MSP430以超低功耗威震微控制器領(lǐng)域，FRAM具備非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性、無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)如今，德州儀器（TI）將這兩個(gè)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品相結(jié)合，推出超低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM) 16位微控制器MSP430FR57xx FRAM系列。與基于閃存和EEPROM的微控制器相比，該FRAM系列可確保100倍以上的數(shù)據(jù)寫入速度和250倍的功耗降幅。此外，這種片上FRAM還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能，寫入次數(shù)幾乎不受限制。

德州儀器MSP430業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理刁勇談到讓世界更加智能需要兩個(gè)基本條件，即需要部署更多的傳感器以及這些傳感器需要實(shí)時(shí)采集更多的數(shù)據(jù)，而滿足這兩點(diǎn)就需要面對(duì)如下挑戰(zhàn)，怎樣降低傳感器的功耗，解決供電問題，另外如何能夠?qū)崟r(shí)的拿到更多的數(shù)據(jù)。MSP430FR57xx FRAM微控制器成為解決這兩大挑戰(zhàn)的最佳答案。

據(jù)刁勇介紹，與FLASH存儲(chǔ)技術(shù)相比，F(xiàn)RAM的擦寫速度提高了100倍，因而在考慮同樣數(shù)據(jù)寫入時(shí)FRAM的消耗的功耗大大降低。據(jù)悉，當(dāng)從FRAM中執(zhí)行代碼時(shí)，可將目前業(yè)界最佳功耗水平降低50%，工作電流為100μA/MHz（主動(dòng)模式）和3μA（實(shí)時(shí)時(shí)鐘模式）。FRAM的擦寫次數(shù)可以超過100萬億次，寫入次數(shù)幾乎沒有限制。此外，在沒有電源支撐的情況下，F(xiàn)RAM可以保存所有數(shù)據(jù)。盡管SRAM的讀寫速度和寫入次數(shù)可同F(xiàn)RAM相媲美，但是SRAM掉電數(shù)據(jù)會(huì)丟失。因而，TI的MSP430系列微控制器集成FRAM存儲(chǔ)器，解決了傳感器網(wǎng)絡(luò)所面臨的上述挑戰(zhàn)。

 
                   常用存儲(chǔ)器特性對(duì)比

FRAM能夠滿足微控制器對(duì)存儲(chǔ)器的要求外，還能夠統(tǒng)一存儲(chǔ)器，將SRAM、EEPROM、Flash所有功能集中在一個(gè)FRAM存儲(chǔ)器上，簡(jiǎn)化工程師的設(shè)計(jì)過程，允許開發(fā)人員利用軟件來輕松改變程序、數(shù)據(jù)以及緩存之間的內(nèi)存分配。

FR57xx MCU基于TI低功耗、130nm嵌入式FRAM工藝，具備密度高達(dá)16kB的集成型FRAM以及模擬和連接外設(shè)選項(xiàng)，包括10位ADC、32位硬件乘法器、多達(dá)5個(gè)16位定時(shí)器和乘法增強(qiáng)型SPI/I2C/UART總線。

        MSP430FR57xx FRAM功能框圖