日前，德州儀器 (TI) 發(fā)布了45納米(nm)半導體制造工藝的細節(jié)，該工藝采用濕法光刻技術，可使每個硅片的芯片產(chǎn)出數(shù)量提高一倍，從而提高了工藝性能并降低了功耗。通過采用多種專有技術，TI將集成數(shù)百萬晶體管的片上系統(tǒng)處理器的功能提升到新的水平，使性能提高30%，并同時降低40%的功耗。

  TI 在 45 納米工藝中采用了 SmartReflex™ 電源與性能管理技術，將智能化的自適應硅芯片、電路設計以及有關軟件結合在一起。在 SmartReflex 技術的基礎之上，TI 采用系統(tǒng)級技術以擴展整個 45 納米 SoC 設計的功能，其中包括自適應軟硬件技術，該技術能夠根據(jù)設備的工作狀態(tài)、工作模式與過程以及溫度變化情況，動態(tài)地控制電壓、頻率與功耗。

  全新工藝還支持具有革命性突破的 DRP™ 架構，以便于 TI 在單芯片無線解決方案上集成數(shù)字 RF 功能。這種 SoC 技術可實現(xiàn)無線傳輸與接收功能，這使 TI 能夠通過其高效率的 CMOS 制造基礎來降低整體系統(tǒng)成本與功耗，釋放板級空間。TI 45 納米設計庫還包括其它集成選項，如電阻器、感應器與電容器等多種模擬組件，從而使原先獨立的功能實現(xiàn)了進一步的 SoC 集成。

  TI 率先采用 193 納米濕浸式光刻技術，實現(xiàn)了競爭對手的 45 納米干式光刻技術所難以企及的高密度。193 納米濕浸式設備能夠實現(xiàn)更高的解析度與更小的器件體積，從而為面向新工藝的升級提供了最大的特性優(yōu)勢。193 納米濕浸式設備的工作原理是在透鏡與晶圓間加入薄薄的液體層，以簡化更精細尺寸電路的曝光工藝。

  與前代工藝技術一樣，TI 將提供多套 45 納米解決方案，這些解決方案均針對不同最終產(chǎn)品或應用的要求而專門進行了優(yōu)化。通過調節(jié)晶體管的柵極長度、閾值電壓、柵極介電層厚度或偏置條件等方法，電路設計人員可通過多種途徑，創(chuàng)建靈活的優(yōu)化設計方案。

  TI 位于得克薩斯州達拉斯的 DMOS6 工廠將在其 300 毫米晶圓生產(chǎn)中導入 45納米工藝。低功耗 ASIC 設計庫將于今年年底上市，首款 SoC 產(chǎn)品樣片將于 2007 年推出，首批量產(chǎn)時間定于 2008 年年中。

  TI 高級副總裁兼首席技術官 Hans Stork 博士指出：“例如在手機處理器與 DSP系統(tǒng)方面，TI憑借在芯片制造領域的實力將推出45納米的低成本工藝技術，并同時兼顧了性能、功耗及晶體管密度等方面的問題。這使客戶能盡早推出速度更快、體積更小、功耗更低的產(chǎn)品，TI不斷通過高良率晶圓推出數(shù)百萬芯片，在業(yè)界始終處于領先地位?！?

  TI預計，45 納米工藝與 SoC 集成功能將使消費者體驗高達 30% 的設備速度提升，這意味著每秒更多視頻幀，從而實現(xiàn)更佳的移動電話用戶體驗。此外，無線用戶將可以享受到同時運行多個應用的好處，如運行3D游戲的同時與游戲伙伴們進行視頻交流，還可以在后臺收發(fā)電子郵件。其它預測顯示，TI 45納米SoC將使功耗降低40%，從而獲得更長的視頻播放時間，并把手機待機時間延長高達 30%。