在近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項(xiàng)走進(jìn)安徽活動(dòng)”中，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲(chǔ)器項(xiàng)目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝;2018 年底量產(chǎn) 8Gb DDR4 工程樣品;2019 年 3 季度量產(chǎn) 8Gb LPDDR4;2019 年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能 2 萬片/月;2020 年開始規(guī)劃二廠建設(shè);2021 年完成 17 納米技術(shù)研發(fā)。王寧國表示，希望 2018 年底第一個(gè)中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片能夠在合肥誕生。

長鑫睿力起源于“506項(xiàng)目”。“506項(xiàng)目”起源于2016年5月6日兆易創(chuàng)新朱一明董事長和合肥市及經(jīng)開區(qū)主要領(lǐng)導(dǎo)研討合肥的存儲(chǔ)器項(xiàng)目發(fā)展戰(zhàn)略，因而得名。“506”項(xiàng)目包含合肥長鑫、長鑫存儲(chǔ)、睿力集成三個(gè)運(yùn)營主體。項(xiàng)目的目標(biāo)為自主發(fā)展主流 DRAM 存儲(chǔ)器 IDM。