晶圓代工新商機

SoC的尺寸越來越小，嵌入式內(nèi)存制造難度也越來越提升，晶圓代工業(yè)者必須介入此市場，否則可能難以接到IDM及IC設(shè)計業(yè)者的訂單。

最近晶圓代工大廠如臺積電、聯(lián)電或是日本NEC加足馬力跨入嵌入式內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，從日前臺積電正式由日本NEC搶下繪圖芯片AMD-ATi嵌入式內(nèi)存訂單，緊接著又有聯(lián)電與爾必達(Elpida)雙方共同宣布攜手合作，由此可見未來晶圓代工大廠跨入嵌入式內(nèi)存將只增不減。

內(nèi)存將是SoC芯片中最佳“難”配角

長久以來對于一些全球邏輯IC廠大商來說，無論是繪圖芯片廠商、數(shù)字訊號處理(DSP)廠或是基頻處理器(Baseband)公司來說，這些邏輯IC廠商過去所制造芯片中，內(nèi)部均已包含了6T內(nèi)存芯片組，由于過去終端商品體積偏大，因此將6T內(nèi)存芯片與邏輯IC綁在一起，成為一顆標(biāo)準(zhǔn)SoC產(chǎn)品時，對邏輯IC廠商來說，并不會有什么困難

但受到未來終端商品對體積上的要求愈來愈「輕、薄、短、小」，相對內(nèi)存體積也愈來愈被要求盡可能縮小，這樣一來，對于為過去向來已習(xí)慣用6T內(nèi)存包進邏輯IC的邏輯IC廠便形成技術(shù)瓶頸，原因在于邏輯IC廠根本不知道如何將體積大幅縮小的內(nèi)存包進邏輯IC芯片中，因此必須將其交給先進晶圓代工廠代工。

晶圓代工廠非投入嵌入式內(nèi)存代工不可

近來晶圓代工大廠之所以會一股腦在嵌入式內(nèi)存工藝中大量投入資金與人力，原因在于不這樣做，未來想要再繼續(xù)接到國際IDM大廠或IC設(shè)計公司訂單機會恐將愈來愈小，基本來說，晶圓代工廠要生存下去，投入嵌入式內(nèi)存工藝已是刻不容緩的事。

晶圓代工廠過去所思考的僅是如何以最穩(wěn)定工藝，最高的產(chǎn)出良率，以及最優(yōu)惠的價格來吸引IDM廠或IC設(shè)計公司訂單，但由于嵌入式內(nèi)存工藝已成為未來整個半導(dǎo)體市場主流趨勢，晶圓代工廠所面臨到的，便是一些傳統(tǒng)內(nèi)存大廠如三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、海力士(Hynix)、奇夢達(Qimonda)等原本就已專注在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)DRAM廠商。

換言之，這些DRAM廠也體認(rèn)到自家原本的8英寸廠除了一些可繼續(xù)制造特殊型內(nèi)存、NAND Flash或NOR Flash外，將觸角延伸進嵌入式內(nèi)存工藝領(lǐng)域也是消耗產(chǎn)能，擴展?fàn)I收的另一條路。

因此，未來DRAM廠與晶圓代工廠互搶訂單局面將會屢見不鮮，簡單來說，臺積電、聯(lián)電不做的話，后面的DRAM廠可說是一缸子人搶著做。

術(shù)業(yè)有專攻　內(nèi)存市場三分天下

未來內(nèi)存市場大約可區(qū)分為3大類，且由3不同半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)廠商各司其職，一則是由專業(yè)晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電、NEC等這些廠商主導(dǎo)，其主導(dǎo)的市場主要在嵌入式內(nèi)存工藝部分，而目前看來這些晶圓代工廠所能掌握的市場，是鎖定在SoC芯片內(nèi)部所包含的內(nèi)存容量在16Mb以下者，這部分是晶圓代工廠較有機會掌握的。

根據(jù)英特爾內(nèi)部規(guī)劃進度來看，旗下所生產(chǎn)的中央處理器至2008年，工藝技術(shù)推進到45納米工藝技術(shù)時，中央處理器內(nèi)部將會包含16Mb SRAM，屆時英特爾中央處理器總出貨量中便有高達70%會采用嵌入式內(nèi)存技術(shù)。

至于專業(yè)的內(nèi)存設(shè)計廠商則會鎖定在嵌入式內(nèi)存市場中，容量在16Mb以上部分，這對于晶圓代工廠來說并不擅長，晶圓代工廠長項在Embedded RAM On Chip，至于內(nèi)存設(shè)計業(yè)者則是專注在Embedded RAM By Die。

晶圓代工廠與內(nèi)存設(shè)計業(yè)者未來在嵌入式內(nèi)存市場最大區(qū)別在于，晶圓代工廠就好比一家飯店，除了可以提供一般的住宿服務(wù)外，在同一地點上面為了客戶的便利性，也順便提供了餐飲服務(wù)，將餐廳建立在客房的下面，客戶要吃飯時只需下樓點餐便可。

但事實上部分住宿客戶并不希望住在有提供住宿以及餐飲服務(wù)飯店中，而這時內(nèi)存設(shè)計廠就好比一家可提供外送服務(wù)的快餐店，隨時隨地提供餐飲到飯店里，且提供的餐飲內(nèi)容更為豐盛。

至于未來內(nèi)存市場中另一要角便是DRAM廠，這些廠商基本上還是會全力專注在大量化的內(nèi)存市場，如標(biāo)準(zhǔn)型DRAM、NAND Flash、甚至是繪圖內(nèi)存等，由于這部分需要大量產(chǎn)能，才足以降低生產(chǎn)成本，而這種事情對于晶圓代工廠、內(nèi)存設(shè)計廠而言根本是沒辦法進入。

因此未來可說內(nèi)存市場已確立朝三分天下方向邁進。

晶圓代工廠唯有培養(yǎng)自己人　官司夢魘才能遠(yuǎn)離

2007年第3季度末，UniRAM跳出來指控臺積電不當(dāng)使用其營業(yè)秘密的案件，而造成這樣結(jié)果最主要在于伴隨著臺積電擴大在嵌入式閃存、嵌入式DRAM市場占有率，一些內(nèi)存相關(guān)IP的廠商，或是相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)者對臺積電進行指控機會也將會愈來愈多，而要擺脫這樣的陰影，最重要還是要培養(yǎng)自己人。

這也就是為何數(shù)年前臺積電要與創(chuàng)意電子合作主要原因，當(dāng)時臺積電便已知道未來嵌入式內(nèi)存工藝已是晶圓代工產(chǎn)業(yè)必走之路，但當(dāng)中勢必也會有人跳出來阻礙，同樣的聯(lián)電培養(yǎng)智原為的也是希望將來能在嵌入式內(nèi)存市場中站穩(wěn)腳步。 

除此之外聯(lián)電更積極的在日前宣布與爾必達合作，聯(lián)電低介電質(zhì)銅導(dǎo)線技術(shù)獲得爾必達青睞，便是希望聯(lián)電與爾必達雙方可提供更加優(yōu)異的嵌入式系統(tǒng)單芯片給所需要客戶，這也是聯(lián)電另一項培養(yǎng)自家人的做法。