美國(guó)技術(shù)機(jī)構(gòu)提出兩項(xiàng)可提高芯片速度的技術(shù)
光學(xué)設(shè)備技術(shù)包括制造一種用于讀取硅晶圓的所謂“液體透鏡”。在光學(xué)成分和硅之間加入一個(gè)液體層能夠把分辨率從目前的100納米提高到65納米。把液體透鏡概念應(yīng)用到計(jì)算機(jī)光學(xué)設(shè)備中能夠制作體積更小和速度更快的芯片。
NIST的科學(xué)家在一篇論文中介紹說(shuō),使用高純度水作為光學(xué)設(shè)備和硅之間的界面可以顯著減少影響分辨率的光衍射程度。不過(guò),這篇論文的作者警告說(shuō),液體透鏡對(duì)溫度變化很敏感。溫度變化對(duì)采用這項(xiàng)技術(shù)的光學(xué)設(shè)備設(shè)計(jì)影響很大。
NIST提高芯片速度的另一項(xiàng)技術(shù)進(jìn)展是提出了一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn),幫助測(cè)量?jī)x器測(cè)量硅鍺薄膜中鍺含量。鍺既是一種半導(dǎo)體也是一種混合劑,能夠使硅片表面繃緊提高電子通過(guò)的速度。鍺的應(yīng)用能夠使芯片的速度提高一倍。
但是,準(zhǔn)確測(cè)量混合在硅薄膜中的鍺含量是很困難的。因此NIST制作了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)包括若干套包含各種不同比例的鍺和硅的薄膜。
NIST解釋說(shuō),這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是個(gè)臨時(shí)措置,是政府機(jī)構(gòu)與私營(yíng)企業(yè)的首次合作。
NIST稱,它的標(biāo)準(zhǔn)能夠把硅含量的不確定性從采用目前技術(shù)測(cè)量的5%減少到1%。