UPD78F9211/9212/9210 通過自寫方式對FLASH 進行編程
780K0S/KY1+ 支持自編程功能，可以通過用戶程序來寫入FLASH 存儲器，因此780K0S/KY1+ 具有在線升級程序的功能。
注意事項 在執(zhí)行自寫入以前，自寫入處理程序必須先被包含在用戶程序中。
備注1. 對于自編程的使用，請參看16.8.4 前面的例子。
2. 若想用78K0S/KY1+ 的內(nèi)部FLASH當作外部EEPROM來存儲數(shù)據(jù)時，請參考《78K0S/Kx1+ EEPROMEmulation Application Note》（U17379E）。
1.1 自編程概述
如要執(zhí)行自編程， 需要將工作模式由用戶程序模式（普通模式）切換到自編程模式。在自編程模式下，先設置特定寄存器，通過執(zhí)行HALT 指令執(zhí)行擦寫處理程序。當程序結束時，將自動退出HALT 狀態(tài)。
關于通過對特定寄存器的操作使模式切換到自編程模式的詳情請參考16.8.4 普通模式與自編程模式切換示例。
備注 自編程序寫入數(shù)據(jù)可參照MOV 指令。
圖16-10 是自編程框圖，圖16-11 是自編程狀態(tài)轉換圖，表16-11 列舉了自編程控制命令。
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備注 命令內(nèi)部驗證1 可以通過指定相同block 內(nèi)的任意一個地址來執(zhí)行，但是如果要向同一個block 內(nèi)的多個地址寫入數(shù)據(jù)，則推薦使用命令— 內(nèi)部驗證2。
1.2 自編程注意事項
當自編程命令執(zhí)行時，其它命令都不能執(zhí)行。因此，要先清除和重啟看門狗時鐘計數(shù)器，以便在自編程時計數(shù)器不會溢出。關于執(zhí)行自編程需要的時間請參考表16-11 。
在自編程期間發(fā)生的中斷，在自編程模式結束后才能被響應。為了避免這種情況，應在從普通模式切換到自編程模式之前以一定順序終止中斷服務（將MK0 設定為FFH，并執(zhí)行DI 指令）。
當執(zhí)行自編程命令時，不須使用RAM。
當FLASH 存儲器正在數(shù)據(jù)寫入/擦除過程中，如果電源電壓下降或有復位信號輸入，則此次寫入/擦除操作不一定成功。
在block 擦除中空白數(shù)據(jù)的值設為FFH。
預先設置CPU 時鐘，使在自編程中使CPU 時鐘大于等于1 MHz。
執(zhí)行指定序列的命令設定自編程模式后，立即執(zhí)行NOP 和HALT 指令，以執(zhí)行自編程。10 s（最大值）+ 2 CPU時鐘（fCPU）后HALT 指令被自動釋放。[!--empirenews.page--]
如果振蕩器時鐘/外部時鐘被選擇為系統(tǒng)時鐘，執(zhí)行指定序列的命令設定自編程模式后，立即執(zhí)行NOP 和HALT 指令，在HATL 狀態(tài)釋放后等待8 s，然后執(zhí)行自編程。
通過使用1 位存儲器操作指令驗證FPRERR。
自編程模式下和HALT 模式下引腳的狀態(tài)是相同的。
在自編程模式中，禁止通過on-board/off-board 編程設置安全功能，無論安全功能如何設定，自編程命令都可執(zhí)行。想要在自編程期間禁止寫入或擦除進程，則需要設定保護字節(jié)。
在執(zhí)行自編程命令前，確保對Flash 地址指針H（FLAPH）的第4 ～ 7 位和Flash地址指針H比較寄存器（FLAPHC）清零。如果這些位為1 時執(zhí)行自編程，設備將會故障。
在設置為自編程模式和普通模式以前，立即將FLCMD 寄存器清零（00H）。
1.3 自編程功能所使用的寄存器
自編程使用以下的寄存器
Flash 編程模式控制寄存器（FLPMC）
Flash 保護命令寄存器（PFCMD）
Flash 狀態(tài)寄存器（PFS）
Flash 編程命令寄存器（FLCMD）
Flash 地址指針H 和L 寄存器（FLAPH 和FLAPL）
Flash 地址指針H 比較寄存器和FLASH 地址指針L 比較寄存器（FLAPH 和FLAPLC）
Flash 寫入緩存寄存器（FLW）
78K0S/KY1+ 在FLASH 存儲器的0081H 地址有一個區(qū)域被稱為保護字節(jié)。
（1）Flash 編程模式控制寄存器（FLPMC）
這個寄存器用于在自編程模式下向FLASH 存儲器寫入數(shù)據(jù)時設定工作模式，并可用于讀取保護字節(jié)的值。
只有按特定順序（參考16.8.3（2） FLASH 保護命令寄存器（PFCMD））才能寫入數(shù)據(jù)，如此就不會因為偶然的噪聲干擾或者程序掛起等故障導致應用系統(tǒng)意外停止。
該寄存器可通過一個8 位的存儲操作指令來設置。
復位后寄存器狀態(tài)值不確定。
注 1. 當復位釋放時，第0 位（FLSPM）被清零。當復位釋放后，保護字節(jié)的設定值可從第2 ～6 位（PRSELF0 ～ RESELF4）讀出。
2. 第2 ～ 6 位（PRSELF0 ～ RESELF4）是只讀的。
注意事項 1. 注意在設定自編程模式的情況下，可參考16.8.2 自編程功能的注意事項。
2. 預先設置CPU 時鐘，使在自編程中使CPU 時鐘大于等于1 MHz。
3. 執(zhí)行指定序列的命令設定自編程模式后，立即執(zhí)行NOP 和HALT 指令，以執(zhí)行自編程。10μs（最大值）+ 2 CPU 時鐘（fCPU）后HALT 指令被自動釋放。
4. 如果振蕩器時鐘/外部時鐘被選擇為系統(tǒng)時鐘，執(zhí)行指定序列的命令設定自編程模式后，立即執(zhí)行NOP 和HALT 指令，在HATL 狀態(tài)釋放后等待8 μs，然后執(zhí)行
自編程。
5. 在設置為自編程模式和普通模式以前，立即將FLCMD寄存器清零（00H）。
（2）Flash 保護命令寄存器（PFCMD）
如果由于噪聲或程序掛起等原因引起的故障導致應用系統(tǒng)停止，此時對FLASH 編程模式控制寄存器（FLPMC）進行寫入操作將對系統(tǒng)產(chǎn)生嚴重影響。PFCMD 用來保護FLPMC 的寫入，這樣就不會使應用系統(tǒng)由于疏忽導致停止。
必須按以下順序對FLPMC執(zhí)行寫入操作。
<1> 寫入一特定的值（A5H）到PFCMD 中。
<2> 寫入設定值到FLPMC 的第0 位（FLSPM）中（此時寫入操作是無效的）。
<3> 將設定值的反碼寫入FLPMC 的第0 位（FLSPM）（此時寫入操作是無效的）。
<4> 將設定值寫入FLPMC 的第0 位（FLSPM）（此時寫入操作是有效的）。
注意事項 在自編程模式下，不能執(zhí)行中斷服務。在執(zhí)行指定序列指令設定自編程模式以前，執(zhí)行指定序列指令設定工作模式為普通模式以后的兩點之間，停止中斷服務
（通過在MK0= FFH 時，執(zhí)行DI 指令）。
這樣重復寫入寄存器，可使寄存器不能被非法寫入。
可以通過FLASH 狀態(tài)寄存器（PFS）的第0 位（FPRERR）來驗證是否出現(xiàn)非法的存儲操作。
使用1 位存儲器操作指令驗證FPRERR。
每當FLPMC的值發(fā)生改變的時候都必須向PFCMD 寫入值A5H。
PFCMD 的值可通過一個8 位的存儲器操作指令來設置。
復位后寄存器PFCMD 值不確定。
（3） Flash 狀態(tài)寄存器（PFS）
如果數(shù)據(jù)不能按正確順序（寫入FLASH 保護命令寄存器PFCMD）寫入受保護的FLASH 編程模式控制寄存器（FLPMC）中，F(xiàn)LPMC不能被寫入并且出現(xiàn)保護錯誤，PFS 的第0 位（FPRERR）將被置1。
當FPRERR 爲1 時，可以通過直接寫0 來清0。
自編程模式期間可能産生的錯誤能夠通過PFS 的第1位（VCERR）和第2 位（WEPRERR）位反應出來，（VCERR）和（WEPRERR）可以通過寫0 來清0。
要驗證操作是否執(zhí)行正確，PFS 寄存器的必須被預先清零。
PFS 可以使用1 位或8 位存儲器操作指令設定。
複位後PFS被置爲00H。
注意事項 使用1 位存儲器操作指令驗證FPRERR。
1. FPRERR 標記的操作條件
< 設置條件>
剛執(zhí)行的對周邊寄存器的寫入命令沒有給PFCMD寫入特定值（PFCMD = A5H）時，對PFCMD進行寫入操作。
在<1>之後，如果第一條存儲指令操作的是外部存儲器而不是FLPMC。
在<2>之後，如果第一條存儲指令操作的是外部存儲器而不是FLPMC。
在<2>之後，如果第一條存儲指令所寫的值不同于FLPMC 值的反碼。
在<3>之後，如果第一條存儲指令操作的是外部存儲器而不是FLPMC。
在<3>之後，如果第一條存儲指令所寫的值不同于FLPMC 值（在<2> 中所寫）。
備注 在菱形括號內(nèi)的數(shù)字對應于（2） Flash 保護命令字節(jié)（PFCMD）。
< 複位條件>
如果FPRERR 標志寫0
複位信號輸入
2. VCERR標志的操作條件
< 設定條件>
擦除校驗錯誤
內(nèi)部寫入校驗錯誤
若VCERR 被設爲1，則說明Flash 沒有被正確的擦除/寫入。在指定的程序裏要再次對Flash 進行擦除/寫入。
備注 當發(fā)生擦除/寫入保護錯誤時，VCERR標記也會被置1。
< 複位條件>
VCERR標記被置爲0
外部複位信號輸入
3. WEPRERR 標記操作條件
< 設置條件>
使用保護字節(jié)指定一個區(qū)域防止該區(qū)域因FLASH 地址指針H（FLAPH）和執(zhí)行相關命令而引起的數(shù)據(jù)擦除/寫入。
如果“1”被寫入到一個沒有被擦除的位（一個爲“0”的位）。
< 複位條件>
WEPRERR 標記被置0
外部複位信號輸入
（4）FLASH 編程命令寄存器（FLCMD）
在自編程模式下，F(xiàn)LCMD 被用來確定FLASH 的擦、寫、校驗操作。
該寄存器可通過1 位或8 位的操作指令來設置。
複位後寄存器值置爲00H。
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注 如果執(zhí)行不同于以上的命令時，命令會被立即終止，并且Flash 狀態(tài)寄存器（PFS）的第1 或2 位（WEPRERR 或VCERR）會被置1。
（5）Flash 地址指針H 和L（FLAPH 和FLAPL）
Flash 地址指針H 和L（FLAPH 和FLAPL）用于在自編程模式下指定FLASH 的擦除、寫入、驗證的開始地址。
FLAPH 和FLAPL 由計數(shù)器組成，當編程命令不執(zhí)行時，它們遞增直到與FLAPHC 和FLAPLC 的值相等。因此，當程序命令執(zhí)行時，PLAPHC 和FLAPLC 的值需要重新設置。
Flash 地址指針H 和L（FLAPH 和FLAPL）可通過1 位或8 位操作指令來設置。
複位後寄存器值不確定。
（6） Flash 地址指針H 比較寄存器和FLASH 地址指針L 比較寄存器（FLAPHC和FLAPLC）在自編程模式下校驗FLASH 存儲器時，F(xiàn)LASH 地址指針比較寄存器H 和L（FLAPHC 和FLAPLC）用于指定內(nèi)部序列操作的地址範圍。
將FLAPH 的值賦給FLAPHC。將FLASH 存儲器校驗範圍的最末端地址賦給FLAPLC。
FLAPHC 和FLAPLC 使用1 位或8 位存儲器操作指令來設定。
複位後FLW寄存器值置爲00H。
注意事項 1. 在自編程命令執(zhí)行以前，確保FLASH 地址指針H（FLAPH）的第4 ～ 7 位和FLASH 地址指針H 比較寄存器（FLAPHC）清零。如果當執(zhí)行自編程命令時這些
位的值爲1。
2. 當進行block 擦除、校驗、空白檢測時，將block 的序號（與FLAPH 的值相同）賦值給FLAPHC。
3. 當block 擦除完成時FLAPLC 要清零，當block 空白檢測完成後FLAPLC要設爲FFH。
（7）Flash 寫緩沖寄存器（FLW）
數(shù)據(jù)在寫入FLASH 之前，先存儲在FLW 緩存內(nèi)。
該寄存器值可用1 位或8 位存儲操作指令設置。
複位後FLW寄存器值置爲00H。
（8）保護字節(jié)
保護字節(jié)用于指定禁止寫入或擦除區(qū)域。該指定的保護區(qū)域隻在自編程模式下有效。因爲受保護區(qū)域在自編程模式下是不可用的，所以保護區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)是受保護的。
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