ARM公司今天宣布，通用平臺技術業(yè)務合作伙伴IBM、特許半導體和三星電子獲得ARM® Artisan®物理IP系列中的Metro ™低功耗與Advantage™高性能產品的授權，用于該技術聯(lián)盟在45納米低功耗工藝技術領域的合作。這一ARM庫授權協(xié)議擴展了四家公司的合作關系，共同保障代工廠客戶片上系統(tǒng)（SoC）的設計兼容性及制造靈活性。ARM此前曾宣布與IBM、特許半導體及三星簽訂65納米及以下工藝的授權協(xié)議，并與IBM和特許半導體簽訂了90納米授權協(xié)議，迄今都已交付了相關產品。此外，IBM、特許半導體和三星還是ARM Connected Community的成員。   

    ARM Advantage和Metro產品包括ARM標準單元以及輸入/輸入口（I/O）和存儲器，均支持IBM、特許半導體和三星的45nm低功耗通用平臺工藝，并針對消費、通信和網絡市場眾多應用的低功耗、高性能設計進行了優(yōu)化。此外，通過45納米工藝對產品進行了完善，以滿足客戶不斷變幻的需求，應對不斷涌現的制造挑戰(zhàn)。對產品所作的改進包括： 功率門控和電路部署，可在運行時在所有的存儲器內實現對性能和泄漏功率的控制；對ARM標準單元功耗管理套件的設計技術所作的完善，可簡化在SoC中運用先進的減耗技術；可編程I/O架構和設計技術，可迅速對I/O環(huán)進行動態(tài)重置，以滿足不斷變化的系統(tǒng)要求，實現在多個系統(tǒng)中重復使用相同的SoC。   

    IBM科技協(xié)作解決方案部半導體技術平臺副總裁Steve Longoria表示：“隨著業(yè)界朝著更先進的技術演進，優(yōu)化的庫成為半導體開發(fā)和制造工藝所要求的構建模塊之一?；谖覀兣cARM在65納米領域的成功合作，我們再次為我們的45納米通用平臺技術選擇業(yè)界領先的物理IP供應商ARM。有了ARM優(yōu)化并業(yè)已驗證的庫這樣一個基礎，我們的客戶及其客戶就能夠獲通過在芯片中加入其自身的IP而獲益于下一代的技術，并有充分的信心相信通用平臺合作伙伴和ARM已經為他們的設計構建了堅實的基礎。”

    特許半導體全球市場及平臺聯(lián)盟副總裁Kevin Meyer表示：“通用平臺模式是以客戶的需求以及滿足他們在整個供應基地靈活利用IP投資的需求為中心的。通過與ARM合作以支持多工廠的物理 IP，我們可以加快提供基于業(yè)界最先進的45納米低功耗技術工藝的完全優(yōu)化的、低功耗、高性能的解決方案。通用平臺合作伙伴與ARM之間的這種以客戶為中心的合作，為客戶可以從開放的生態(tài)系統(tǒng)合作所能獲得的價值樹立了典型。”

    三星半導體技術副總裁Ana Hunter表示：“成功的庫供應商對通用平臺的成功而言至關重要。與ARM的合作整合了我們四家公司的專長，為客戶提供最具競爭優(yōu)勢的標準單元、存儲編譯器和I/O，并可整合DFM、功耗管理和設計流程集成領域的最新成果。我們期待著與ARM建立強有力的長期合作關系?！?

    ARM首席執(zhí)行官Warren East表示：“將 ARM與通用平臺的關系擴展至45納米技術，幫助SoC設計師實現了工藝性能與功耗優(yōu)化方面跨時代的跳躍，同時門控密度可達65納米工藝的兩倍。我們與通用平臺伙伴的合作模式可實現物理IP與工藝技術和設計方法的同步優(yōu)化，從而為客戶帶來卓越的解決方案。”

    所有的ARM物理IP均支持多種電壓下的計時和功率，可幫助客戶對多電壓設計進行精確的流片前（pre-tapeout）仿真。此外，ARM Advantage和Metro套件產品提供可與存儲器和標準單元模塊共同使用的電壓級相移和功率門控單元等庫組件，以支持先進的功耗管理方式。

    ARM Advantage和Metro產品符合ARM設計標準，包括ARM廣泛的view和模型，它們可實現與業(yè)界許多領先的EDA工具的集成。這些view可在多種操作條件下為Advantage和Metro產品提供功能、計時和功耗信息，幫助設計師在他們的SoC中實現復雜的功耗管理系統(tǒng)，從而主動控制其SoC中的動態(tài)和泄漏功耗。

    用于IBM、特許半導體和三星45納米低功耗通用平臺技術的ARM Advantage和Metro標準單元和I/O庫及存儲編譯器的初級版本預計將于今年第四季度上市，屆時授權客戶可從ARM網站http://www.arm.com免費下載。最終版本將于明年第二季度問世。