半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣轉(zhuǎn)弱又出現(xiàn)新信號!韓國媒體報導(dǎo)，三星電子宣稱引進(jìn)的EUV設(shè)備數(shù)量已經(jīng)足夠應(yīng)付現(xiàn)況，預(yù)計明年不會購買EUV(極紫外線)設(shè)備，未來若要持續(xù)引進(jìn)，將會評估2020年晶圓代工和存儲器半導(dǎo)體部門的訂單再做決定。

根據(jù)韓媒《DDaily》報導(dǎo)，不斷強(qiáng)化EUV技術(shù)的三星電子，打算透過工藝微縮發(fā)展7納米至3納米的先進(jìn)制程，但考量到代工業(yè)務(wù)部門所要求的EUV設(shè)備數(shù)量，至少到明年為止，沒有必要再引進(jìn)新的EUV設(shè)備。

當(dāng)初三星為了在去年才啟用的最高端技術(shù)華城廠區(qū)引進(jìn)EUV設(shè)備，向市占最大的EUV設(shè)備商荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備公司ASML購買約10臺EUV。ASML也曾表示，今年EUV設(shè)備供應(yīng)量(包括預(yù)購在內(nèi))為18臺，加上之前業(yè)界普遍推測，明年三星電子還將進(jìn)一步購買EUV設(shè)備，根據(jù)今年10月ASML的說法，明年在手訂單高達(dá)30臺。

值得注意的是，三星存儲器部門計劃引進(jìn)EUV設(shè)備，但預(yù)計后年才會有量產(chǎn)計劃。熟知三星電子內(nèi)部情形的相關(guān)人士則透露，相對存儲器部分，代工部門中不需要這么多EUV設(shè)備，最多有10臺設(shè)備就已經(jīng)足夠，并在這數(shù)量范圍中循序引進(jìn)設(shè)備即可。尤其是EUV工程的量產(chǎn)計劃設(shè)定在明年下半年，因此沒有馬上需要設(shè)備的必要性。

此外，近期三星內(nèi)部對存儲器半導(dǎo)體市場評估也越趨保守，雖然目前已經(jīng)進(jìn)入旺季，但存儲器價格上漲速度已經(jīng)開始疲乏，導(dǎo)致需求開始被推遲。更何況，EUV設(shè)備要價不斐，一臺約2000億韓元，在市場需求明顯趨緩的狀況下，恐怕將影響三星引進(jìn)設(shè)備的速度。

EUV設(shè)備目前主要客戶包括三星電子、臺積電、英特爾。過去ASML曾透露，最先購買EUV設(shè)備的企業(yè)是英特爾。但隨著英特爾延后使用EUV技術(shù)，目前EUV工藝對決成為三星電子和臺積電兩足鼎立的格局。

三星電子引進(jìn)EUV技術(shù)不僅打算用于代工業(yè)務(wù)，也計劃應(yīng)用在存儲器上。相關(guān)人士也表示，未來EUV設(shè)備的需求會持續(xù)增加，因為若是少了EUV技術(shù)，先進(jìn)制程工藝微縮就會很難發(fā)展。而且不僅是代工業(yè)務(wù)，以后存儲器半導(dǎo)體市場開始使用EUV設(shè)備的話，就會更需要EUV設(shè)備。

他也補(bǔ)充，在DRAM技術(shù)方面，三星電子正在進(jìn)行1ynm工程.若進(jìn)展到1znm階段，就能正式投入EUV技術(shù)，因此存儲器先進(jìn)制程并不急著應(yīng)用EUV技術(shù)，但2020年需要啟動EUV產(chǎn)線的話，那時才會再引進(jìn)新的設(shè)備。

臺積電在7納米工藝運(yùn)用了浸潤式微影和氟化氬(ArF)的曝光技術(shù)，搶先三星確保了客戶。近期為了履行高通、AMD以及NVIDIA的訂單，開始進(jìn)行7納米加強(qiáng)版先進(jìn)制程測試，同時也計劃采EUV技術(shù);而三星電子為了超越臺積電，犧牲短期客戶，搶先臺積電引進(jìn)先進(jìn)制程微縮的核心“EUV”，預(yù)計明年開始進(jìn)入量產(chǎn)的三星、臺積電，兩公司在EUV技術(shù)競爭中會更加激烈。