND2™架構(gòu)將在連接于NAND存儲(chǔ)器陣列中采用類似SONOS的45nm存儲(chǔ)單元,具有快速寫入和高封裝密度的特點(diǎn)--將NAND技術(shù)的性能和成本優(yōu)勢(shì)與300mm晶圓的成本結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到最佳。

基于新型架構(gòu)的產(chǎn)品將主要面向集成閃存市場(chǎng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用領(lǐng)域;在這種市場(chǎng)中,客戶注重的是差異化、高價(jià)值的解決方案。新的架構(gòu)將通過45nm系列解決方案擴(kuò)大現(xiàn)有MirrorBit ORNAND產(chǎn)品系列;與Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND產(chǎn)品相比,不但能將掩膜(mask layer)層的大小減少25%,其品質(zhì)也遠(yuǎn)勝于浮動(dòng)門NAND解決方案。MirrorBit ORNAND2產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2009年初投放市場(chǎng)。   新的架構(gòu)基于Spansion專有MirrorBit技術(shù)――目前,采用MirrorBit技術(shù)的解決方案總銷售額達(dá)20億美元,占整個(gè)NOR閃存市場(chǎng)的22%。通過采用通用的技術(shù)平臺(tái)和利用40nm以下的MirrorBit技術(shù)具有的可擴(kuò)展性優(yōu)勢(shì),在同一晶圓廠中可以實(shí)現(xiàn)MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2產(chǎn)品的高效生產(chǎn)。 

Spansion研發(fā)事業(yè)部執(zhí)行副總裁Lou Parrillo博士表示:“Spansion是唯一一家成功實(shí)現(xiàn)電荷捕獲存儲(chǔ)技術(shù)大量應(yīng)用的公司。憑借我們專有的先進(jìn)的MirrorBit技術(shù)、300mm晶圓生產(chǎn)能力以及預(yù)計(jì)與NAND相當(dāng)?shù)男阅?,我們能夠進(jìn)一步擴(kuò)大已有產(chǎn)品組合,并加快MirrorBit技術(shù)的發(fā)展步伐。”

Spansion正利用在其專有MirrorBit技術(shù)應(yīng)用的過程中所積累的經(jīng)驗(yàn)來為MirrorBit ORNAND2技術(shù)開發(fā)一種專有的類似SONOS的存儲(chǔ)單元。不同于此前業(yè)界生產(chǎn)商試圖開發(fā)商用化SONOS存儲(chǔ)單元而未獲成功的情況,Spansion相信,通過架構(gòu)性的革新和已獲證明的生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合的獨(dú)特方法,一定能實(shí)現(xiàn)最佳性能并加快投產(chǎn)的速度。

目標(biāo)分析(Objective Analysis)總監(jiān)Jim Handy表示:“隨著技術(shù)在伸縮曲線上的日漸走低,傳統(tǒng)的浮動(dòng)門閃存在45nm及以下工藝中正逐漸失去競(jìng)爭(zhēng)力。許多公司都提出將電荷捕獲技術(shù)作為一種解決辦法。Spansion的電荷捕獲技術(shù)投產(chǎn)已達(dá)四年之久,使公司相較競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手而言占據(jù)先機(jī)。而Spansion基于類似于SONOS的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的下一代MirrorBit ORNAND2架構(gòu)必將進(jìn)一步發(fā)揮這種領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),擴(kuò)大公司在目前由NAND獨(dú)霸天下的各個(gè)領(lǐng)域中的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。”

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