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[導讀]2017年三星電子(Samsung Electronics)同步啟動DRAM、3D NAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃,預計資本支出上看150億~220億美元,遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模,三星為確保新產(chǎn)能如期開出,近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約,狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%,主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。

2017年三星電子(Samsung Electronics)同步啟動DRAM、3D NAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃,預計資本支出上看150億~220億美元,遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模,三星為確保新產(chǎn)能如期開出,近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約,狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%,主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。

三星為因應DRAM和3D NAND市場強勁需求,加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程,企圖與臺積電一較長短,搶回蘋果(Apple)處理器芯片訂單,三星2017年資本支出估計將高達150億~220億美元,且上半年資本支出已達110億美元,較2016年同期成長3倍。

不過,全球硅晶圓產(chǎn)業(yè)卻面臨10年以來的最大缺口,全球半導體廠陷入搶貨狂潮,無論是臺積電、三星、英特爾之間的7納米制程戰(zhàn)火,或是2017年躍升主流且由三星、美光(Micron)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)聯(lián)手啟動的3D NAND大戰(zhàn),甚至是大陸蓄勢待發(fā)將有超過20座的半導體晶圓廠,都苦陷硅晶圓缺貨潮。

近期業(yè)界傳出三星為確保新增的邏輯芯片、3D NAND及DRAM等產(chǎn)能擁有充足的硅晶圓貨源,讓2018年下半及2019年新產(chǎn)能如期開出,三星開始與環(huán)球晶、信越、SUMCO、Siltronic等硅晶圓供應商洽談長約,有意包下硅晶圓產(chǎn)能。

硅晶圓業(yè)者表示,未來兩年三星在邏輯芯片、3D NAND、DRAM等芯片新增產(chǎn)能,預計每月可達20萬片12吋晶圓,合計現(xiàn)有的12吋晶圓產(chǎn)能需求,估計到2019年三星每月需要的12吋晶圓將高達100萬片,因此,三星對于鞏固硅晶圓產(chǎn)能相當重視。

近期環(huán)球晶開始通知半導體客戶,2018年硅晶圓供貨量將減少30%,讓客戶十分恐慌,并開始向信越、SUMCO、Siltronic等其他供應商求助,更加重市場缺貨氛圍,業(yè)界猜測環(huán)球晶應是獲得重要客戶的大訂單,才會減少現(xiàn)有客戶的配貨量,并推測該客戶便是三星。

環(huán)球晶借由購并Sunedison在半導體硅晶圓領域獲得充分產(chǎn)能,而Sunedison原本就是三星主要的硅晶圓供應商,環(huán)球晶借此購并案順利打入韓系客戶供應鏈。不過,之前Sunedison與三星簽長約的價格十分低,預計該合約出貨已近尾聲,適逢這波史上最劇烈的硅晶圓缺貨潮,環(huán)球晶可望趁此和三星重談價格漂亮的新約,而三星為包下足夠產(chǎn)能將不惜一切代價。

近期三星擴產(chǎn)計劃包括擴大投資華城廠17號生產(chǎn)線的DRAM、3D NAND產(chǎn)能,以及加碼平澤廠3D NAND產(chǎn)能、大陸西安3D NAND擴產(chǎn)計劃等,原本預計2018年動工的韓國18號生產(chǎn)線,也提前到2017年第4季動工,并早一步搶下洛陽紙貴的ASML極紫外光(EUV)機臺,該廠可望成為三星生產(chǎn)7納米邏輯芯片的主要基地。

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