據(jù)海外媒體報道，從去年下半到今年上半以來，DRAM 均價飆升 17%、NAND 均價攀漲 12%，主要是由于存儲器進入制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)能大減，使得廠商無不撒錢擴產(chǎn)。但是 IC Insights 警告，過度投資恐怕會導致產(chǎn)能過剩。

韓國存儲器大廠 SK 海力士(SK hynix)26 日表示，今年將斥資 86.1 億美元(約 9.6 兆韓圜)，進行設(shè)備投資。此一金額比年初宣布數(shù)字高出 37%，也比該公司去年的設(shè)備投資總額高出 53%。

SK 海力士加大投資讓新廠提前完工。該公司主管 Lee Myung-young 說，生產(chǎn) DRAM 的中國無錫廠和生產(chǎn) NAND Flash 的韓國清州(Cheongju)廠，原定完工時間是 2019 年上半年，如今將提早至 2018 年第四季，比預定時間提早半年。

SK 海力士強調(diào)，新廠落成后，存儲器產(chǎn)出不至于暴增，估計 DRAM 和 NAND Flash 產(chǎn)能只會增加 3~5%，呼吁市場放心。業(yè)界人士分析，資金將多用于技術(shù)升級。

然而存儲器廠商大手筆投資，仍讓 IC Insights 憂心忡忡。IC Insights 18 日發(fā)布新聞稱，存儲器以往市況顯示，過度投資常會造成產(chǎn)能過剩、削弱價格。未來幾年三星電子、SK 海力士、美光、英特爾、東芝 / SanDisk、武漢新芯(XMC) / 長江存儲(Yangtze River Storage)都大舉提高 3D NAND Flash 產(chǎn)能，未來可能還有中國新廠商加入戰(zhàn)場，3D NAND Flash 產(chǎn)能過多的可能性“非常高”。

此外，DRAM 和 NAND 的價格漲勢也逐漸放緩(見下圖)。盡管 DRAM 均價漲勢在 2016 年第四季觸頂，但是直到 2017 年 Q2 仍表現(xiàn)強健。IC Insights 估計，今年 Q3 DARM 均價將略為上揚，Q4 則微幅下跌，代表 DRAM 上升循環(huán)告終。