ARM公司今天宣布，通用平臺(tái)技術(shù)業(yè)務(wù)合作伙伴IBM、特許半導(dǎo)體和三星電子獲得ARM® Artisan®物理IP系列中的Metro ™低功耗與Advantage™高性能產(chǎn)品的授權(quán)，用于該技術(shù)聯(lián)盟在45納米低功耗工藝技術(shù)領(lǐng)域的合作。這一ARM庫(kù)授權(quán)協(xié)議擴(kuò)展了四家公司的合作關(guān)系，共同保障代工廠客戶片上系統(tǒng)（SoC）的設(shè)計(jì)兼容性及制造靈活性。ARM此前曾宣布與IBM、特許半導(dǎo)體及三星簽訂65納米及以下工藝的授權(quán)協(xié)議，并與IBM和特許半導(dǎo)體簽訂了90納米授權(quán)協(xié)議，迄今都已交付了相關(guān)產(chǎn)品。此外，IBM、特許半導(dǎo)體和三星還是ARM Connected Community的成員。   

    ARM Advantage和Metro產(chǎn)品包括ARM標(biāo)準(zhǔn)單元以及輸入/輸入口（I/O）和存儲(chǔ)器，均支持IBM、特許半導(dǎo)體和三星的45nm低功耗通用平臺(tái)工藝，并針對(duì)消費(fèi)、通信和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)眾多應(yīng)用的低功耗、高性能設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。此外，通過(guò)45納米工藝對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行了完善，以滿足客戶不斷變幻的需求，應(yīng)對(duì)不斷涌現(xiàn)的制造挑戰(zhàn)。對(duì)產(chǎn)品所作的改進(jìn)包括： 功率門(mén)控和電路部署，可在運(yùn)行時(shí)在所有的存儲(chǔ)器內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)性能和泄漏功率的控制；對(duì)ARM標(biāo)準(zhǔn)單元功耗管理套件的設(shè)計(jì)技術(shù)所作的完善，可簡(jiǎn)化在SoC中運(yùn)用先進(jìn)的減耗技術(shù)；可編程I/O架構(gòu)和設(shè)計(jì)技術(shù)，可迅速對(duì)I/O環(huán)進(jìn)行動(dòng)態(tài)重置，以滿足不斷變化的系統(tǒng)要求，實(shí)現(xiàn)在多個(gè)系統(tǒng)中重復(fù)使用相同的SoC。   

    IBM科技協(xié)作解決方案部半導(dǎo)體技術(shù)平臺(tái)副總裁Steve Longoria表示：“隨著業(yè)界朝著更先進(jìn)的技術(shù)演進(jìn)，優(yōu)化的庫(kù)成為半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)和制造工藝所要求的構(gòu)建模塊之一。基于我們與ARM在65納米領(lǐng)域的成功合作，我們?cè)俅螢槲覀兊?5納米通用平臺(tái)技術(shù)選擇業(yè)界領(lǐng)先的物理IP供應(yīng)商ARM。有了ARM優(yōu)化并業(yè)已驗(yàn)證的庫(kù)這樣一個(gè)基礎(chǔ)，我們的客戶及其客戶就能夠獲通過(guò)在芯片中加入其自身的IP而獲益于下一代的技術(shù)，并有充分的信心相信通用平臺(tái)合作伙伴和ARM已經(jīng)為他們的設(shè)計(jì)構(gòu)建了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)?！?

    特許半導(dǎo)體全球市場(chǎng)及平臺(tái)聯(lián)盟副總裁Kevin Meyer表示：“通用平臺(tái)模式是以客戶的需求以及滿足他們?cè)谡麄€(gè)供應(yīng)基地靈活利用IP投資的需求為中心的。通過(guò)與ARM合作以支持多工廠的物理 IP，我們可以加快提供基于業(yè)界最先進(jìn)的45納米低功耗技術(shù)工藝的完全優(yōu)化的、低功耗、高性能的解決方案。通用平臺(tái)合作伙伴與ARM之間的這種以客戶為中心的合作，為客戶可以從開(kāi)放的生態(tài)系統(tǒng)合作所能獲得的價(jià)值樹(shù)立了典型。”

    三星半導(dǎo)體技術(shù)副總裁Ana Hunter表示：“成功的庫(kù)供應(yīng)商對(duì)通用平臺(tái)的成功而言至關(guān)重要。與ARM的合作整合了我們四家公司的專長(zhǎng)，為客戶提供最具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的標(biāo)準(zhǔn)單元、存儲(chǔ)編譯器和I/O，并可整合DFM、功耗管理和設(shè)計(jì)流程集成領(lǐng)域的最新成果。我們期待著與ARM建立強(qiáng)有力的長(zhǎng)期合作關(guān)系?！?

    ARM首席執(zhí)行官Warren East表示：“將 ARM與通用平臺(tái)的關(guān)系擴(kuò)展至45納米技術(shù)，幫助SoC設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)了工藝性能與功耗優(yōu)化方面跨時(shí)代的跳躍，同時(shí)門(mén)控密度可達(dá)65納米工藝的兩倍。我們與通用平臺(tái)伙伴的合作模式可實(shí)現(xiàn)物理IP與工藝技術(shù)和設(shè)計(jì)方法的同步優(yōu)化，從而為客戶帶來(lái)卓越的解決方案?！?

    所有的ARM物理IP均支持多種電壓下的計(jì)時(shí)和功率，可幫助客戶對(duì)多電壓設(shè)計(jì)進(jìn)行精確的流片前（pre-tapeout）仿真。此外，ARM Advantage和Metro套件產(chǎn)品提供可與存儲(chǔ)器和標(biāo)準(zhǔn)單元模塊共同使用的電壓級(jí)相移和功率門(mén)控單元等庫(kù)組件，以支持先進(jìn)的功耗管理方式。

    ARM Advantage和Metro產(chǎn)品符合ARM設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，包括ARM廣泛的view和模型，它們可實(shí)現(xiàn)與業(yè)界許多領(lǐng)先的EDA工具的集成。這些view可在多種操作條件下為Advantage和Metro產(chǎn)品提供功能、計(jì)時(shí)和功耗信息，幫助設(shè)計(jì)師在他們的SoC中實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的功耗管理系統(tǒng)，從而主動(dòng)控制其SoC中的動(dòng)態(tài)和泄漏功耗。

    用于IBM、特許半導(dǎo)體和三星45納米低功耗通用平臺(tái)技術(shù)的ARM Advantage和Metro標(biāo)準(zhǔn)單元和I/O庫(kù)及存儲(chǔ)編譯器的初級(jí)版本預(yù)計(jì)將于今年第四季度上市，屆時(shí)授權(quán)客戶可從ARM網(wǎng)站http://www.arm.com免費(fèi)下載。最終版本將于明年第二季度問(wèn)世。