世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“華虹NEC”）今天宣布，基于公司成熟的0.13微米SONOS嵌入式存儲(chǔ)器工藝平臺(tái)，已成功地開(kāi)發(fā)出了具有超高可靠性（UHR- UltraHighReliability）的嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器模塊（EEPROM/FlashIP），使0.13微米SONOSEEPROM /FlashIP的數(shù)據(jù)保存時(shí)間從常規(guī)的10年提升到了超過(guò)30年，而擦寫(xiě)次數(shù)則從100K大幅提高到超過(guò)500K。這次在0.13微米嵌入式存儲(chǔ)器工藝上的技術(shù)提升將進(jìn)一步擴(kuò)大華虹NEC在嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器代工市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，鞏固公司在智能卡和安全類(lèi)芯片領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)廠商地位。

華虹NEC銷(xiāo)售與市場(chǎng)副總裁高峰表示：“華虹NEC長(zhǎng)期以來(lái)致力于嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器工藝的研發(fā)和生產(chǎn)，從0.35微米EEPROM工藝到0.13微米SONOSEEPROM/Flash工藝，一直保持代工領(lǐng)域嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)的全球領(lǐng)先地位。針對(duì)目前金融IC卡、M2MSIM、智能電表等高端市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品高可靠性提出的需求越來(lái)越多，要求也越來(lái)越高，華虹NEC在0.13微米SONOSEEPROM/FlashIP現(xiàn)有的高性能、超低功耗和超小的面積等眾多競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，又持續(xù)進(jìn)行創(chuàng)新和升級(jí)，推出了具備超過(guò)30年數(shù)據(jù)保存時(shí)間和50萬(wàn)次數(shù)據(jù)擦寫(xiě)能力的EEPROM/Flash模塊。這次技術(shù)的提升能幫助客戶(hù)進(jìn)一步鞏固其產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，并支持客戶(hù)的產(chǎn)品在未來(lái)能進(jìn)入更高端的應(yīng)用市場(chǎng)。今后，華虹NEC還將在工藝的研發(fā)和技術(shù)的創(chuàng)新上持續(xù)投入，不斷地?cái)U(kuò)大現(xiàn)有的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)與領(lǐng)導(dǎo)地位。”