本報(bào)訊 英特爾已擬定一個(gè)計(jì)劃，將大舉擴(kuò)充閃存生產(chǎn)線，計(jì)劃2004年產(chǎn)能將達(dá)2003年的3倍以上。

　　英特有關(guān)人士表示，為拿回全球閃存市占第一，正積極進(jìn)行擴(kuò)充產(chǎn)能動(dòng)作，除計(jì)劃在2004年將閃存產(chǎn)能提升為2003年的3倍以外，更將持續(xù)進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，計(jì)劃在2006年將閃存產(chǎn)能提升為2003年的10倍以上。

　　臺(tái)灣廠商表示，英特爾積極擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，主要是沖著三星而來(lái)，近來(lái)三星全面擴(kuò)產(chǎn)NOR型與NAND型閃存產(chǎn)能的動(dòng)作，讓英特爾如坐針氈，再加上包括FASL(超微與富士通的合資公司)、海力士、英飛凌、意法微電子及東芝等業(yè)者，近來(lái)亦致力擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，迫使英特爾痛下決心、全面展開(kāi)反擊。（宗禾）